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提供一個之前用的方法,
2 M, o, e7 y8 f( k* E! N4 a* o由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)5 d# }; d8 {$ \, `' k1 t
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
( K; @- a# u9 |7 i6 y4 v5 S3 F& yVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値, {( m% B* q0 ]0 V' k
. n/ Y) X8 x1 e6 F% ?+ n由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)% [% I+ P* E/ l. ]8 T0 T" F. x
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
3 X6 |6 @' u$ A/ o$ n7 [0 d0 |由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
) j' k* ]+ c7 n% f故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)7 c4 t; j& t5 i; v6 c
- ~ d6 N7 W4 k( |' {5 V
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值6 a& x E' {$ w$ g% _/ t" k" Y- A
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]9 O* i# v9 \/ ]/ U9 d! m; u
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]" K, B% |' k7 }4 [
. w) P1 u7 o: f( W7 |
之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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