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2000萬元RMB尋求 IGBT晶片的研發
公司以具有自主智慧財產權的IGBT晶片設計技術、製造工藝技術和檢測技術為核心依託,委託協力廠商生產製造IGBT晶片,新增設備,達到IGBT晶片量產規模,實現IGBT晶片的商業化產業化生產。通過收集與專案有關的國內外資料和使用者資訊,按專案研究目標和內容進行設計—研製生產—驗證—優化設計—性能指標測試資料分析—設計定型—小批量生產—批量生產來實現一系列專案產品的產業化開發。同時,在本項目領域,開發出具有自主智慧財產權、符合新時期使用者需求的IGBT晶片產品,並逐步推廣應用。: J9 H, s* }$ }; n2 S$ f
; c7 F" D! h3 k7 E& I/ b產品主要技術指標:9 [. c. Y( G" W
1. VCE(on) 集電極發射極間通態壓降 最小1.54V ,最大1.96V
/ ?: o. ]: t9 a: P9 o$ I2. V(BR)CES 集電極發射極間擊穿電壓 最小1200V0 B- i7 \0 ?+ O9 W
3. VGE(th) 門極開啟閥值電壓 最小4.4V,最大6.0V# M/ W% c9 A' P) h$ ]' ?
4. ICES 集電極發射極間漏電流 最大10uA
: f+ [5 e [2 S- {/ l: y0 Z1 ^5. IGES 門極發射極間漏電流 最大±1.1uA" u0 C- o, H+ j4 w3 Z% K, c X
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5 `$ `/ z* l$ t* M7 `2 A; X) L9 h合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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