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樓主: tommy01
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[問題求助] 請問大家這兩張圖哪一張較好

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21#
發表於 2012-3-14 01:34:22 | 只看該作者
左右感覺都不錯耶....  j4 F7 y5 @' [
感謝11樓的圖
22#
發表於 2012-3-14 17:31:37 | 只看該作者
這兩種平常都有畫到,感覺不出有什麼差別...& ~, q" D$ d4 g; r1 w" B6 Q1 [
通常都是以接線方便做選擇.... ...; R' |) d& _7 W0 e0 g
vic 發表於 2012-2-3 07:31 PM

5 i+ ]- c- ^4 ^9 F/ b- g, E5 `& [% t, O0 g
# k6 _4 f( J) A) s. d  a# W
我同意VIC的說話!要看你當下做的佈局各種因素來考量! 不見得右圖會不好!
23#
發表於 2012-3-26 14:34:51 | 只看該作者
感謝分享!!~加油~加油!感謝分享!!~加油~加油!
24#
發表於 2012-4-13 10:58:41 | 只看該作者
个人不会用右边的画法,至少感觉别扭= =
25#
發表於 2012-4-16 10:02:13 | 只看該作者
+1我也認為沒差,因這二張圖VIA 都是打滿的,因METAL1 阻值很小,所以電流跑的速度很快,理論上會等效平均流過Drain端,但是GATE length 過大或是高壓製程 ,就說不定了.8 ~1 S6 d, `& E% X; }
4 U6 G( a, b' b0 C! B3 `  o
一般LV MOS 都還好ㄌ
26#
發表於 2012-5-2 08:45:54 | 只看該作者
雖然左邊感覺好點  電流較均勻 可是覺得沒多大差別
27#
發表於 2012-5-8 10:30:26 | 只看該作者
不會差太多,重點CONT 是都有打到滿!
28#
發表於 2012-5-12 21:30:12 | 只看該作者
看你之後的線路!!在看你要選擇哪一個?
29#
發表於 2012-5-18 04:10:29 | 只看該作者
如果有理論基礎作佐證,會更有說服力。
30#
發表於 2012-9-3 17:22:53 | 只看該作者
左边会好点吧,电流均匀啊
31#
發表於 2012-9-4 11:08:20 | 只看該作者
嗯 ~ 感覺不會差太多.. metal 粗細比較重要..
32#
發表於 2012-9-9 03:25:41 | 只看該作者
學了一課!! 感恩~~~!!
33#
發表於 2012-11-30 02:47:55 | 只看該作者
應該都一樣吧 & C" T+ U- i6 f8 H  G
想法跟17樓的大大一樣
34#
發表於 2012-12-4 14:49:38 | 只看該作者
回復 20# vic
  }/ g) p$ I& E" v- z& @( G1 M, ?6 Q& y

2 Q8 p9 _% ]7 r" n5 t7 g" ^  t    在數位電路理沒差,在類比電路裡(尤其是driver & ESD)兩張圖都不行
35#
發表於 2013-4-17 16:39:17 | 只看該作者
個人觀點:' r2 o3 @8 V: a, E, I6 {4 D' t
LAYOUT的形式,得看用在哪,什麼用途?7 q' {2 i& D4 b, r- u$ g/ l
例如:DRIVER,左右都不行,大的MOS,Source與Drain出線的寬度與方向可能都不對,放在ESD裡,也都不合格。
& V% d, o) q3 e6 f; N3 A" @一般設計單存看特性而言,似乎右邊比較好,但是若需連接的點在上方,總不能還從下面出線往旁邊走,再往上走吧~沒那吹毛求疵的,若是Design要求,真的得檢討他的設計了。
36#
發表於 2013-6-5 14:45:31 | 只看該作者
感覺是左邊真的Layout 出來的特性會比較好# e. G1 j. c  z& }5 t$ i1 P' ^

, M2 H- F  w+ Q% v8 c- X& j但是 希望 你右邊Drain端的 Metal 可以打滿0 U, I% K8 M9 T2 Y3 p/ A
& r, ]/ u  |/ f. ?! P
這樣特性應該會比較佳
37#
發表於 2015-8-24 07:59:46 | 只看該作者
我感覺左邊的比較好+ ]& v+ H/ j) Z. W) Q4 v( V
電流比較會流過
$ ~# s, }, ?' T4 [) |+ L$ H$ k
38#
發表於 2016-9-14 13:40:42 | 只看該作者
又多了一個知識囉!!!# v+ t# Z; {0 ^5 D0 a
謝謝妳無私的分享!!!
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