Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 37079|回復: 18
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] poly fuse 的問題

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2007-7-5 15:27:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
不知道發這個版對不對...
0 x! b/ M7 [) x. x; Y+ Y; Q8 S" M# k! p9 k' a
想請教版上有使用過 poly fuse 的前輩們..
/ N; k$ W- N7 ]& A1 g5 U一般在 C/P 時要確保 fuse 燒斷的條件是如何?? 小弟目前有個產品使用 0.35um process 生產,
/ M) u( w5 W9 V& {# f$ cpoly fuse 區域 W=0.4um, L=0.8um, trim 的條件為 5.5V, 限流 150mA, 持續 70ms, 不過ㄧ個5 e* _# D2 r0 }( N0 j- x, _
lot 生產下來仍有 2% 到 8% 不等的失敗比率 (從 log 看起來是沒有完全燒斷)...4 h. P- K6 M; l/ v( G
# X- J7 m2 r$ ^8 Z. h2 D3 o  r4 V
目前沒有什麼方向...不知道該怎麼解決說...
# [. N* g0 A5 U. x: A* c4 D
1 L* z% m3 ~  M  n* X0 O- y先感謝前輩們的分享..
! ~* {  ], O1 |& g
+ f' W- _2 T" a/ i" b以下是 Fuse & Trim 的相關討論:" L+ E6 B5 m% C2 a( \, _
e-fuse?  ) ]5 a& ~( ]8 q: P
poly fuse 大約多少能量便可以燒斷? 3 N1 F5 v1 [/ R( U! Z7 F9 I) D2 ]
如何判断poly fuse 已经blown  
* r% o8 `% Z) ?$ S( _有關poly FUSE的不錯paper給大家參考  
! e; U7 v; P5 g! q9 W& C5 LLaser Trim
/ t  @8 U7 M$ S" t3 ]- y" E做完laser trim後內部的電路被打傷的情況嗎?  & V$ D- C; p5 z# p3 M: f
Trimming method?   # G" t$ p6 b3 \! Z
Current Sensing Resistor Trimming!!   ! @1 q3 k7 j$ r! d4 H- }' f
请教做laser trim的注意事项  
+ C: h/ f; i& U: jCurrent trimming 要如何做呢?  
, }2 R' H: L1 V- O: ?2 N7 H" H( }

2 u) S$ o, z6 B1 p  h9 {2 Q9 Q& H

! v0 i1 O9 |; t6 x  h# G2 R- N) H- W
. x* w0 k  s- t2 @+ q4 b4 M[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:39 PM 編輯 ]

評分

參與人數 1Chipcoin +3 收起 理由
monkeybad + 3 Good question!

查看全部評分

分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏1 分享分享 頂556 踩 分享分享
2#
發表於 2007-7-5 19:49:58 | 只看該作者
提示: 該帖被管理員或版主屏蔽
3#
發表於 2007-7-6 13:08:04 | 只看該作者
1.一般題高電壓是可行的,但須不damage device 為前題; .35 應可耐到至少 7V 不會 break-down 吧!?- n" N5 n9 w+ `# F. a2 N  M
2. Current limit 放大些,因為初期的做用會因為 R 小讓 current limit 限制了stress 的 power ( I^2*R << V*I; 因此時的 V已掉落至很低的電位了!
: d) Z) J* W) g% x% o結論: Current limit 放大至 CP 探針之限額內, V 提到最大且不會 break-down, trimming 的時間可以縮短很多!可靠度也可以改善!

評分

參與人數 3 +9 收起 理由
wpwang + 3 Good answer!
skyboy + 3 很實用的回覆, 謝謝..
mt7344 + 3 Good answer!

查看全部評分

4#
發表於 2007-7-8 23:07:08 | 只看該作者
poly fuse ..." U. V$ P' `8 i
我看到的fuse 很少有用poly fuse
5 A+ A0 \, ~' @通常是用metal fuse...2 s* m( h/ K; p" `8 c% {. U* C
我以前看過有使用poly fuse
6 ~4 d: h* F) s; J5 n) q2 b1.因為 process 是 0.6um 所以電流較大(about 350mA)6 k: w1 n" e  r
大部分的fuse 都燒斷了,但是還是有一些無法燒斷
5 Q+ N6 _0 P/ ~有用顯微鏡看(0.6 um 還可以看啦)
; b; G  M. ^7 c( `7 b5 Y. A發現到燒斷的地方形成一個節球,又短路在一起了+ U! B# l; i! X9 Q5 F( Q
才發現到layout 的形狀也是蠻重要的
. ~  C0 J  W. y, h, R( M# r最好要有轉角(電流集中)! j0 f0 X! `# i6 \( @3 O" h' l: ~
2.fuse 的地方通常會開window
9 {  i  H% S& O6 G! B& O% b......結果......水氣跑進去,原來燒斷的地方又短路了???1 j3 y0 g% U1 M- V4 n* s
目前解決的方法是,封裝前要烘乾一次........
) T$ o% e1 `# U7 n+ T
% B$ M3 H) @+ v3 ~0 h5 D以上是實際的經歷,僅共參考

評分

參與人數 2 +6 收起 理由
skyboy + 3 很有用的經驗, 感謝分享..
mt7344 + 3 Good answer!

查看全部評分

5#
 樓主| 發表於 2007-7-10 21:55:34 | 只看該作者
嗯..感謝兩位大大的經驗分享..4 q8 j0 v: x4 R% q9 F: K8 {4 k( i- v/ }

# U5 ]0 i' u; {" G' H2 ~/ r* ~1 |+ J( }關於 ssejack1 大的建議, 從過往的 WAT 來看這個製程 3V MOS gate oxide 的 break down 電壓大約都在 8V 上下, 雖然 WAT 的 spec low 是只有 6V 啦 (foundry 的 spec 都訂得超級寬...)
% W2 d0 U' V; V# o
2 A" L$ v# ^* Y) Q, l, J! P不過應該還是 ok, 所以我們已經修改測試程式提高 trimming 的 stress, 這幾天應該就會試試看...: c1 f; n* K3 i* m3 j
" {/ n) A. |4 u8 d8 B* g
另外關於 kkk000777 大的經驗, 有個可以分享的是, 我們之前針對沒有燒斷的 die 去做 PFA, 剝到 poly 那層發現就像大大說的一樣, 燒的時候是有熔斷, 不過又"流"回去了 (foundry 的說法) 就又 short 了, 而第一次沒斷要再燒就很難斷了 (應是因為阻抗變大, 同樣外加電壓下的電流就又更小了)...
9 w- |8 A+ j" s" h( F8 l- M; W4 ]
不過 foundry 的人說, 我們的 poly fuse 被 power ring 蓋住, 是造成 poly 燒完又搭回去的主因, 建議改光罩, 關於這點不知各位看法如何? 我是覺得不太能說服我, 就算我上面沒有 metal 蓋住, 也是有其他的 field oxide 以及 passivation 蓋住, 應該也有一樣的問題不是嗎??# F' R! }! E3 h8 [' X6 ]+ r& S0 r
: E. N7 q  m( }8 P
另外我再衍生兩個問題 (我問題真多.. ), l; j  d% k& x) q* A
1st. poly fuse 與 metal fuse 有孰優孰劣 (可靠度) 的分別嗎?? 上次有個 foundry 的人跟我們說, poly fuse 的良率是很低的..(??) 因為我們使用這個東西的經驗並不是很多, 一開始就是用 poly fuse..目前有新產品在進行, 應該也會放入 trimming 的機制, 想了解一下業界在使用 fuse 上的一些習慣..+ k8 u2 s; \0 \
& ?: M6 @! x1 N$ Y
2nd. metal fuse 除了面積較大外, 因為他燒斷時是"爆開"的, 會不會有 short 到另外的 pad 的問題?? 還有就是大大提到的水氣, 是否要考慮 package 品質導致日久也是會有水氣跑進去導致 short 造成的一些誤動作??  假如終端應用上是單價較高或環境較嚴苛的產品, 需不需要考慮這個問題??

評分

參與人數 3Chipcoin +5 +3 收起 理由
mt7344 + 3 大大感謝啦!
sjhor + 2 感謝經驗分享!
chip123 + 3 不怕問題多!怕的是沒人討論?論壇吶!

查看全部評分

6#
發表於 2007-7-12 20:40:26 | 只看該作者
1.關於poly fuse 的方面,其實我們公司已經放棄此做法7 Q5 [, \, \/ k3 }8 }
   由於不是直接使用pad dirver , 是built-in buffer(nmos)
! o9 m4 n$ q) z1 n   算起來還真的是不划算說,由於並沒有量產所以良率並不是很準確
1 y$ ]- k+ e& a" i( C0 Y   但是工程樣品的數據大約 80% .
. U" M" o3 b; Y% E
: x9 Q+ i# t* {4 g2.metal fuse 的方面,目前的測試數據還算不錯,隨便都燒的斷2 v% r+ U9 X& Q: z' C
   不過要注意layout , 多個轉角比較容易燒斷,也不容易熔回去. _" U$ `- U  c- k1 U) J3 I7 d

$ e! [3 y& _3 ^+ O$ S3.關於開window 的部分,也不知道是誰建議的(好像是fab. 的人)
& H2 [% |# m# `, Q# q   水氣就是會累積啊,真是XXX,害我drc 跑個半死....5 `8 I/ Y" ^) K5 V

+ }+ {% k+ m3 V' G) @4.其實我看過atmel ir demodulator fuse 的做法,提出來僅供參考. @, P1 Z# H  X7 m5 R5 Q/ @5 F
   它也是使用metal fuse ,也有開window ,但是.......3 V- \. f2 b; u1 U' {4 l: l# E
   它是pad direct driver , 居然把fuse pad 擺到切割道上,還比一般的
! z2 c- G; @6 P& K. E8 R# m6 B   pad (90X90)還小,(70X70)啦,(測試針頭可以容許較小的誤差),. v3 J! X3 h0 x
   面積當然省啦.....  e  i( F& f: U$ S
   由於不會受限於buffer ,所以metal fuse 阻抗可以大一點,就是可以
# p9 N( m+ g8 O( f   長一點啦,yield 當然好啊 ,像我們跟fab. 沒有那麼深厚的交情,不給+ R+ E/ G. t2 g, V5 P7 {
   我們這樣做, 真是差很多說.......可以試著凹凹看....

評分

參與人數 5感謝 +2 Chipcoin +5 +11 收起 理由
sam7186 + 2 感謝經驗分享
ssejack1 + 5 感謝經驗分享
skyboy + 3 實用的經驗分享, 可以嘗試..
mt7344 + 3 大大感謝啦!
sjhor + 5 感謝經驗分享!

查看全部評分

7#
發表於 2007-7-16 17:57:12 | 只看該作者
以前接觸memory時有使用poly fuse,修補率都有95%以上,影響修補率有許多因素,laser machine setting, fuse layout的條件都會影響,我這裡有一份Excel file有針對輸入不同條件如何選spot size與energy,focus以達最大修補率, 可發email跟我要

評分

參與人數 2 +8 收起 理由
wpwang + 5 人人為我,我為人人!
mt7344 + 3 學到不少!

查看全部評分

8#
發表於 2007-8-1 21:47:47 | 只看該作者
請問 poly or metal fuse 與 靠 MOS gate oxide breakdown 的 OTP 比較, 優缺點是哪些?/ q8 J" Z/ \8 e* p2 c/ Y. [) R& D8 c
Thanks.
9#
 樓主| 發表於 2007-8-3 14:12:36 | 只看該作者
原帖由 kkk000777 於 2007-7-12 08:40 PM 發表
% S# ^% H7 I" a0 O9 k6 F/ j4.其實我看過atmel ir demodulator fuse 的做法,提出來僅供參考, |* T+ F& N1 \* x7 G, u
   它也是使用metal fuse ,也有開window ,但是.......
# M6 V2 G6 G& }- e# @# P5 \1 K   它是pad direct driver , 居然把fuse pad 擺到切割道上,還比一般的# [7 [8 R% `! u
   pad (90X90)還小,(70X70)啦,(測試針頭可以容許較小的誤差),
  y" W, m" g) R& ]7 O   面積當然省啦.....
1 }# b. h( H+ F' E- K   由於不會受限於buffer ,所以metal fuse 阻抗可以大一點,就是可以
# ^/ ?5 j0 v$ k- p5 v, {2 h& o7 N   長一點啦,yield 當然好啊 ,像我們跟fab. 沒有那麼深厚的交情,不給
7 K7 n+ |* [' i' e: Y   我們這樣做, 真是差很多說.......可以試著凹凹看...6 T! Y; ~3 {( U2 y; W8 D

7 p, k. a4 z/ l- i) c' [" ~
, @& v0 o( g$ W! k看到 kk 大的回應才想到好像之前忘記聽誰提到過有這樣的 "偷雞" 法...' X' L+ E' Z1 `
嗯...如果是這樣確實可以節省很多面積, 用 metal fuse 的話也不用擔心
6 U* O0 i( i4 D& [% I2 }5 Y水氣累積的問題 (D/S 後 trim pad 都被切掉了..): N" h: G+ T* J/ |6 P' U
' A. [' @% b! Y0 q, y$ W, G
不過 ATMEL 應該有他們自己的 foundry, 自己想怎麼搞都行...
: E: N7 e7 w+ M8 e4 T手邊正好有個新 project 在進行, 看來是考驗我們跟 foundry 交情的時候了...' g) v1 S# o) v$ G
呵呵... 9 w" L; A# |' G
8 |3 ?3 L4 C0 R+ F! c* e  T0 {0 O/ }
順便 update 一下情報, 後來我把 trimming stress 提高後 trim fail 的數目( C  w: \: W0 o8 ~  Z' Q
就減少許多了, 不過因為只測了一兩批, 這個部份還會持續 monitor...
10#
發表於 2007-8-10 11:51:15 | 只看該作者
請問 各位高手 4 n0 V# e8 ~7 z8 @. ~: f
   是否有人試過 trimming pad 與正常pad 共用?  方法是什麼? 有哪一下注意事項?
! X$ e* ?, l& j. \, M. s6 {謝謝
11#
 樓主| 發表於 2007-8-17 18:04:56 | 只看該作者
原帖由 wpwang 於 2007-8-10 11:51 AM 發表
/ o7 u, I+ g- h) n. w& G請問 各位高手 2 B  n' b7 H% j5 R$ d& C3 M* v- o
   是否有人試過 trimming pad 與正常pad 共用?  方法是什麼? 有哪一下注意事項?) t+ b5 i9 ?# Z" ]' `& q
謝謝
; e& v0 i: u5 G, ^

9 M8 \- F# ~; w8 u您的共用是指用一般的 I/O Pad 來當成 trimming pad 嗎?? 還是說一個 pad 可以跑信號: `0 q8 u5 Q0 @" x+ Z
又可以用來 trim fuse??
4 a8 t" ]4 ^4 q  M' X0 |; c$ p; V  r9 V4 H
如果是後者應該是不行的吧....9 k: \3 L/ u: ?% V
如果是前者應該也是不行, 因為一般 I/O pad 上會有 ESD 電阻, 會限制你 trimming 時的* ^- Q2 P- [+ f! @
電流, 所以一般大概都是另外畫一個 pad 給 trim 的 function 用...' i4 ^% _, q, o$ t# x7 h, E% C
3 G& }. B% u9 s) d1 r  M$ T
不知道是否有回答您的問題.......

評分

參與人數 1 +4 收起 理由
wpwang + 4 學到不少!

查看全部評分

12#
發表於 2007-8-22 13:04:35 | 只看該作者
有一問題請教,一般 metal/poly fuse (漏斗型橋接)的 trimming 效率以常理推論 , V/I source 只要題供的能量足夠,均可以燒斷!8 D+ A/ [6 b5 b4 C& v
最近有個 case 是 metal fuse , fuse 欲燒斷之橋接處呈 30~45 度橋接; 此形狀的 fuse 在trim 時電壓不能過高 ( typical 2.5V) 如超出個 200/300 mV 會造成trim完後又熔接的現像!!!..........真是無言.....
+ G8 C8 D. Q0 Y( q不知那位好心的大大可以幫忙分析一下可能的原因?
( G, |2 n; a. k% D" p先感謝啦!
13#
發表於 2009-3-6 22:17:43 | 只看該作者
不曉得您是不是問這個問題
' ?+ }) K& I+ Z% p$ ]& q, i; X1 t% e% \# q0 ~. d* S: A2 K
我們家有的產品 trim pad 是可以 bonding 出來的, ]: q9 s! ]/ V! q. f) ?" y
" y9 f: Q3 E0 R* q
也就是 bond pad 與 trim pad 是共用的
! [% _7 F$ B  t1 c0 ~+ Z" S. Y8 b0 J! P4 N# j* S
[ 本帖最後由 redkerri 於 2009-3-6 10:20 PM 編輯 ]
14#
發表於 2009-3-10 21:27:17 | 只看該作者
CP 時請測試廠用氣吹一下正在trimming die,應該有幫助良率上升(要有開窗的poly fuse),
5 z3 D! Y) F: b) H! e/ E還有其偵測電路也是一個問題,因poly fuse,trimming 之後,可能呈open有可能呈高阻,且高阻trimming 多次也無用.
15#
發表於 2014-1-10 10:34:57 | 只看該作者
回復 3# ssejack1 ) u9 U8 X( u2 R- D/ e
5 R$ Q* {' n% }# _5 A- ^- e9 j! N

6 C. l0 H: X) }# u0 A* T    幫助不小, 謝謝!!
16#
發表於 2014-1-10 10:37:09 | 只看該作者
回復 4# kkk000777 $ k' r, a5 Y0 j/ y4 h, x
2 Z  P" X9 s' p% t' ?- O) ~

6 d+ f4 L$ n2 x  c" Q! n    封裝前要烘乾一次........很好的資訊, 謝謝!!
17#
發表於 2022-11-1 16:12:28 | 只看該作者
谢谢,学习了!!!!!!!!!!!!!
18#
發表於 2023-11-3 01:55:53 | 只看該作者
kkk000777 發表於 2007-7-8 11:07 PM4 S0 T! A% ^& f
poly fuse ...
3 l, H$ J5 P3 v# \% p  B  G5 |我看到的fuse 很少有用poly fuse
. ]% x1 L: ?' Y7 g4 J# h# n通常是用metal fuse...
) N  X3 M  V$ J7 O- \* j

: I' O0 Z! Q/ G* D$ X) N% s" a* K  L6 S1 U0 K) R8 v
很有用的經驗, 感謝分享..
. d4 N! N" c3 O5 \! ~5 n: q3 |2 g
19#
發表於 2023-11-3 01:56:26 | 只看該作者
Good question!/ d6 S' }) Y; s3 t& C$ B  N
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-9-27 09:57 PM , Processed in 0.208012 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表