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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:
, A% h$ [! m, Y# P1 T•汽車點火器用IGBT單管% a: V" ?6 Y& n1 O' V+ w r
針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
( D7 q# B2 l( E•新能源汽車用IGBT晶片及模組
7 G+ `1 R% i2 `% b$ P6 `針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。1 f1 a( j. ~' v x, A7 R& p9 W
二、技術指標; m1 p, `; e6 e; c% w
•汽車點火器用IGBT晶片及單管
9 V. x2 ?/ m G% w主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值. n$ D2 Z8 d; p9 C5 @" u, w
集電極-發射極電壓 VCES 400-600V
$ {: D' d) X2 Z( K W1 s& Q4 J( v. ~集電極直流電流 IC 10-40A
) d" q+ T8 C4 c5 f" G4 M7 K4 A集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V' X7 H% `, T' a6 e$ ^
•新能源汽車用IGBT晶片及模組
6 r: L% S$ b, a- ?2 R1 E主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值
; j. C" H; d3 I7 H- v" [+ K集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V
+ R# ]2 E& e+ a6 W集電極直流電流 IC 100A 800A; { a( y) q2 Y8 r F/ l1 V4 \% ^
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
5 v+ J4 F! ^9 `$ P3 r) V三、經濟指標
9 U- C2 L* e' a. Q- D•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
* L y6 Q6 J; P2 v•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。1 @. F/ v- ?! g- z# {8 A6 T+ z
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- F! O2 z# A. |8 E, x A
* V2 H2 \" C1 _1 p) ~( A$ A
合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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