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[問題求助] 有關動態電路layout的一些問題

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1#
發表於 2007-9-5 03:37:14 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請教各位專精人士,
2 S+ s+ q- P2 K7 q& l小弟目前要tape out一顆32bit的Kogge-Stone adder(130nm TSMC)(主要: i( T& y+ o7 t3 A9 P' m" t
為dynamic circuit),有幾個基本layout的問題想請教,5 g/ p- N6 ?: b% p& l, i
2 L3 C$ u6 }8 W) a" l8 i
1.因為是數位電路,想請問一下,直接在MOS的diffusion上(已有contact和metal 1)上打一個via到metal 2,再由此metal 2把訊號(Drain or Source)送出去,這樣的layout方式好嗎?7 Z. }! h+ O9 H- |$ L3 o
2.clock除了要長clock tree把clock訊號送到local的電路外,有沒有需要特別注意的,比如說:在local的電路裡,要注意什麼情形才不會使的clock skew變嚴重,local的clock要走哪幾層比較好,等等之類的
: w. C9 D" M6 {* f; Z% f, \3.在這種架構上,有沒有需要特別注意的地方。# H3 p# u2 M( q

1 ^" ~3 z0 d; Q! V因為是第一次lay動態電路,所以不太清楚要注意什麼,還有請各位大大提供意見。感謝

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jianping + 15 + 15 Good answer!

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2#
發表於 2007-9-5 19:37:34 | 只看該作者
1.因為是數位電路,想請問一下,直接在MOS的diffusion上(已有contact和metal 1)上打一個via到metal 2,再由此metal 2把訊號(Drain or Source)送出去,這樣的layout方式好嗎?# y+ K, o% x. F9 p: Q7 |; Z

( u6 c8 M: V- D8 g3 O3 F0 l2 _8 b-->較不好,因為縱深落差較大

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jianping + 5 + 5 Good answer!

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3#
 樓主| 發表於 2007-9-5 20:14:58 | 只看該作者
請問一下 縱深大 會發生怎樣不好的效應呢?? 謝謝您的回復
4#
發表於 2007-9-5 21:33:18 | 只看該作者
原帖由 piepie1244 於 2007-9-5 08:14 PM 發表 " `/ I( g- u- Z% V
請問一下 縱深大 會發生怎樣不好的效應呢?? 謝謝您的回復
9 k5 ]" ~8 M3 o+ }' b% M% z2 S1 i

; {. G; v" C; z1 ~  f& |( s
+ d! J3 b# M2 ?/ u在etch時侧壁的metal會etch不乾淨,造成的影響如殘留metal掉到其他導線上,造成leakage......................

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5#
發表於 2007-9-7 10:04:53 | 只看該作者

回復 #4 m851055 的帖子

請問 m851055 - e( w* c' _7 v  W4 Z

% y4 i0 j5 E: k0 e就這點需裡要如何改善   加大 Spacing嗎,還是要先拉一小段線再換到M2
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