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2000萬元RMB尋求 IGBT晶片的研發
公司以具有自主智慧財產權的IGBT晶片設計技術、製造工藝技術和檢測技術為核心依託,委託協力廠商生產製造IGBT晶片,新增設備,達到IGBT晶片量產規模,實現IGBT晶片的商業化產業化生產。通過收集與專案有關的國內外資料和使用者資訊,按專案研究目標和內容進行設計—研製生產—驗證—優化設計—性能指標測試資料分析—設計定型—小批量生產—批量生產來實現一系列專案產品的產業化開發。同時,在本項目領域,開發出具有自主智慧財產權、符合新時期使用者需求的IGBT晶片產品,並逐步推廣應用。
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產品主要技術指標:9 S+ H7 b/ J" g, P! f
1. VCE(on) 集電極發射極間通態壓降 最小1.54V ,最大1.96V 2 s. u2 S& {0 _* G( q. b
2. V(BR)CES 集電極發射極間擊穿電壓 最小1200V
1 l5 A1 L7 d% z ]3. VGE(th) 門極開啟閥值電壓 最小4.4V,最大6.0V, C7 |2 ^. L$ W5 m5 ?; U
4. ICES 集電極發射極間漏電流 最大10uA
I3 a# ?0 M& T9 i& X( x8 _% F5. IGES 門極發射極間漏電流 最大±1.1uA
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合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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