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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。
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2 L' [3 O' ]* A東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
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0 g( _8 f* l: \8 U四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
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展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。
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Fab 5概況
4 J8 y" G4 v; L/ {1 n6 ?0 i O大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
) O, E. @( \7 K8 d2 g9 l地上建築面積: 約38,000m2 + Z/ Y8 s* c9 x& r) |5 a
總建築面積: 約187,000m2 % D1 @% l( G% U
開工時間: 一期:2010年7月
5 T! y* |/ z# O+ x$ Q二期:2013年8月
7 Z l2 p0 \ k+ R% O$ g* U2 x6 l完工時間: 一期:2011年5月 - j& A! r1 M, |
二期:2014年夏(目標)" X+ n0 U- P5 k# t3 ~
投產時間: 一期:2011年7月
" H' o0 m) p/ T1 {' E二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型6 s1 c! v$ r* m
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四日市業務部概況 / |. e3 C) D. \
位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
. B! O# z3 l/ ]$ L: j! d) ~! Y成立時間: 1992年1月 2 ^# }" {, ^# i1 ]: ? o
總經理: Tomoharu Watanabe
4 m2 G+ x L- X6 e/ e$ A1 S+ c員工數量: 約5,200名
6 ~% Q- C8 u7 L1 s; w5 r(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量)
# e. d$ Y- T |* w場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5) 1 N A- [& W4 ?1 j2 k' ]8 H" l& \
總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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