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主要規格# S4 ~6 E0 o5 I
; s2 T/ y1 G3 h/ X& f3 {, U" S/ J0 p• 低導通電阻:18.4mΩ
% i: h5 b* h% s2 o1 |3 ^5 g; N• 低工作電壓:0.75V
$ g; y5 J+ Z: a, E/ ]8 v• 低待機電流:0.6UA[4]
$ a, r. m3 b) g/ V. S6 g! t$ o• 反向電流阻隔電路 ; l$ R0 x0 t4 z* V% l
• 超小型封裝:WCSP4C(0.9mm x 0.9mm, 厚度:0.5mm)
5 W( x4 _: Q2 \* @4 X9 z( s! O• 多種功能選擇(浪湧電流限制、自動放電等) ' V! E+ c/ D. Z5 l
- d6 I+ X5 v' w( T
注
8 a3 z7 B4 C* N+ y6 `: S[1] 當輸出引腳電壓大於輸入引腳電壓時,阻止電流流入輸入引腳的電路。
& X3 f9 } B& h* Y' h[2] 輸入電壓為0.75V、輸出電流為-1.5A、室溫條件下的典型樣品值。7 l1 |. h( E* f) s0 c
[3] 自2013年9月30日起推出的1x1mm以下的矽半導體CMOS積體電路設備。東芝調查。9 _/ a+ l# L3 {( \2 a8 C, C& Y
[4] 待機時輸入電壓為3.6V、室溫條件下的典型樣品值。 |
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