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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154
- I3 T/ G7 |# JA gain of 1000 is expected.
' p7 v, p  W3 q, s; h=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524:
3 O; ?- L1 b4 |# y% M# G8 |3 m/ i( jSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
* g: n1 V3 x2 Y' D% q& F9 g& U( T4 m- K9 k$ y7 n* X, g) }
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):7 W! b6 }' E. k! K5 K: C2 L
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
' u3 L, n7 I, }" y) y) E# t: X5 f# a9 m5 G
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):  A! b: r+ v& c& U' z+ ]3 V
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
+ Q' |5 N: B7 \; v$ \+ ~7 D% rInput shunt: Current mixing輸入電阻變小
0 k& D" D* f/ ]! OInput series: Voltage mixing輸入電阻變大
( g: M3 A4 s  f2 y! ~Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小; ?9 B7 l- [1 _
Output series: Current sampling輸出電阻變大
: t5 d; A0 z( `. N0 ]
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731
  `7 o2 W; l7 z5 D! `2 g3 P. x. ^需要4各bias 點~
% U- h6 X: P+ G2 f3 J1 l
8 k7 [. |, i% Lside 0732! m( R# ]$ G* |
只需要3各bias 點~% k3 Z( e8 K0 Y9 m6 s! [4 Y' Z
M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097/ ^8 ~$ I  ]/ O9 G! u% ?8 t8 o; u
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW5 V+ l7 B" L! S! z. r  {6 f
depending on the phase margin required.4 {( x$ A& a* E" ?9 i; K
=> 更正
% z3 t1 X2 `, i( t3 FIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW0 ]# T2 n: N; h
depending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM0 [; j1 _, s- x8 V+ |, e) C; a3 P
回復 32# tuza2000
% K3 z- E; n' J8 k. a4 n1 p( u
上面說明有誤~
! h1 H$ _6 }4 ^實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接1 e# P- y: V7 L7 @0 o- J# }, w
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
: d9 f4 q5 v+ u+ nCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻# l8 r! p4 ^0 p. J( |1 W, N
所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
2 B7 ?5 S! Y7 P! `2 ^/ R9 yRef: silde2219
# `5 U4 |  Z$ D0 g+ \Start-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025; |, D) K- o* b4 a, c' L. ?
Noise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 04445 v% _* ]7 ~  s& t0 _% t% E
Noise of a current mirror with series R:
- I$ S6 I' `! M9 F4 C( J7 f+ ^前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
. R$ m  g0 |/ y' p; k還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
) S5 B# S6 r- ]; K謝謝~~幫忙回附一下
$ r) S" P- e7 o5 i8 I1 c2 f2 M2 E  W
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513; @# x2 J+ A7 u7 K6 H
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
" f( {8 ~6 D# N' S" r5 S1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。. ]! M! X' n: Q$ I, G5 R% `
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。; ~7 J! a! b  ?. W
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513
3 f) f; ?/ K2 @. W; B$ y0 m分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下4 }5 a# [) c$ S% I* t* w
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
3 C% j# c+ v( W+ d; f% j2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
  Q+ z* r( [! G3 F& f0 I2 V6 F% r3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
( U4 m7 R- S( s/ tVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
9 L; g% y$ Y" s) T; }6 a4 s# ]
4 ^  f/ ^. Z3 K  M4 [" @* K3 D# H7 D=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2( w7 {. a- N, ~, r1 E
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
" U. r6 A+ }% O& v+ R所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)0 L9 ~; n! a4 V/ m
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222
$ _* U1 s8 r1 |; Z% i7 \! BVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
1 ^: f" s! f" Q3 q! r' ?# l$ J  E' X1 @+ I! v! g8 e0 x
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
/ Z1 x/ h" f6 x! K" d7 m3 W* m  n用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻& Y8 l0 i  f9 P- D, _* z
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
) L: Q. d  t' s, g# u- H
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 22223 F8 m" ~7 f% c8 @* n# A
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
9 l% V: R' m+ E
( A- F% ^) t+ j+ v; M=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C26 d) a2 R6 ?7 @& ^  H
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
  _# H( t1 e1 M8 L所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)5 s: D4 G9 Y; o! ]
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222; h0 E7 ~- P5 {4 Y$ c
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)5 }9 o  h; M. d

0 q0 K* D% W/ [9 B=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C27 l  j2 @, X6 i# `$ |3 k
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻1 i: n  w7 O, w0 {# M9 v7 I" [
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
/ E! r: a+ Z5 _* {; \# l# ^/ s, ^% R' j
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA" p, Q; u* X2 ]$ v$ E) o

7 n' s7 c3 c7 b! R( Y( Zgmmax 應該是C1WC1/2C3% X, _* `* C, |6 _$ a* X1 w
3 k4 m* K  t5 k  }, `9 ~' C
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM# u% ]0 ?1 _" w- f! Q
slide 2222
, X9 V' E& A1 G7 G1 c2 `Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

5 S7 [: R4 Z5 m8 |7 k" v% U0 |6 x" vgmA~ 4RsCL^2Ws^2
4 X: \8 H8 j6 U  I" I& t" Land 4WsCL^2/QCS
& Y/ L$ J$ X- m9 v( P
' |/ g0 b' m, ^/ h; h- h( S5 w+ r- z; o$ \9 ]7 P
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP " I  ?8 ~5 p0 O
  P: ?' A9 q5 v
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
3 s9 V# w& _& P0 I; j+ L1 N0 y5 g* m  D; n+ }* L7 R
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
60#
 樓主| 發表於 2024-6-4 10:22:38 | 只看該作者
Design of Crystal Oscillators
6 N5 u- w" ~/ Z0 g1 Sslide 2255補充資料:Two stage ring oscillator analysis
. _- [) u" e6 B, A' r4 {' a
! L! Z% a* Z* V9 lhttps://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing; b4 b# U$ I" t! p
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