e-fuse?

fashion100

The information of eFuse is useful for me ~~~

kivv.zhou

The information of eFuse is useful for me

sam7186

回復 2# finster

; ?, Q0 p6 j1 [7 D% P; S
. k5 ^8 a8 W$ S    感謝分享,最近剛接觸收益良多

andy2000a

e Fuse 就是FT TRIM 方式 因為 PACKAGE 後BANDGAP 電壓會飄 6mv (paper)   所以如BANDGAP RFE 要準到 1MV

得如此
% [: ^3 ^" s) v3 }/ S3 M2 I; ]. Q& O
, @! E, T$ W" @) }! o# r4 \3 O9 m一般 使用 POLY FUSE 燒有RISK是萬一第一次沒燒斷變高阻抗就燒不了
METAL FUSE 當EFUSE 是可以 但是  VANGUARD 本身有IP  有提到如果 每次READ 都留電流會慢慢燒EFUSE

一般做法是POWER ON 先READ 後就不再去讀E FUSE 可降低問提
還有 FUSE燒 on  off  impedance 要有資料

VANGUARD 有

cchanglouis

感謝各位無私分享, 請問有無efuse SEM照片可分享.謝謝

& Q2 `1 g, k; j: _1 J$ N/ tLaser fuse 可用高倍率顯微鏡看到..但願還沒看過efuse的..

memcad

回復 11# emcthomas


" m" p" A9 Q4 q; W, v( ?+ ]    OTP工艺太贵了，目前用Poly fuse的多，注意trim电流要大于10mA以上，trim路径上的电阻要够小。

jackrabbit

感謝大大提供e-Fuse的資訊，學習到了！
雖然公司也使用了OTP，但royalty貴的很，還是自己做e-Fuse比較實在 ...
billycsu 發表於 2013-1-24 01:54 PM

# y2 f5 r9 A0 n$ n, x5 @
7 ?" c5 O; u0 E3 Y剛好看到這個討論
e-fuse自己做, 風險很高!! 光是 reliability 就是個問題~
1 |* b; f  t* Y  R大部份的人都認為燒斷之後就是兩端沒接上的意思, no!
8 J) ^( H/ N. s3 E+ g' [" U8 S* D這個"斷"並不是真的就完全開路, 除了可能斷不乾淨之外
還有recovery的問題!
: Q+ X% ]( f5 E8 W* v* F可能chip用了一陣子之後你會發現讀出來的值錯了, 原本斷的fuse又接上了!
這種事只有親身遇過才知道....
% z0 ~4 d! _8 N0 n" }+ ]至於原理可以去查查 failure analysis 的書
: ^' _& [9 U9 [8 [& A) R
前陣子剛好有機會跟某製程廠的IP部門副總聊到這個問題
. z- x" W" w! `' F他也confirm了這點~
他特別強調使用IP一定要在spec上的電壓/時間範圍/sequence下操作, 他們才guarantee
7 l$ }9 P0 [5 X8 J% ~所以為了產品的reliability, 有些錢還是得花....

張宥駿@FB

感謝分享解釋得非常清楚。

AIC6632

多謝大家的詳細解說
4 f; `2 v% M9 P, A: Q  |小弟做test key失敗好幾次
4 f' ?% `' [3 q# _$ l果然沒有ＦＡＢ幫忙
, _) r% c; H4 a1 n& P要花很多時間

zyh

谢谢各位大佬，有用哦~~~~~