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老實說,
1 X1 ~& C4 F& M1 D1 Q+ v* R你問的問題很廣,
0 Q; h# ^* _' r% P' u會根據不一樣的條件,
! C, X, v6 e3 U而有不同的答案。
8 ~ [% \7 z5 A9 M% H, m" l& M) ^* m3 A3 }1 @' N1 B3 @2 S
以nmos,body=source=ground的例子來說,( b- S% u! ]" k4 q
" P# P) K$ ~& Q" n
(1) 如果gate=ground,nmos turn off,8 ^% A ]; d2 y; x8 Y
如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,
d9 z* r* |/ m/ s, i! E. j一般來說,應該不會,) f6 _4 J6 R/ q; I0 E4 J
因為SiO2的critical electric field滿大的,
5 D6 o- I+ _& n3.3V device gate oxide還滿厚的。1 Q, [3 b* x! u; p
vds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,- J8 X+ _; K' D! N& k w
這個值通常很大,
! `6 C1 \ I9 G+ M& ^" f: r- w因為body=source=ground。, {& y' r, v0 n, D# v/ y
另外,如果channel length比較短,
0 v9 k8 |. l; x2 _( f3 p這個值 "可能" 會跟channel length有關,
& b- K; z' D8 s2 c但如果channel length大到某種程度後,
, h+ `# v& I. V* v1 m應該也沒影響力了。
$ t# o" z' \9 V( w5 a) i. W1 g2 D3 S
l8 |' c5 n: t6 g1 s; f(2) 如果gate=bias voltage,
- R3 }8 H$ G. L) B7 U這顆nmos可能當current source使用," |* D6 W7 i# x8 V# x
這時候就要考慮其hot-electron的效應,
6 K, ?0 c' K- R9 a% a2 {$ L因為單位面積的current可能滿大的,; z" ?9 h# ~' ?, B
而vgd也不小。7 p# a0 F& d+ r, e4 B9 t B
2 n: k9 i! K! ^2 t; i! M
(3) 如果gate=darin=high-voltage,
$ ?) A% a, A- {, q) p [' x+ F& Y; }這樣的單位電流會大到不行吧!7 N- K+ o5 [* I$ {- p+ \! I( s
Id = kn'W/L * (vgs-vt)2: {3 l9 O! U6 u# v/ }
! W. a' V% ~0 F. N# z% l
所以通常是case2會是要考慮的問題,7 B8 G4 S3 J j0 y5 \! T) [
不過hot-electron就是可靠度的問題囉。
9 _- Y+ \9 }0 m7 rn.n |
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