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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:, g1 x b5 K0 K; Y0 b" b
•汽車點火器用IGBT單管
L" G& p7 I% R針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
8 O. ^ Y; J0 }9 H! C& O$ ^6 X•新能源汽車用IGBT晶片及模組
( O& t0 R' D+ z/ S) L+ U; }1 j針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。
) ]5 T5 n2 R& f: c2 N二、技術指標
/ ?* O1 l% l# K5 X2 @ o! V. c•汽車點火器用IGBT晶片及單管
. x. k$ O4 p7 ]9 D: P5 D主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
- X5 L& h! v; _! W集電極-發射極電壓 VCES 400-600V
5 p+ j4 t& J, t3 `集電極直流電流 IC 10-40A
) l/ k& v/ K+ P2 e" O! b集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V& X& O9 c3 F5 I0 d
•新能源汽車用IGBT晶片及模組" K8 G& @. L. E; V
主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值1 c$ p+ d) Q! O" Z
集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V- H. j- e4 l3 G* b
集電極直流電流 IC 100A 800A4 a9 Y# G( N4 G' f% u
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
0 }7 J7 `2 b# q# i+ v8 t三、經濟指標, V! F. X0 t! p. u- `
•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。. c) y" q' x3 l' h
•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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