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FDMF6708N採用PQFN 6x6mm2 封裝,與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A)效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。該元件適用於要求開關頻率在600KHz – 1.0MHz,輸入電壓高達20V的應用。可讓設計人員使用更小、更薄的電感和電容,縮小解決方案的尺寸,同時滿足散熱要求。FDMF6708N元件能夠幫助設計人員應付設計挑戰,設計出更炫酷、更薄,而且具有更高效率的Ultrabook™產品。
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特性和優勢' _6 i9 l7 E- O4 c) q9 O9 P
0 S/ G, x0 F/ d' X, ^, A/ ]• 超過1.0MHz的開關頻率,能夠縮小解決方案的整體尺寸,節省了50%的線路板空間,並且通過降低電感高度,實現更薄的系統。: b7 \# E4 c* E8 P
• 零交越檢測(ZCD)電路改善輕負載性能
+ g* \' ^- z1 [" k: p* t: e# Q- A/ y/ L/ a• PQFN 6x6mm2 Intel® DrMOS v4.0標準占位面積、多源極解決方案多晶片模組(MCM)
( p5 m/ o9 k: p/ T• 與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A) 效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。(19Vin, 1Vout, 800KHz),帶來更長的電池壽命。' }, I3 w: [. g3 u% f
1 {) d+ t# Q5 v, Q2 d8 G g- I2 l快捷半導體Generation II XS DrMOS系列元件提供領先業界的技術,以應對現今電子設計所遇到的效率和外形尺寸挑戰。這些元件是快捷半導體之高效率功率類比、功率離散和光電子解決方案的一部分,能夠在功率敏感應用中提供最大節能效果。- |; \) h: l: p! p7 j0 {
+ G' a5 S2 t5 x. ^9 }' S! K! }9 D價格:訂購1,000個5 g! t" H9 u) z
FDMF6708N 每個1.86美元( h2 k! J/ e( D8 L- u0 J$ u7 e8 f
供貨: 按請求提供樣品2 c1 {6 o7 x' y
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