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FDMF6708N採用PQFN 6x6mm2 封裝,與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A)效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。該元件適用於要求開關頻率在600KHz – 1.0MHz,輸入電壓高達20V的應用。可讓設計人員使用更小、更薄的電感和電容,縮小解決方案的尺寸,同時滿足散熱要求。FDMF6708N元件能夠幫助設計人員應付設計挑戰,設計出更炫酷、更薄,而且具有更高效率的Ultrabook™產品。
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特性和優勢
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• 超過1.0MHz的開關頻率,能夠縮小解決方案的整體尺寸,節省了50%的線路板空間,並且通過降低電感高度,實現更薄的系統。
2 T: j' U0 M! ?* m1 x- h• 零交越檢測(ZCD)電路改善輕負載性能
L$ u, N% H5 a7 A8 e% \: U$ L• PQFN 6x6mm2 Intel® DrMOS v4.0標準占位面積、多源極解決方案多晶片模組(MCM)
! Q& q% Z7 A5 C" H' [• 與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A) 效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。(19Vin, 1Vout, 800KHz),帶來更長的電池壽命。
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快捷半導體Generation II XS DrMOS系列元件提供領先業界的技術,以應對現今電子設計所遇到的效率和外形尺寸挑戰。這些元件是快捷半導體之高效率功率類比、功率離散和光電子解決方案的一部分,能夠在功率敏感應用中提供最大節能效果。' e' t$ r# I: W0 E3 g# {; F& c
1 Q* R6 \: R5 m9 X f% a* T) ~價格:訂購1,000個3 c+ Y+ t3 W# Y. c+ B h
FDMF6708N 每個1.86美元+ p1 N- r! r: [ [" A8 S. p
供貨: 按請求提供樣品
" Z- I' e% I$ D) x# I' z( V交貨期: 收到訂單後8至10週內 |
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