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FDMF6708N採用PQFN 6x6mm2 封裝,與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A)效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。該元件適用於要求開關頻率在600KHz – 1.0MHz,輸入電壓高達20V的應用。可讓設計人員使用更小、更薄的電感和電容,縮小解決方案的尺寸,同時滿足散熱要求。FDMF6708N元件能夠幫助設計人員應付設計挑戰,設計出更炫酷、更薄,而且具有更高效率的Ultrabook™產品。/ }4 T( U, Z* ?% r; [
% n2 {/ q8 V" ~- Q, t特性和優勢* N4 R3 S0 N4 f. a, S
3 m, L9 F7 ]% c2 b- x3 F# [( s• 超過1.0MHz的開關頻率,能夠縮小解決方案的整體尺寸,節省了50%的線路板空間,並且通過降低電感高度,實現更薄的系統。
) @" c/ C# a' P/ a6 \• 零交越檢測(ZCD)電路改善輕負載性能
+ b* X/ L8 _: q9 v2 |' u' z0 {2 p6 b0 X• PQFN 6x6mm2 Intel® DrMOS v4.0標準占位面積、多源極解決方案多晶片模組(MCM)
% h) j$ [9 }* O• 與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A) 效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。(19Vin, 1Vout, 800KHz),帶來更長的電池壽命。
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快捷半導體Generation II XS DrMOS系列元件提供領先業界的技術,以應對現今電子設計所遇到的效率和外形尺寸挑戰。這些元件是快捷半導體之高效率功率類比、功率離散和光電子解決方案的一部分,能夠在功率敏感應用中提供最大節能效果。8 ]7 }, M' c: O
7 _2 z6 |, U: J價格:訂購1,000個
6 I4 f/ O/ Y: p9 S$ `9 hFDMF6708N 每個1.86美元$ ~0 y# p4 s$ Z
供貨: 按請求提供樣品, u, H1 B& ~0 n4 j) a
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