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樓主: tommy01
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[問題求助] 請問大家這兩張圖哪一張較好

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21#
發表於 2012-3-14 01:34:22 | 只看該作者
左右感覺都不錯耶....
! C9 z7 q* ^9 l8 c* j7 G感謝11樓的圖
22#
發表於 2012-3-14 17:31:37 | 只看該作者
這兩種平常都有畫到,感覺不出有什麼差別...
& ?9 G' B+ @0 q8 b通常都是以接線方便做選擇.... ...
# Z$ Y0 R% a1 M8 D+ [. s0 h# Yvic 發表於 2012-2-3 07:31 PM
/ Q% j) X4 Y$ q: E5 A) m  W, s
3 R% v, q5 W. z
9 U7 v* R; p2 G" V
我同意VIC的說話!要看你當下做的佈局各種因素來考量! 不見得右圖會不好!
23#
發表於 2012-3-26 14:34:51 | 只看該作者
感謝分享!!~加油~加油!感謝分享!!~加油~加油!
24#
發表於 2012-4-13 10:58:41 | 只看該作者
个人不会用右边的画法,至少感觉别扭= =
25#
發表於 2012-4-16 10:02:13 | 只看該作者
+1我也認為沒差,因這二張圖VIA 都是打滿的,因METAL1 阻值很小,所以電流跑的速度很快,理論上會等效平均流過Drain端,但是GATE length 過大或是高壓製程 ,就說不定了.: X7 S' v0 K1 H, ?7 S+ l
; j* C0 m- {, m! s! o
一般LV MOS 都還好ㄌ
26#
發表於 2012-5-2 08:45:54 | 只看該作者
雖然左邊感覺好點  電流較均勻 可是覺得沒多大差別
27#
發表於 2012-5-8 10:30:26 | 只看該作者
不會差太多,重點CONT 是都有打到滿!
28#
發表於 2012-5-12 21:30:12 | 只看該作者
看你之後的線路!!在看你要選擇哪一個?
29#
發表於 2012-5-18 04:10:29 | 只看該作者
如果有理論基礎作佐證,會更有說服力。
30#
發表於 2012-9-3 17:22:53 | 只看該作者
左边会好点吧,电流均匀啊
31#
發表於 2012-9-4 11:08:20 | 只看該作者
嗯 ~ 感覺不會差太多.. metal 粗細比較重要..
32#
發表於 2012-9-9 03:25:41 | 只看該作者
學了一課!! 感恩~~~!!
33#
發表於 2012-11-30 02:47:55 | 只看該作者
應該都一樣吧 ; R* y) }, e7 q1 S# p5 S
想法跟17樓的大大一樣
34#
發表於 2012-12-4 14:49:38 | 只看該作者
回復 20# vic
' K% w+ c* t/ o" x1 y
% v1 G5 V& Y1 F6 B
% S- f; q1 B, q3 ]    在數位電路理沒差,在類比電路裡(尤其是driver & ESD)兩張圖都不行
35#
發表於 2013-4-17 16:39:17 | 只看該作者
個人觀點:
1 O& F6 o+ Z6 {0 rLAYOUT的形式,得看用在哪,什麼用途?3 W7 j  R5 N; J4 g: k% i
例如:DRIVER,左右都不行,大的MOS,Source與Drain出線的寬度與方向可能都不對,放在ESD裡,也都不合格。, o7 y+ j4 U8 V5 p/ v, n
一般設計單存看特性而言,似乎右邊比較好,但是若需連接的點在上方,總不能還從下面出線往旁邊走,再往上走吧~沒那吹毛求疵的,若是Design要求,真的得檢討他的設計了。
36#
發表於 2013-6-5 14:45:31 | 只看該作者
感覺是左邊真的Layout 出來的特性會比較好
) Y: e# z" c; Y5 Q/ \% L7 _4 g: T( g0 z/ j! {0 G& ?
但是 希望 你右邊Drain端的 Metal 可以打滿- r9 c8 t* [+ P( t

8 X- L. Z! v+ k* j$ B/ q# _這樣特性應該會比較佳
37#
發表於 2015-8-24 07:59:46 | 只看該作者
我感覺左邊的比較好
7 W0 y$ J8 W8 s& S! n* t  h) Q$ z電流比較會流過
7 r; s: m& t! G# v3 o5 \
38#
發表於 2016-9-14 13:40:42 | 只看該作者
又多了一個知識囉!!!
9 `/ U  U+ ?$ T$ Q/ g謝謝妳無私的分享!!!
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