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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 1542 t& U0 [9 K- a% ^# L9 g
A gain of 1000 is expected.( M6 d6 w4 f9 q& o# ]+ a2 r# c" Z$ C
=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: 5 k+ m( B, I. c) f9 _5 b+ Y8 J
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1- k# J$ U* U* T% F3 Z

* c+ o! T" _. L' _$ D2 H/ a2 M補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):! H8 y' _9 v' o# v7 f
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1. s# Q5 K( |, \

/ G* e$ Q3 r4 O. c1 t% m3 G0 G補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
2 s& u! l* |" e# @8 T# Q2 ASlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
2 ~8 Q* W" w$ E" c7 Y' W( JInput shunt: Current mixing輸入電阻變小2 M# i% ^" N6 z1 I
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大8 r4 ~; \2 i7 B# `# j* k) q$ ?5 R
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
9 v; }6 D0 s* B: i* V, sOutput series: Current sampling輸出電阻變大
# W1 Z/ t: |0 i
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 07316 a: Z2 {5 |/ Z  q+ R0 l; ?9 O
需要4各bias 點~
& i' v" _1 y1 M6 Y$ Y+ e. h; D/ G; x
8 W$ j- L6 c6 W  K: X; ~side 0732# l% Q, e1 \; v5 t
只需要3各bias 點~
! {: T8 t% @6 jM2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097' G8 m) U1 d) T
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW$ E8 v* |# @9 r' x% w" q9 r
depending on the phase margin required.9 H) q! Y! ~2 ~# B1 L0 k- Z; p( t  q
=> 更正* i/ [! T! K5 m7 h6 ^. d4 ?3 R/ ?6 Q
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW5 D1 u  X; u8 S9 Z' M$ ]
depending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM7 l5 s: W& @/ W
回復 32# tuza2000
; X' k$ C: G* f
上面說明有誤~0 Z4 s& Q9 }2 I( U8 d$ t
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接$ X- `( ^: g) [0 {$ S
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)$ d7 ]4 y9 D3 j
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻) T" W- W4 a7 T2 c4 }  I2 R
所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
6 ?6 `- G  R5 `& r! p1 [# SRef: silde2219
7 }6 Z7 F% ~! |Start-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
" n# d5 Z" d' c: L) BNoise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
4 q2 a% g: s+ W7 x- b% I4 ENoise of a current mirror with series R:
% d( x1 s" P2 U! R) }4 J9 E- Q1 U前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!8 W* u; p0 b- B, y
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
7 ~1 l( S4 B, B+ R5 J6 M: l  ?' h謝謝~~幫忙回附一下' k* x' s5 b, u5 f" a
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513& m6 B% }6 c$ h; R: q/ D  l
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下2 L  D+ g4 d% I/ Q5 I
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
( _6 I# \% X0 u9 Z$ q% _  Q3 \2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
  G0 \8 T! M) e: x( p# c& F. r8 [3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513* ^1 ]4 p* X/ o1 B4 W3 J
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下; a  q& T+ t& d1 k% t, J5 W
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
+ ]3 n$ e/ H4 X2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
% C( `' ^2 h% V6 L3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
; T" R2 j' [2 M9 e3 YVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2): l& T! q2 f3 G& Q

0 i4 h/ G* \) T1 S9 C. H2 C: Q=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
( H% @# R! b8 ?9 w+ E* L1 ]" e/ K/ ^用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
' q6 ]9 \9 K" R. A# ^- b所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)8 b. |9 K! ]. b2 z
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 22221 D5 R5 v. T, L9 W! F* i
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
: B( O' ~" x7 b* G& F5 Q
4 e, _' ?# f* k; L0 L- A=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
8 [  f% H; D0 {% X用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
6 v3 n. R$ X; b' n. x5 z$ M8 q8 F2 T所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
9 ^' A' F4 a# l$ J5 K' p  j5 \
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222
- c! V0 y8 o% u4 Q0 G$ QVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
$ q) I, i9 M+ d& W* L& m) c- A/ ]( Q2 t, u9 [
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C24 C; V; ?$ b* i& z
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻* _# d* e5 O" }0 N$ z2 [  M6 H
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
- U4 j4 X/ Z1 [: Y+ }
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222
9 I- O" ^* M# r& b# Q5 ?7 R/ _1 WVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)$ [" L: t" t) D) P$ e/ k& G9 g
; D  ?* I8 N& w+ i
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
$ ]& s' z% _! N+ H/ b1 h用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻9 g: m- Q6 i8 I- N2 |! M! c) r4 f$ I
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
2 K$ o2 }! t0 G! S  q/ D! k  O
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA
3 @7 S/ r& \: t# u9 |6 o  z! T* y% U0 S. i
gmmax 應該是C1WC1/2C3
% n2 w) m" U0 O  ~& p% i" z
+ I4 [' j1 b  v9 ^, F& [=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
6 h' o2 G" p- }  |9 Xslide 22222 n( |- L2 `0 c7 b1 e
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

1 a5 m. X* a4 q2 HgmA~ 4RsCL^2Ws^2$ \3 I0 _* A* E9 @% P( b
and 4WsCL^2/QCS9 Q4 ?. M7 A( D3 R3 I2 w

8 M6 l, Y& [- K7 f, z( r9 W* M. V* w7 y  d3 Z" n/ m
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
' k: V5 g  K3 n( s( d6 l$ {& X6 N$ [/ r9 O6 J6 T6 R2 j
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
/ `% z+ r% w* t4 q
. d: N4 c2 o2 ~$ N3 Y4 \+ N: zhttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
60#
 樓主| 發表於 2024-6-4 10:22:38 | 只看該作者
Design of Crystal Oscillators 1 M7 C& T* ^6 t7 ^! D# }
slide 2255補充資料:Two stage ring oscillator analysis( H! _+ O& r8 l) ]  ?
. U, M" H3 ^" V) {" P! H
https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing
5 {, h: X. w: g, V2 q) X, E) \
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