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提供一個之前用的方法, - J5 s8 w( E1 k" a+ Q7 w( N
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)$ r: `2 E: @. @ F7 n
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,! m1 T1 Z, F! L' h& s
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
- K( O- }! G/ `5 h K! }8 n! N
5 f7 I+ {: S& g1 o+ D. h/ I! v8 ~由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
9 Y& E4 }* B% x5 Q; x$ @在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
7 |9 F* i$ b: E- P" O( S u由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)! a) ^( a4 @. `3 m) q
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)" A2 n! R* `# V1 ?3 d' H$ Z
. F t' }( E# \將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值6 P* ]0 B# a) I+ S) W+ ?3 f/ Q: Z. J A# `
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]. e* v7 h3 x& q; _( J
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
! i% |$ Y1 t, w Q* B
$ A/ H, J- K+ I* h8 G( B" s( l之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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