e-fuse?

fashion100

The information of eFuse is useful for me ~~~

kivv.zhou

The information of eFuse is useful for me

sam7186

回復 2# finster
% Z6 V& {  K2 p0 B

! R7 M6 b: \/ J# n4 ], b    感謝分享,最近剛接觸收益良多

andy2000a

e Fuse 就是FT TRIM 方式 因為 PACKAGE 後BANDGAP 電壓會飄 6mv (paper)   所以如BANDGAP RFE 要準到 1MV
+ u5 A: E$ e- `6 G: i' P! S
4 [% l. g- X/ g8 a得如此
' q/ k1 i+ O8 D8 r: s4 ]. G8 A
一般 使用 POLY FUSE 燒有RISK是萬一第一次沒燒斷變高阻抗就燒不了
! w- i6 L9 v! k4 C8 D' ?) OMETAL FUSE 當EFUSE 是可以 但是  VANGUARD 本身有IP  有提到如果 每次READ 都留電流會慢慢燒EFUSE
( r0 U" ~# Q* V% x  d
8 G" ~& T$ k4 Z0 n" c一般做法是POWER ON 先READ 後就不再去讀E FUSE 可降低問提
. V# w7 ^/ ^: B) o; ^, [7 u還有 FUSE燒 on  off  impedance 要有資料
" u* L7 h* ~* l: \8 H& ^
VANGUARD 有

cchanglouis

感謝各位無私分享, 請問有無efuse SEM照片可分享.謝謝
% C2 X  C# {) H4 s" S" h- _
9 L* y5 N2 x& ULaser fuse 可用高倍率顯微鏡看到..但願還沒看過efuse的..

memcad

回復 11# emcthomas
# G/ }  [$ ?; x" J4 i0 U5 F. l
8 }& N: l/ s1 ^" }: p: X, M" h. J
; @% c- W9 t7 g! T. o    OTP工艺太贵了，目前用Poly fuse的多，注意trim电流要大于10mA以上，trim路径上的电阻要够小。

jackrabbit

感謝大大提供e-Fuse的資訊，學習到了！
雖然公司也使用了OTP，但royalty貴的很，還是自己做e-Fuse比較實在 ...
, l4 z, R# B3 S6 L3 ?1 c; F* gbillycsu 發表於 2013-1-24 01:54 PM

; ]6 g: c0 A. q! _
# @/ Q, x0 d) |& [8 k2 M9 z剛好看到這個討論
0 |. a6 b5 R) O. e* ye-fuse自己做, 風險很高!! 光是 reliability 就是個問題~
大部份的人都認為燒斷之後就是兩端沒接上的意思, no!
" [- t) \* G& P, x- N這個"斷"並不是真的就完全開路, 除了可能斷不乾淨之外
還有recovery的問題!
可能chip用了一陣子之後你會發現讀出來的值錯了, 原本斷的fuse又接上了!
8 ]) y% y8 \/ k% |這種事只有親身遇過才知道....
至於原理可以去查查 failure analysis 的書
# |! G3 _" V0 N4 A5 B
1 h* i% k; ?  x. z' J前陣子剛好有機會跟某製程廠的IP部門副總聊到這個問題
他也confirm了這點~
他特別強調使用IP一定要在spec上的電壓/時間範圍/sequence下操作, 他們才guarantee
$ e( `3 ~+ Z/ y所以為了產品的reliability, 有些錢還是得花....

張宥駿@FB

感謝分享解釋得非常清楚。

AIC6632

多謝大家的詳細解說
3 R7 ~: c$ G1 u* n小弟做test key失敗好幾次
& k; G8 I* C9 E  w7 g) X果然沒有ＦＡＢ幫忙
要花很多時間

zyh

谢谢各位大佬，有用哦~~~~~