Design For Reliability 的技術槓桿效應，何者最困擾設計人員如你？

amatom

除自動放電功能，TEA1708亦整合500伏定位電路，可在電湧期間保護IC，使元件更加堅固耐用。無需額外的金屬氧化物變阻器 (MOV) 保護TEA1708，對於僅有2個200 kΩ電阻的典型應用，最大差模電湧電壓可超過6 kV。TEA1708突破性的節能效果加上抗電湧的高耐用性，使其成為電源製造商的理想解決方案，以符合新的電源規範要求，例如今年初由歐盟委員會推出的第五版外部電源供應器 (ESP) 操作規範 (CoC) 以及修訂版ErP Lot 6。  
: f# Q% ^  G7 G: {* V2 d5 @, ^
2 r/ k& c: X" R% S! c恩智浦半導體電源解決方案產品線總經理Marcel van Roosmalen表示：「由於世界各地的管理單位希望降低能源相關產品對環境的影響，電源製造商正面臨在低負載和空載下對待機功耗嚴苛要求的挑戰。所以每一毫瓦的能耗節省都至關重要，僅有1 mW功耗的TEA1708可以作為重要的替代產品，取代利用電阻對X電容進行放電。安全和可靠性對於電源設計同樣十分重要，我們的客戶對於TEA1708的性能感到非常滿意，尤其是在抗高差模電湧電壓以及支援大容量X電容以降低EMI方面。」

5 a$ p1 W2 V/ [* ^" k9 h, [TEA1708主要特性

4 r3 x$ h/ ~/ G) y7 e1 E' Q·         Nemko認證，符合IEC 60950-1標準
! ^: f" t8 w( n: g( G·         在230 V (AC) 下可達成1 mW的超低功耗
·         整合500伏定位電路；無需添加金屬氧化物變阻器以保護IC
+ k9 m6 g3 M  s$ C8 F' V4 j9 B·         可自供電，無需外部偏壓
·         內部放電電流限制在2.3 mA，支援使用大容量X電容器
·         可調節的放電延遲計時器，外接一低壓電容器
' \  @# E. b5 {1 R1 @( B8 ^·         抗超高差模電湧：使用2個200 kΩ電阻，可達6 kV
·         更簡便的應用設計，解決EMI問題同時維持效能水準

  h) O6 k  B0 |% F9 w! j' Q上市時間

7 o( U$ o& ?! e, R, ~6 ?9 ^; L4 STEA1708目前已量產。可提供含一個採用SO8封裝的TEA1708控制器、兩個電阻以及一個低壓電容器的樣板。

ranica

Staff MCU Applications Engineer (EMC Expert)
公      司：A famous IC company
工作地点：上海
. I) d& R; O8 @
6 ^1 t# b9 V4 h! MKey responsibilities/duties:
6 T* K, d1 m. c) [5 n: p+ S9 n1.        Help internal & external customers to solve EMC issues.
2.        Provide technical review to colleagues on hardware design from EMC perspective.
4 W7 [* P' z# T0 {" @: u3.        Work with other hardware engineers to pass CE/FCC certification.
  l; D7 L2 F, q3 v" Z, n6 u) C' d4.        Provide technical trainings for internal and external customers.
5.        Hardware design of MCU (ARM & AVR) application solution.
% d5 }% Z1 u' {( g6 v; e& f% I6.        Generate application notes in both English and Chinese Language.
/ d& |; z" J- J8 @1 w! ?7.        Review technical documents.
- a" E8 V( V- ]  A' {职位要求
Required skills
/ c3 w8 _6 S3 {) k6 l. e* N1.        Excellent EMC knowledge and experience.
2.        Knowledge & experience on CE/FCC certification
3.        Firm hardware design knowledge in both analog & digital field. Experience with MCU is a benefit.
4.        Firm PCB layout knowledge. Familiar with PCB design tools (Altium design)
5.        Must have excellent written English and verbal communication skills.

Language skills:
冘        English fluent - conversation, reading and writing.
Relevant Experience:
冘        10+ yearsˇ experience in EMC hardware design/debug of application development based on MCU.
冘        Experience with customer interaction is a benefit.
! y/ t# h( g, R% p: g% PQualifications
) H9 H+ G7 R: t8 b- e) T' U冘        Bachelor- / Masters-degree in Electrical Engineering, Cybernetic, and Informatics are an absolute requirement.
Natural talents (innate competencies/behavior):  
冘        Customer oriented
. U! D1 u8 I& _0 Q/ Q4 {- A冘        Responsive, courteous
冘        Self-driven
冘        Work well in a team environment

ritaliu0604

EMC lab expert
公      司：A famous European IC company
工作地点：苏州
0 J. `- ^# F+ l8 L8 I2 C4 B/ ~
! I& R0 f3 S- Z+ V: o1 ztasks and responsibility  
reporting to local group manager and AE/EMC-M (technical topics)  
! ~! G8 q8 z+ \* H4 mrepresentation of the EMC-lab to external  
, j4 x* F1 s7 C: mscheduling (personnel and facility ressources)  
estimation of testing efforts according to requests  
cost controlling (MAE, testing orders)  
training of new employees  
+ p, \% H$ N  }/ r1 [/ OPlanning / Request for invest (MAE)  
- p) f. p  F  H6 u6 n( _7 gleadership (technical contents)  
% f5 n. a: ]& B5 Q0 Bcustomer service (ordering, appeals, costs,…)  
responsibility for lab internal processes and safety; definition of necessary actions to fulfill requirements  
responsibility for all test results (output of EMC-lab)
: }1 Z) q  m- R' j( f
Technical skills  
  d. t# E% p" b) }/ hEvaluation of equipment according to international standards  
6 q; Q  M/ Z) s& {Release of technical documents  
5 u8 y9 D( X* _3 M7 fConsultant regarding standards and customer specifications  
networking with RB-internal and external EMC-labs  
& @1 q, c4 l7 Onetworking with national accreditation bodies  
  
; ?- N, R- w$ b6 ?3 Doverall knowledge and skills  
- a3 @5 B( Y& hEngineering know-how in electronics and communication technologies or RF-technology  
min. 3 years experience in EMC lab  
3 W) ?) Z. P* N5 c2 e0 `. Qgood command of English  
compentence in leadership  
  
' w4 [9 k3 m2 G/ m- ?8 _( h) Ylevel of education  
studies (electronics or similar) at a university; min. bachelor degree

innoing123

英飛凌全新 TVS 二極體提升高速資料介面受 ESD 衝擊之防護，實現纖薄輕巧的可攜式電子裝置           

【2013 年 2 月 26 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司推出新瞬態電壓抑制器 (TVS) 產品系列，可保護電子系統的高速介面不受靜電放電 (ESD) 的衝擊。ESD105 系列採微小型整合式封裝，讓英飛凌的低電容二極體系列陣容更加完整，因而可實現更輕巧、速度更快、更穩定耐用的行動裝置。
- D% L3 ~* t% Q% F, h/ {9 e, v. H
. U4 V0 e  T% u' qESD105 系列針對桌上型電腦、電視機與可攜式電子產品所使用的 USB 3.0、Gbit 乙太網路、防火牆和 HDMI 連結等高速資料介面所需的 TVS 所設計，這些介面端口設置在裝置側邊，因此對於 ESD 特別敏感，光是手指稍微碰觸，就會因靜電產生電流，放電產生的能量足以損壞設備，甚至造成無法使用。這點不僅為使用者帶來困擾，對製造商而言，也可能因為產品召回、後續的品牌形象問題，帶來高昂的成本。

因此，相關訊號線路更需要講求最健全的保護機制，加上最精巧的封裝尺寸，和最低的裝置電容。ESD105 TVS 二極體（單一線路）擁有極低的箝制電壓（接觸放電8kV 時為 10V）和超低電容 (C = 0.3pF)，確保工程師能滿足最新一代智慧型手機和平板電腦所採用高速介面最嚴格的需求，提供所需的 ESD 耐用性和訊號品質。
6 e8 Z( U* d' Z8 l( b
3 I. H0 ^5 r: N6 O+ u" G% J行動裝置不斷升級，變得更纖薄、重量更輕，且資料傳輸更快速，使用者的使用舒適度固然因此提高，但也導致設計人員在耐用性、訊號品質與電池壽命方面遭遇了其他嚴峻的技術限制。全新系列超越 IEC61000-4-2 的保護規格，提供 2 針腳封裝（0201 和 0402）。漏電流低於 20nA，大幅延長了系統電池的續航力。專屬電路布局可簡化 PCB布局，減少寄生效應。

innoing123

積體電路 (IC) 體積持續縮小，促使效能的提升，同時也提高了 IC 對於 ESD 的敏感度。專屬的 ESD 保護裝置亦屬必須，藉此處理 ESD 事件，避免破壞性能量進入 IC 輸入／輸出 (I/O) 並造成損壞。英飛凌提供多樣化經過特殊設計的 TVS 二極體和陣列元件，同時降低了各種電腦及通訊系統應用遭遇 ESD 損害的風險。

/ `; V6 o% @! b- n/ rESD105 系列其他規格
( J: n5 J  O1 z# U& v
ESD105-B1-02ELS（雙向 TVS 二極體，單一線路，TSSLP-2-4 封裝），
& {. U3 O8 r$ h1 B3 EESD105-B1-02EL（雙向 TVS 二極體，單一線路，TSLP-2-20 封裝）：
& F! }+ u, ]: }7 P
·         針對高速訊號應用的絕佳ESD防護規格：
9 P+ X9 x) z5 K/ u0 ^$ N– IEC61000-4-2 (ESD)：≥ ±25 kV（空氣放電／接觸放電）
– IEC61000-4-4 (EFT)：≥ ±2.5 kV / ≥ ±50 A（5/50 毫秒）
– IEC61000-4-5（surge）：±5 A（8/20 微秒）
; Z( k5 @% D0 x8 w
1 e+ I# e6 C0 T5 t( N. s# b·         最大工作電壓：VRWM = ±5.5 V
7 J  u3 Z+ s' o1 t' G·         寄生電容（I/O 至 GND）：CL = 0.3 pF（典型）
·         箝制電壓：VCL = 10V   當接觸放電8kV 時
+ _# _* z' ^  i- Z·         動態電阻：RDYN = 0.36 Ω（典型）
* u  ^$ l# E* D2 G+ d. S·         反向電流：IR = 1nA   當VRWM =  5.5 V （典型）

4 Y- X8 u; H" b, a( l4 ?% T8 h1 Z: wESD105 系列裝置和入門套件目前已開始供應。TSSLP-2-4 和 TSLP-2-20 封裝皆完全符合綠色環保 (RoHS) 和無鹵 (halogen-free) 規範。

# X- O9 M( ~6 M! r! _  c6 \! o2 t為了協助提升系統 ESD 的耐用程度，也提升保護設計的效率，英飛凌提供了完善的 TVS 二極體模擬模型資料庫，以及專業諮詢，幫助客戶選擇正確的保護元件及電路設計。

mister_liu

TE Connectivity的SESD器件協助設計人員解決複雜的 ESD和浪湧保護問題
: r! g6 i( g* u8 I5 ^5 k經過強化的矽ESD器件具有 20kV非接觸放電額定值，在汽車、消費性電子和計算等設計中實現更穩健的保護功能
& p. L0 v* o, f/ s

中國上海－二○一四年三月十八日－ 設計工程師非常瞭解在應付由charged board event (CBE)造成的較嚴重損壞時，所提供符合IEC 61000-4-2標準的靜電放電 (ESD)保護功能可能還不夠。這些極強的浪湧事件具有高峰值電流和快速上升時間的特性，可能會破壞智慧型手機、平板電腦、汽車資訊娛樂設備和其他敏感電子產品的I/O埠。有鑑於此，TE Connectivity旗下的電路保護業務部門推出了全新的矽ESD (SESD)系列器件， 這些器件的空中放電額定值(air discharge rating)為±20kV 和±22kV，遠遠高於IEC 8kV 接觸放電和15kV空中放電標準的要求，可協助設計人員解決由CBE所引起且普遍存在的電路保護問題。

mister_liu

TE電路保護部產品經理Nicole Palma表示：“在與設計工程師一起工作時，我們發現IEC的ESD保護標準沒有真正解決可能導致產品故障的CBE所引起的問題。有鑑於此，我們強化了現有的小型低電容SESD器件產品線，提供20kV及更高的浪湧保護能力。這種更強大的保護能力可以協助製造商提升產品的可靠性，並將返修(field return)的次數減到最少，這正是在競爭激烈的電腦、行動、消費和汽車市場設計時的關鍵性考量因素。”

此新一代的SESD產品同時具有單向和雙向配置，以及1、2和4通道的版本，採用微小型0201和0402尺寸及標準直通(flow-through)封裝。除了提供20kV接觸放電性能，這些器件的浪湧保護能力(4通道陣列為2.2A，1和2通道器件為2.5A)將有助於提供更穩健的性能。
9 t6 J6 U2 F/ a" H# b2 s& t
SESD器件的典型輸入電容在高頻譜下為0.15pF (雙向)和0.30pF (單向)，將有助於滿足HDMI、eSATA和其它高速信號的要求。其低鉗位電壓 (<15V) 則有助於達到快速啟動時間和將能量泄放 (energy let-through)降到最小。此外，SESD器件所具有的極低洩漏電流(50nA)，則可在必須節省能源的應用中用來降低功耗。

  T0 X$ @+ d7 q2 S1 x4 ~型號：
. T" Z$ v* l: B4 K  A* |5 Y單通道：
•        SESD0201X1UN-0030-088 – 單向； 0201尺寸；0.30pF (典型) 輸入Cp；8.8V (典型) VBR
& h) g" h3 I" e$ v4 L•        SESD0201X1BN-0015-096 – 雙向； 0201尺寸；0.15pF (典型) 輸入Cp, 9.6V (典型) VBR
9 L& G- j9 g( j•        SESD0402X1UN-0030-088 – 單向； 0402尺寸；0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR
•        SESD0402X1BN-0015-096 –雙向； 0402尺寸；0.15pF (典型) 輸入Cp, 9.6V (典型) VBR

多通道：
•        SESD0402Q2UG-0030-088 – 單向； 0402尺寸；0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR
5 z& O& J, {! @0 }8 v•        SESD1004Q4UG-0030-088 – 單向； 1004尺寸；0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR
+ h0 }$ K2 C' B; E. g
. n$ O  ]/ r0 w8 h0 k; x+ \價格：按要求提供
供貨：樣品供應中
付運：交貨期為12周

mister_liu

Staff Signal Integrity Engineer

, E& {; a& s, N" U* j, h公      司：one famous IC company
工作地点：上海
6 r. Z  ]9 i% b6 |; _8 h) _+ o/ `
Responsibilities:  
--Work with design team to simulate, analyze and improve signal integrity on system and board.
2 ?$ N1 Y) P$ k1 r" F2 T4 {--Extract s-parameter model with Ansoft HFSS or other related software.

9 d) ], ], I# z" S8 y, |, l2 MQualification:
$ P  v- V5 p; A5 z--Minimum BSEE/MSEE preferred;
. {8 _# G4 Y; y! p. m( o! w--3+ yrs. of experience on signal integrity area;
--Knowledge of semiconductor circuit design and electromagnetic field theory;
--Experience in model extraction with Ansoft HFSS or other related software;
--Experience in signal integrity simulation and analysis on DDR or other multi-loading system.

innoing123

TE電路保護部參與制訂和完善中國國家標準和產業標準
兩項分別關於熱熔斷體和自恢復式小型熔斷器的國家標準和產業標準已經發佈
6 V3 \) [" h" n: j4 z
中國上海－二○一四年八月十一日－TE Connectivity 旗下 TE電路保護部 (TE Circuit Protection)參與制訂和完善了兩項新標準，它們分別是中國國家標準《GB 9816.1 - 2013熱熔斷體  第一部分：要求和應用導則》，以及中國機械產業標準《JB/T 11627 - 2013自恢復式小型熔斷器》。TE電路保護部參與制訂和完善了這兩項新標準，中國電器科學研究院有限公司等單位也參與了它們的起草和制訂。

% @) x/ p) }% c9 u) L- i& a! K& w  X其中，《GB 9816.1 - 2013熱熔斷體  第一部分：要求和應用導則》已經由中國國家品質監督檢驗檢疫總局、中國國家標準化管理委員會於2013年12月31日發佈，並預計將於2015年7月13日實施。本標準將會取代GB 9816 - 2008，除了一些格式上的更改，新標準也補充了“熱熔斷體的分類、標誌、機械要求、電器要求、溫度試驗、防銹的技術要求”等內容，適用於額定電壓不超過交直流690V，額定電流不超過63A的熱熔斷體。本標準適用於室內環境下使用的電器、電子設備及類似的元件，包括掌上型和可攜式設備等。但如果熱熔斷體所處環境的氣候和其他條件與本標準規定的類似，則也適用於非室內條件下工作的熱熔斷體。

innoing123

《JB/T 11627 - 2013自恢復式小型熔斷器》屬於中國機械產業標準，已經由中國工業和資訊化部於2013年12月31日發佈，並且於2014年7月1日開始實施。本標準規定了自恢復式小型熔斷器的尺寸和端子、電氣要求、試驗方法的技術要求，適用於額定電壓不超過600 V、保持電流不超過30A、由聚合物正溫度係數材料(PPTC)構成的自恢復小型熔斷器。此類熔斷器主要用於過流保護，在某些應用場合可以兼具過溫保護的作用，但不適合替代具有分斷電路電流能力的含有可熔體結構之小型熔斷器。自恢復式小型熔斷器可應用於電池、開關電源、手機、USB介面、以及照明器材等產品。
  Y0 i! O. i7 y5 Y$ c5 ~1 Q; }
TE電路保護部高級研發經理劉建勇博士指出： “近年來，包括可攜式和消費性電子等電子電器設備正朝著體積越來越小型化、功能越來越多樣化的方向發展，對於熱熔斷體和自恢復式小型熔斷器等電路保護器件的要求也隨之水漲船高。TE電路保護部致力於滿足客戶的各種需求，藉著參與制訂和完善這些標準並使電路保護產品的發展更加規範化，TE電路保護器件可為各種電子產品和應用提供更可靠的保護。”
  d% M/ T# W/ b; v% l" t5 ]
7 d1 f; V/ B$ T* J5 O TE電路保護部應用工程經理董湧先生進一步表示：“隨著電路保護技術的發展，需要從器件的設計、製造、測試和試驗等環節進一步規範其尺寸、電氣性能要求、試驗方法和使用環境條件等因素。作為全球領先的電路保護專家，TE電路保護部在過去多年來一直都在引領熱熔斷體(保險絲) 和可復位器件技術的發展，擁有最先進的技術和最廣泛的產品線，參與制訂和完善這兩個新標準即是TE電路保護部技術領先的佐證。”