|
關於1011GN-700ELM RF電晶體& r& X. D& {# W9 r: i
5 n4 @4 `4 ^/ t4 F2 i
1011GN-700ELM電晶體具有無與倫比的性能,包括700W峰值功率,21dB功率增益,以及1030 Mhz下70% 洩極效率,以降低整體洩極電流和熱耗散,其它的主要產品特性包括:
$ ]3 ^1 k/ S! v3 \! F# f1 ^
& e# P6 Q7 r Q, o: K, Y• 短脈衝和長脈衝間歇模式: ELM = 2.4 ms, 64%和6.4% LTD
, M& M; A* ?6 g3 Q1 x3 O; |• 出色的輸出功率: 700W
% \) g5 l2 {) }7 C+ d* H9 I) Q• 高功率增益: >21 dB最小值
* R% Z5 h" M3 X. M# e- ^• 經控制的動態範圍: 增量1.0dB,總計15 dB
9 w8 A4 N! Y# W, z" r! p• 洩極偏壓 - Vdd: +65V
3 s0 n7 O7 B) H# e: V/ t \& [3 w; Y" V/ v& I) L: [ e1 f
使用GaN on SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)所實現的系統優勢包括:6 M3 Q, q- k5 e @; J* f
& P1 V8 t- h) Q% `& X$ H• 採用簡化阻抗匹配的單端設計,替代需要合成更多電壓準位的較低功率元件* g: q) h4 L& F7 g( s1 s
• 較高峰值功率和功率增益,用於減少系統功率級和最終功率級合成% q3 U5 H4 S/ m# H1 @( C+ C9 |
• 單級配對提供具有餘裕的1.3kW功率,四路結合提供4 kW整體系統功率
2 g; S6 B6 L9 b• 65V高工作電壓,減小電源尺寸和直流電流需求" e, B: D0 G* r( u$ G$ {! H
• 極高穩健性,提高系統良率
% A0 E+ T9 b) l4 ^. D• 放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS製程的元件小50%
2 q0 G* u } S, E4 I8 u6 l. \6 j
封裝和供貨
5 f+ U0 a7 Q4 k4 @, T2 n1 {4 M4 K+ ?4 h, E% B# h$ ]
1011GN-700ELM以單端封裝形式供貨,採用100%高溫金(Au)金屬化和焊錫密封引線,提供長期軍用可靠性。美高森美可借出演示單元供客戶使用數星期,但鑒於產品成本的緣故,不會提供免費的樣品。 |
|