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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154
3 Y# G) w3 |  D; G9 G4 c% @. NA gain of 1000 is expected.
' R, m( o. |# ^5 E=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524:
- z5 s; u2 F/ h: ]Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
; h! V1 n9 J, h
/ G# x5 b# i$ q補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):9 Y0 C+ U$ L6 ^( M5 @+ l; ?
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
: y$ T6 _/ z) x' A% H2 L/ |
2 |9 p% N$ u% \8 V: a補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
  s8 }/ y1 Z2 {, J, q3 E" ^& ~Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:! d% Z7 G; `. |$ S2 P# S$ O
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
/ d  F8 d1 N4 k) |8 OInput series: Voltage mixing輸入電阻變大
! i  F6 m  K- SOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
" K1 A+ o3 }6 gOutput series: Current sampling輸出電阻變大
: U9 f8 d9 X4 s1 V
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 07316 f+ U4 q4 r8 F3 Z
需要4各bias 點~
5 ?2 _& n' J# T8 k* c* I' p3 J2 b) C& Q7 {) c9 O
side 0732: l3 R5 U9 B9 N% L; {# t3 M
只需要3各bias 點~+ }/ x( l" T# |$ a, ?7 c3 j; X: `" q( J
M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
! c  p8 \$ E3 A% J/ n4 [* GIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW" z5 \0 F! Z4 d2 K4 [4 S; E; f$ T
depending on the phase margin required.8 B6 ]' g; }6 v# q9 ~6 B2 C. ?
=> 更正. h  a2 P8 K* g  Z1 M( m
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
* v9 e$ Q: N6 x6 v8 `9 ~: Qdepending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
! S. {! k+ @/ b7 b回復 32# tuza2000

" {3 X, }9 d9 B8 A# Q7 Q上面說明有誤~+ n" s% M7 M, j
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接+ G7 Z& d( s" n3 N6 }
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
/ b& a- A7 y" U7 kCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
1 n, ~% [- }6 i9 c所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
' h5 @; L! E7 C  h* b" ^! mRef: silde2219 % h8 t8 i1 D& m
Start-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
6 v2 @7 \# f4 R' n# {0 RNoise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444" A1 \( F5 P) H5 [3 m  B
Noise of a current mirror with series R:3 a% a* W& h$ _4 J) ?. X( `0 l
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
& H" `8 Z7 z( I+ j4 U8 }還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~+ h* q* s; o: w+ Z" I9 ?
謝謝~~幫忙回附一下$ H" {3 H9 Q0 N9 X, \* @+ j
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513& m/ F; t; h2 o: k7 N
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
% [9 I" ]& C1 `2 W8 B+ m1 U& J- P1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
! c2 w, J& O; c3 {6 W. \% \- [) Y2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3 {. O' u+ b# l2 Q% u  {  r8 Y3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 05135 C8 E1 H6 @4 f* F. j
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
2 A! q0 }4 v1 i- J5 G$ ?: w* J1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。1 m5 c9 m6 d, O" R0 U) ?9 P
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。# w4 H2 O6 {; r. @
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
* P  s$ L! Q/ `  j0 dVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
, i5 s0 T& e" m% F. F3 |  W5 [6 f* H1 J$ A/ g
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C20 e) j0 U/ u& M9 [" k
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻  b7 A( d/ R* a, _3 N' M$ m
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
6 `* u4 |- z4 E1 X3 }
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222
7 j( U+ P  n- K$ T0 U6 ]Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
/ z7 h# N/ T9 L& E0 D  W! B" F# F2 t
1 Q+ D4 F& B1 B) |$ \" S=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
6 E, S* P! ]# p9 }9 E/ _& N% R用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻% }  C, E8 b. h, I! d, ~
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)/ e* c3 b" k0 z1 o5 S- p: J
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222
3 [7 y; S7 G% [. wVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
5 [' c8 w' e4 F6 C. U+ v$ b* e
9 ~0 q) V# a: Z% f=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
, `7 a) ]& ~  d用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻2 {9 v6 d- l4 J/ e
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)6 y  ~3 l% I  L. E" q
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222& H( y/ [% V; n! ~$ i# w
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)5 B+ q0 m9 U+ u4 M1 \) u
6 [, S9 h/ Z0 A& @
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C27 e6 Q- u# D1 T7 f
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
& ?) x1 f4 Q& G9 ?: {# V  m/ q! Z6 Y所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)* F+ ~. W% t) A9 [5 t- p9 k; y% S
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA
# r6 X, V8 s4 E$ {8 L
) r4 r/ E/ ~; Z3 H/ u8 `9 }gmmax 應該是C1WC1/2C3
* S$ q% Q$ S2 p: R; A2 Y6 o" L4 i3 W7 m- v( W( \5 X: \
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
+ I; H* ]* k% D0 Y- u# Cslide 22229 x4 y0 c3 w  r! P0 p0 [% L7 H4 x
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

- h8 q" C  x% s0 S. ]% kgmA~ 4RsCL^2Ws^2
/ H3 E) j! w$ A" y9 u4 Z# jand 4WsCL^2/QCS
" F6 X: l8 B! `: Z9 K% h4 Z  i/ S! \0 @! U2 I2 g

2 T: k2 d5 @8 p: f* M
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
! z) p4 U$ Z( b$ B9 |9 \) n6 a
8 p3 y) U8 \' eIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
( S2 z9 Z+ ^/ Y; C9 }% h5 ?3 T" R" Z2 K1 i" R
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
60#
 樓主| 發表於 2024-6-4 10:22:38 | 只看該作者
Design of Crystal Oscillators $ ~" F2 p/ A  G- \" j; Q+ |
slide 2255補充資料:Two stage ring oscillator analysis; Z& c  r" b; b- L

9 H; V1 s# o$ t) \https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing
" J* s9 \0 j6 M
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