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關於1011GN-700ELM RF電晶體
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/ F0 Y4 U& B. B# i9 s% O: h1011GN-700ELM電晶體具有無與倫比的性能,包括700W峰值功率,21dB功率增益,以及1030 Mhz下70% 洩極效率,以降低整體洩極電流和熱耗散,其它的主要產品特性包括: 1 k: n+ N, I4 C- F$ ?
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• 短脈衝和長脈衝間歇模式: ELM = 2.4 ms, 64%和6.4% LTD
- c! r# I" G% _: m3 G7 x( l' X• 出色的輸出功率: 700W7 i9 O, C9 P5 |/ S9 F7 i
• 高功率增益: >21 dB最小值
# [) L9 `: d; p: W• 經控制的動態範圍: 增量1.0dB,總計15 dB
7 F4 b8 B; r0 u4 F X• 洩極偏壓 - Vdd: +65V
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+ F. j0 C( z, ~; ~, A. ^使用GaN on SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)所實現的系統優勢包括:
. \1 o) {7 E/ B; [1 U+ T/ h5 h) z
: H. H1 m" ]: j6 a2 s• 採用簡化阻抗匹配的單端設計,替代需要合成更多電壓準位的較低功率元件
# O |* @# V6 V+ h o: C, S• 較高峰值功率和功率增益,用於減少系統功率級和最終功率級合成
# j& d9 z' K* K4 o: @• 單級配對提供具有餘裕的1.3kW功率,四路結合提供4 kW整體系統功率
" M; D, z, v( `; R1 b1 i( z• 65V高工作電壓,減小電源尺寸和直流電流需求. i) A2 J9 U0 Y$ P' i+ K9 H
• 極高穩健性,提高系統良率
' F1 {% u( V* \• 放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS製程的元件小50%
: l# f8 h, Y7 {: _1 O
: O8 N- v- ]; C) o封裝和供貨
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n, ]6 N8 V: Q5 t# ^1 w1011GN-700ELM以單端封裝形式供貨,採用100%高溫金(Au)金屬化和焊錫密封引線,提供長期軍用可靠性。美高森美可借出演示單元供客戶使用數星期,但鑒於產品成本的緣故,不會提供免費的樣品。 |
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