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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:
1 j8 j: ?+ g, {/ }•汽車點火器用IGBT單管- D5 A" e8 ~: ]0 K; H6 d. M$ a
針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
' M9 m" Y! O; c- m& I•新能源汽車用IGBT晶片及模組0 ~3 h' [: V9 I! O8 X' ~
針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。1 C G g7 \/ x+ d: y$ ]$ u
二、技術指標. [3 _' H" G6 [, r* U$ w8 B M
•汽車點火器用IGBT晶片及單管
% h/ a5 `+ l9 r5 u主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
3 R5 z& J" E4 P5 `2 A集電極-發射極電壓 VCES 400-600V
/ Y; ^, ]7 u) L% h) u集電極直流電流 IC 10-40A+ V( b0 ~* o0 i, y$ T
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V, e5 j+ ^# x4 n7 y
•新能源汽車用IGBT晶片及模組
! F/ v4 x! ?9 f6 V主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值
5 H0 V) a _2 k+ ` A9 n集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V
" u0 D7 U2 M- F9 @: i$ g: W! B4 e$ |. v集電極直流電流 IC 100A 800A, Q; R- P! z" R% s
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V& J/ H4 z+ J) w1 c
三、經濟指標, T" x# y2 O8 l& t
•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
2 b& D8 l% f2 W2 d9 z•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。$ }0 X3 \- C' \1 L3 j
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8 |0 N( a" W8 r) C: K! Y5 o6 H
3 L- C6 M( y7 Y0 i7 {# q; I2 w合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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