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英飛凌汽車電子事業處標準電源產品副總裁暨總經理 Frank Schwertlein 表示:「英飛凌在功率半導體和相關封裝技術方面皆為業界之首。而今,英飛凌再度成為全球率先推出無鉛封裝之晶片供應商,提供汽車產業客戶因應未來,符合 RoHS 且環保之 MOSFET,協助客戶開發節能的『綠色』產品。」
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9 h& [6 P9 q2 g) P/ i1 M4 w2 P' j英飛凌專利的無鉛黏晶 (die attach) 技術採用擴散焊接,可提升電性與散熱表現、可製造性以及品質。此黏晶技術搭配英飛凌的薄晶圓製程(60µm,標準為 175µm),為功率半導體提供多項改良:
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6 D& |" H0 N" m7 L3 K· 環保的技術:不使用鉛及其他有毒物質。* e& D) W, ?6 \; T& T) _/ n* t
· 擴散焊接黏晶技術結合薄晶圓製程:大幅降低封裝的導通電阻值 RDS(on)。
0 k0 T+ ?8 L! _8 N/ g· 熱阻 (RthJC) 改善率高達 40- 50%:傳統軟鉛焊料的熱傳導能力不佳,阻礙了MOSFET 接面之散熱。
" k" M" H4 l2 C- Q5 z! Y- [. A) n· 其他優點還包括:由於沒有焊錫流跡 (Bleed-out) 及晶片傾斜 (Chip tiltness)的問題,以及更收斂的RDS(on) 與 RthJC 分佈,提供了更佳的可製造性。降低產品內的機電應力,也提升了產品可靠性和品質。 4 r) G5 b0 }0 g$ I9 i6 s; H
- k) d: f; c% }7 E從新款 OptiMOS T2 40V (如:IPB160N04S4-02D,160A) 的規格得知,其 RDS(on) 僅 2.0mΩ 且 RthJC 僅 0.9K/W。相較於使用標準鉛焊接的同類產品,其導通電阻降低了約 20% 。此外,英飛凌專利的擴散焊接技術可減少「晶片至導線架」的熱阻抗,讓新型 OptiMOS T2 產品擁有同級產品中最佳效能。 % y7 p9 H( Y; }- M
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OtpiMOS T2 為業界率先採用 TO 無鉛封裝的車用電源 MOSFET,系列產品包括IPB160N04S4-02D ( 160A, TO-263 封裝)、 IPB100N04S4-02D (100A, TO-263)、 IPP100N04S4-03D (100A, TO-220) 以及 IPI100N04S4-03D (100A, TO-262) 皆已上市。 |
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