e-fuse?

fashion100

The information of eFuse is useful for me ~~~

kivv.zhou

The information of eFuse is useful for me

sam7186

回復 2# finster

4 K1 f+ |  E# d6 u0 W: Q7 O! @
    感謝分享,最近剛接觸收益良多

andy2000a

e Fuse 就是FT TRIM 方式 因為 PACKAGE 後BANDGAP 電壓會飄 6mv (paper)   所以如BANDGAP RFE 要準到 1MV

# @8 g0 R0 G% i5 _- o' L( u# [3 v得如此

一般 使用 POLY FUSE 燒有RISK是萬一第一次沒燒斷變高阻抗就燒不了
& e* f- ]  G& w& NMETAL FUSE 當EFUSE 是可以 但是  VANGUARD 本身有IP  有提到如果 每次READ 都留電流會慢慢燒EFUSE
9 b' r. f: J. ~. p0 b9 n* z
- k5 v- h3 t. I& ^  K一般做法是POWER ON 先READ 後就不再去讀E FUSE 可降低問提
2 F/ ]! |7 m$ N4 P7 [( i3 k! M還有 FUSE燒 on  off  impedance 要有資料
5 T4 W3 k8 p6 }$ V' f3 H* O
VANGUARD 有

cchanglouis

感謝各位無私分享, 請問有無efuse SEM照片可分享.謝謝

; {" ~) c7 O/ z% hLaser fuse 可用高倍率顯微鏡看到..但願還沒看過efuse的..

memcad

回復 11# emcthomas

+ U% h4 z( V! E) f% L0 e
' \' t5 O; n/ p* n+ j; ^: L9 ^    OTP工艺太贵了，目前用Poly fuse的多，注意trim电流要大于10mA以上，trim路径上的电阻要够小。

jackrabbit

感謝大大提供e-Fuse的資訊，學習到了！
雖然公司也使用了OTP，但royalty貴的很，還是自己做e-Fuse比較實在 ...
5 d3 u6 c) w1 Hbillycsu 發表於 2013-1-24 01:54 PM

# \3 J  C1 J% H% s
剛好看到這個討論
e-fuse自己做, 風險很高!! 光是 reliability 就是個問題~
大部份的人都認為燒斷之後就是兩端沒接上的意思, no!
這個"斷"並不是真的就完全開路, 除了可能斷不乾淨之外
還有recovery的問題!
$ M6 c9 Q8 U3 G可能chip用了一陣子之後你會發現讀出來的值錯了, 原本斷的fuse又接上了!
9 \( ~) A: q$ D1 |$ _6 T/ d這種事只有親身遇過才知道....
至於原理可以去查查 failure analysis 的書
& q$ M( g* f) M; l
! `! ~" r; E! G8 l. v9 h, v6 D前陣子剛好有機會跟某製程廠的IP部門副總聊到這個問題
他也confirm了這點~
他特別強調使用IP一定要在spec上的電壓/時間範圍/sequence下操作, 他們才guarantee
所以為了產品的reliability, 有些錢還是得花....

張宥駿@FB

感謝分享解釋得非常清楚。

AIC6632

多謝大家的詳細解說
9 V, h! N2 I% D2 J2 f  N$ a+ g0 G小弟做test key失敗好幾次
果然沒有ＦＡＢ幫忙
% H( E  F& a  G& k% f7 p要花很多時間

zyh

谢谢各位大佬，有用哦~~~~~