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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。. e& h6 p- v' c+ Y5 G+ L7 ~/ v P
; B( H! ^7 ?; y東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
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四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。" `1 i$ K+ C* J {
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展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。
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- Y7 i$ a# A9 g* gFab 5概況
g9 K7 J u! ~% [3 @) d/ c' ^" ]9 q大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層- \0 L' G% o4 l$ g8 G+ f5 q- s4 ?2 v
地上建築面積: 約38,000m2
8 c9 u7 Y% c7 Y/ M$ ~8 J4 w% Q總建築面積: 約187,000m2
1 Y. g$ R8 V+ }2 P% [+ r$ e開工時間: 一期:2010年7月 + ~0 C! z; F7 S5 {! A- z
二期:2013年8月 . J; F6 p( t) n: T* S D9 t
完工時間: 一期:2011年5月
, x+ b% a A8 ~$ e" B' q2 w二期:2014年夏(目標)
0 [) Z# G6 ^, W& O投產時間: 一期:2011年7月 % s- Q- W: }. W! T7 y. y9 q0 X/ g% b
二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型; U' w2 Q% d9 `4 t" J+ N+ Z
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四日市業務部概況 4 ^# Q! G- x# ^4 c
位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
4 g% G. R* _- @5 V# W成立時間: 1992年1月
; ^2 \5 g" B# b9 c4 z( l總經理: Tomoharu Watanabe 6 L$ l+ z5 @& ]& [' L* ~
員工數量: 約5,200名 & J& S6 ?$ F/ Y
(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量)
0 d) _, |) Y1 t/ [8 {場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5)
_: n/ L+ i8 L5 Y; W9 f總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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