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LSI於Computex率先公開展示Toshiba 19奈米及 Intel 20奈米NAND快閃記憶體固態硬碟5 N, P: @) p7 w5 ]
LSI SandForce SF-2000快閃憶體處理器可提升業界最先進的快閃記體效能及實現最高可靠度 / h* s9 g1 ]3 R- B1 M+ @, O
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LSI公司(NYSE: LSI)宣佈本周在台灣舉行的2012年台北國際電腦展中,將針對其備受場肯定的SandForce? SF-2000快閃記憶體處理器 (FSP)提現場動態展示。該產品採用目前固態硬(SSD)應用市場中最先進的Toshiba 19奈米Intel 20奈米NAND 快閃記憶體。 6 F1 w4 X( [! e9 E! E8 x* N: `
0 j' y( ~3 Y$ E' r. z3 bLSI SandForce FSP是專為NAND 快閃記憶體SSD設計的產品,提供頂尖的效能、可靠度、耐用性及省電效能。LSI推出這款產品後,不僅SSD製造商可推出更經濟的固態硬碟產品並可為他們提供快速上市時程的優勢,且可加速快閃記憶體儲存技術在雲端、業和終端裝置應用市場之廣泛普及。IDC市場研究機構預估,就企業應用和終端裝置的應用領域而言,SSD的出貨量在2015年將超過1億,比2011年的出貨量成長56%。(註1)
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3 J& i, U2 E& eObjective Analysis公司SSD分析師Jim Handy 表示:相較於HDD,由於高成本的關係,阻礙了SSD在應用市場的發展。而且大部分SSD控器無法管理最先進和最低成本的快閃記體晶片之複雜性。LSI可支援現今最小的NAND製程技術,將可協助OEM廠商及終端使用者在雲端、企業和終端裝用戶端之基礎和I/O密集型資料儲存應用之快閃記憶體署。」 * l0 W& g4 n4 B& [4 s) P' J
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隨著快閃記憶的尺寸不斷縮小,引進最先進的錯誤校功能已成當務之急。由於獨立單元已很維持一定的荷質比(specific charge),往往導致降低快閃記憶體元件的可靠性、資料完整性和資料保全特性。為了改善19奈米和20奈米快閃記憶體儲存的效能及耐用度,LSI SandForce SF-2000 FSP可在512位元組磁內校正多達55位元錯誤,因此也成為業可同時支援企業和終端用戶端市場的處器首選。儘管目前和未來先進的NAND快閃記憶體技術對錯誤校正功能的要求持續變化,而且不斷提升,但是LSI SandForce的錯誤校正引擎憑藉其獨特的設計完全可以因應這些挑戰。 |
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