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老實說,
' |/ ]5 i/ Y4 L3 ?9 \你問的問題很廣,* [6 N8 V/ c9 u
會根據不一樣的條件,3 l+ e7 y) E- _* E" ?3 S4 F
而有不同的答案。
6 L+ [! c* t/ G" b
9 K( o' m$ ^* z+ f% y% R! Z1 L) S( ]以nmos,body=source=ground的例子來說,
& Q3 l% j' F/ `& p) G3 e/ P( K# B+ r7 i- p- L8 I
(1) 如果gate=ground,nmos turn off,
. ?: E3 B. o; n7 z5 ~: A( z如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,6 I* g* q; k5 x8 m
一般來說,應該不會,- f' V3 y5 ?* w& e2 u
因為SiO2的critical electric field滿大的,
) i, p1 {% Z/ `: D3.3V device gate oxide還滿厚的。4 s' }0 b0 K! [* Q9 N5 f
vds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,2 e' W" \8 q6 M! e
這個值通常很大,& W2 \# W0 m1 ?, _, k$ o
因為body=source=ground。( U5 ~* }+ l$ s3 E2 X9 n
另外,如果channel length比較短,
H1 N' G( ]9 }0 T1 ~7 ]6 J( L3 H+ R這個值 "可能" 會跟channel length有關,
- U, x- v% Y* |7 y6 J但如果channel length大到某種程度後,, b w5 \( M& i( T; S* L5 ], L g* r# N
應該也沒影響力了。1 l: y6 {' }, Q5 p1 q' ]1 N
: D: | I. ?& c% c3 E" c" H(2) 如果gate=bias voltage,
. l% ~/ \; B p) \. ?3 y& A8 y這顆nmos可能當current source使用,& T+ m( A9 Z+ I
這時候就要考慮其hot-electron的效應,0 R; ]- c p1 h! {0 m
因為單位面積的current可能滿大的,& B7 i/ `: T! J# S+ \
而vgd也不小。
) X1 H7 b! T1 N8 R0 {1 z3 P5 ~0 q( Q+ v
(3) 如果gate=darin=high-voltage,
, d; i. L' j5 U: m這樣的單位電流會大到不行吧!
: v+ q2 g. O# H7 ]2 }5 \; SId = kn'W/L * (vgs-vt)2- S F( }8 W* Y9 n8 ~
% E3 P+ E# n: a$ F% K' O3 e
所以通常是case2會是要考慮的問題,- J8 R; |. g2 m5 N1 @
不過hot-electron就是可靠度的問題囉。( ]* J M- L/ L: J5 i
n.n |
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