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[問題求助] corner製程參數TT,SF,FS,FF,SS各別意思??

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1#
發表於 2012-6-9 18:56:12 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
板上各位先輩大大好,小弟不才,到現在還不知這五個製程變異參數意思是啥???8 M8 }$ T. e% c: E, z: V- \! _
                                                                                : ]" Q; [, [' J. y
有比較詳細的解釋說明嗎???今天被老闆一問,感覺被問倒了 >"<
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2#
發表於 2012-6-13 02:22:51 | 只看該作者
定義NMOS和PMOS的切換速度 有分三種組態 slow ( 慢 ) tryical (典型) fast (快)( [/ J: M. d# w% a: j5 e
; H, E/ p* `) x8 p/ k
SS,SF,FS,FF,TT 為上面三種組合 前N後P: D; k3 ^5 ]5 U- ^  G

1 C  h% d( B, e. S+ f不知道這樣說明對不對 請前輩指教
3#
發表於 2012-6-26 10:25:27 | 只看該作者
en dot wikipedia dot org/wiki/Process_corners[/url]
4#
發表於 2012-8-9 23:52:23 | 只看該作者
tt ss ff sf  fs  , 前n後p / ]+ }/ D# w3 D
指電晶體可能因為製程偏移 而比較 快(f) 慢(s) 一般(typical)
5#
發表於 2012-9-20 16:58:04 | 只看該作者
工艺角,   s t f  之间一般偏差20%        。。。。。。。。。。
6#
發表於 2012-9-27 07:41:28 | 只看該作者
不是因為製程擺放的位置可能會導致MOS會有不同製程上的變異,所以希望在各種情況都模擬嗎?
7#
發表於 2012-9-27 09:42:23 | 只看該作者
工艺上的误差容限范围。
8#
發表於 2012-10-9 12:47:07 | 只看該作者
学习了呵呵~~~~~~~    !!
9#
發表於 2012-10-24 01:54:46 | 只看該作者
學到先n後p: K. E% T8 N# _
不過對製成的corner效應還不清楚是否有推薦的文章或書籍??
10#
發表於 2012-10-25 07:09:26 | 只看該作者
nmos pmos
$ s$ F+ a$ W' ~* W9 A- e% \/ n, o! E5 C
slow, typical, fast
11#
發表於 2012-12-5 03:17:00 | 只看該作者
先n後p, 在學校拿到的TSMC .lib檔都寫得很清楚.! H. K( X' A: }( J" x+ ?8 Q  Q

1 Y6 P$ N1 n" s8 l2 t  FThe art of analog layout,
/ K8 I) E4 b' ^5 N, nSemiconductor Devices: Physics and Technology,
. D3 Y6 m6 C% M1 v" y至於書籍, 左岸某大論壇或google大神都會有意想不到的收穫...
12#
發表於 2013-4-8 22:41:31 | 只看該作者
受益良多 感謝各位大大
13#
發表於 2013-7-17 20:21:44 | 只看該作者
typical-typical (TT)
# c" A$ m3 d# b- V( h" T) E; [fast-fast (FF)# x6 K+ K5 \) G# @! {+ i
slow-slow (SS)
( x: n2 P0 y; ?fast-slow (FS)
8 `: `2 @' h2 L  E# U1 e! ?slow-fast (SF)
14#
發表於 2022-8-15 12:44:40 | 只看該作者
受益良多 感謝各位大大
; }, m/ z, a  O/ R: M
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