Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
123
返回列表 發新帖
樓主: 賴永諭
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] Sansen讀書會...

  [複製鏈接]
41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154
9 e2 k5 n1 o$ W# `A gain of 1000 is expected.
* o4 R) J/ k/ K, G$ r0 s5 [=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524:
4 t) F. t0 v3 g% `Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro17 u; f0 n- k* \

! L* Q' `* M4 T9 C) J補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
  [7 V6 }# r# m0 z1 J; ]; D  `Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
% z" e! c9 z+ s4 g/ Y$ Z& r  S( E4 p/ x6 n7 W
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
* _; |5 t4 R$ E! OSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
* _$ r) n( y3 }$ nInput shunt: Current mixing輸入電阻變小
5 `, i& `  G. ~) g4 r' [. \Input series: Voltage mixing輸入電阻變大& c0 u! _; u$ y+ j* {1 o" |- A
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
5 l- A! ]& r3 |- s: Z) D' x7 V; w# I2 bOutput series: Current sampling輸出電阻變大' `8 ~  G9 E, U0 ]
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731
6 j8 q7 R9 V  g# i( U1 U需要4各bias 點~  k9 n% R# I( t

- L- ^8 k5 y( k( {( ^6 y9 qside 07320 M5 Y+ a6 ^! \9 Q0 O
只需要3各bias 點~) v' K' Z" k; H% o0 ]2 A. c
M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
* `# y* }/ _* c. G) N6 A! e6 BIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW9 V7 T; O* M5 b& t
depending on the phase margin required.% v% u4 l" e1 x' N6 S
=> 更正
$ L0 T: f" B0 k  LIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
( h3 r% D, X; Hdepending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM" i: }$ u% G$ j' b2 a0 F' n5 o* n+ p
回復 32# tuza2000

. ^% v2 m; ^8 `% S: B: `, z上面說明有誤~9 R. J9 c+ w) f" H, }1 y6 u! i
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
" R. a9 r* n9 D
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)0 X. ?7 F: l6 W. a) J
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
3 K2 u; X! e/ I4 ?# w9 O$ l所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
5 C- }+ r9 C3 K1 {. M  E& MRef: silde2219 7 I9 n+ h8 ?( L8 C4 t/ O
Start-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
/ `  P$ E! g; v$ w4 d6 Q8 P; y% D& `9 fNoise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444. ~! v1 G. w2 T3 \: @1 B0 h
Noise of a current mirror with series R:
5 s( x+ L8 v) h9 g$ j% }前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
* ]0 m; ^: S% u9 l: N" \還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~: Z5 w. T" [6 r+ t
謝謝~~幫忙回附一下. I. [+ Y9 `( J' M3 g7 M
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513, W2 f) g- p+ l" e
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下" m1 F+ Y1 i- c7 N; I. u  e
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
" U+ a8 x) z0 p' x4 b! O2 ]7 c2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。  g( {0 R' `# J5 s+ S# _
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513/ p1 ]& ~9 q6 u0 T
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下+ o2 S7 Y8 B+ J. l9 g' K
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。1 N' ]0 @* u( z" J, ]+ [% Y9 A2 M
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。/ |! A( I! E4 r" [8 R
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
3 Z1 x: Y) e: ]; [! [0 X0 AVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2): i% {! g, X' y1 E  R7 v

% H5 F# d7 J8 j5 u8 ~, h=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
8 Z1 G' O2 a0 u用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
1 n- g. Z) c9 Q" Y2 C所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2), n' n" u% ^4 U5 L  Q
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222. i' E. r& Z6 A: F& y* w! y# d6 q! Q$ t
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2). B4 U: C' y3 M0 ^

: r! e4 e. C# x( U" }5 U+ j2 z=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2% T. y# V3 E8 g  t* F
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻7 E, a- v5 {: w% E, r4 B
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)/ E0 L7 i1 l# b! d  y
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222) b2 u) @9 ?' |/ \8 y+ |9 L
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2); u+ l3 I8 q/ a
( J7 M* N" \% y, E: S
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2' \7 G: V1 l0 c$ X0 _
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
; t% T4 w8 l9 M' o2 j0 X4 G9 P所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)+ N2 [5 j: {# J% i/ l
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222
+ Z& G' h/ `$ o7 G  _/ u0 D# sVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
. v% A7 d2 M' ~3 @) p& L" m$ _% h* h: h" l" Z
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C23 q& y* r! v* ?4 S
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻) l: D! w( z) R" d$ {: s
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
+ A) b8 u" @9 w
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA
4 ^. w+ @* L: X& s7 W: v  g( S: g3 a4 H
gmmax 應該是C1WC1/2C3
, S/ N. z' {; A; ?5 Z1 i1 {/ c2 @/ [3 S1 K: m/ g& n0 d
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM( b$ B# v& g2 \4 v: M; b- e/ [: l
slide 2222/ e/ X0 N# O6 d: G4 L4 H* y7 W
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

3 Z# [- ?. z( `; Q3 N% L- KgmA~ 4RsCL^2Ws^2
- Z" I- @+ F% G  H1 N5 ~$ S$ dand 4WsCL^2/QCS
. @8 n3 Y2 V# k2 q3 }2 r% _% v* Z- [/ Y6 V' g2 z

3 t  T* U% f# ?% f) O) L$ g
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP . e5 b4 g  M3 E) e* n9 s% ]6 J5 O
) v$ [+ G( L/ L, k
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
2 B  B) l0 o4 |- ^4 M3 C% Z+ j- D3 b9 h$ }5 ?5 B
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-6-2 12:19 AM , Processed in 0.123016 second(s), 16 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表