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老實說,( R8 i/ W( P3 L8 ?( O
你問的問題很廣,. O( `5 S) M" z" p; W: q3 ?
會根據不一樣的條件,- P) j& x: M( E/ F
而有不同的答案。+ E. B6 P: `# L x( G
: R0 B0 b. I' B* m( T以nmos,body=source=ground的例子來說,
9 W6 y- X+ b$ }: {1 A1 `* T5 N5 D. R$ @! |7 V2 k1 ?
(1) 如果gate=ground,nmos turn off,
+ ], B) O* |0 Q9 L如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,
. d% v) N" N5 L, e/ l一般來說,應該不會,
' R0 [8 ]% s+ K& q* r, y因為SiO2的critical electric field滿大的,
+ e; W1 f4 I1 r5 E. l* r! A3.3V device gate oxide還滿厚的。
! w; N) d% E; t- Y0 l X5 e5 c& Vvds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,
. p' [. d3 m9 o. |. w0 a# |* H這個值通常很大,
: E" H4 P, R& C$ V, C, m因為body=source=ground。
/ [3 b# `6 S2 E: V( }9 a另外,如果channel length比較短,& T7 K0 h2 y) H+ d( Y6 z
這個值 "可能" 會跟channel length有關,5 N; f6 @3 K8 b% U$ T2 j
但如果channel length大到某種程度後,
5 {6 O2 r) Z# A+ g應該也沒影響力了。2 q, G/ Y! B' n; u$ m4 ]
# q; [4 }0 M! U6 B+ l% f. A. b
(2) 如果gate=bias voltage,
; i4 W% t$ x/ D/ l6 o這顆nmos可能當current source使用,( t; F" e; f5 y$ U0 L3 A6 I
這時候就要考慮其hot-electron的效應,
' X0 a1 V* \: T! ?3 @- h; a因為單位面積的current可能滿大的,
& T5 f/ i) {2 p5 a5 e8 }4 S而vgd也不小。
' }0 |1 T1 o# W9 A! ]3 J# s' h9 Z) f" Q4 [; {% j
(3) 如果gate=darin=high-voltage,
% S! t* L% {/ a Y9 a/ X這樣的單位電流會大到不行吧!
) q3 Y0 C$ Q3 u( r( t6 \) O) yId = kn'W/L * (vgs-vt)2+ M: Z. G" ~* K; i O
: X) x5 T: `# R$ s5 R8 W所以通常是case2會是要考慮的問題,$ p# Y# f: d5 t4 G; F! M( {) F
不過hot-electron就是可靠度的問題囉。
& s3 @- x1 Z; C0 o; n; ]# S: Yn.n |
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