|
FDMF6708N採用PQFN 6x6mm2 封裝,與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A)效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。該元件適用於要求開關頻率在600KHz – 1.0MHz,輸入電壓高達20V的應用。可讓設計人員使用更小、更薄的電感和電容,縮小解決方案的尺寸,同時滿足散熱要求。FDMF6708N元件能夠幫助設計人員應付設計挑戰,設計出更炫酷、更薄,而且具有更高效率的Ultrabook™產品。5 x8 l" s J! t& }0 ?
. c- f6 C) I8 U5 |特性和優勢, J* L$ S: ]: c, O+ {
4 A4 U# j. H o9 d
• 超過1.0MHz的開關頻率,能夠縮小解決方案的整體尺寸,節省了50%的線路板空間,並且通過降低電感高度,實現更薄的系統。
. ^& i1 p0 i+ F! }, p/ f• 零交越檢測(ZCD)電路改善輕負載性能# s8 p. U; L2 u" y
• PQFN 6x6mm2 Intel® DrMOS v4.0標準占位面積、多源極解決方案多晶片模組(MCM)# s- U. X& |2 A) |7 v
• 與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A) 效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。(19Vin, 1Vout, 800KHz),帶來更長的電池壽命。
5 Y- S* w: w' e" V9 B' f8 I2 [# _5 [! f- B7 |- h
快捷半導體Generation II XS DrMOS系列元件提供領先業界的技術,以應對現今電子設計所遇到的效率和外形尺寸挑戰。這些元件是快捷半導體之高效率功率類比、功率離散和光電子解決方案的一部分,能夠在功率敏感應用中提供最大節能效果。
/ E7 d1 R3 x8 k! f5 G
, B( V; w/ ]9 Y; |5 `價格:訂購1,000個, y: b. Q; l }2 y1 H/ i9 J9 _
FDMF6708N 每個1.86美元& J/ y3 `1 G: {( u) Y5 }
供貨: 按請求提供樣品* c+ `% |4 l6 C. x/ Z
交貨期: 收到訂單後8至10週內 |
|