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英飛凌推出採標準 TO 無鉛封裝的汽車電源 MOSFET N. ^# h- X, V, v' I; m
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【2011 年 12 月 7 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 宣佈推出採用 TO 無鉛封裝的汽車電源 MOSFET 系列產品。新型 40V OptiMOS™ T2 MOSFET 結合創新的封裝技術及英飛凌的薄晶圓製程技術,擁有同級產品最佳規格。英飛凌採用擴散焊接黏晶技術所生產的無鉛封裝包括TO-220, TO-262 以及 TO-263。由於封裝幾何方面對於晶粒焊墊厚度與晶片尺寸的特殊要求,現今擴散焊接粘晶技術僅適用於上述三種英飛凌所提供的封裝形式,OptiMOS T2 系列產品的量產已準備就緒。
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, {7 c) N3 A3 C$ r' K8 A1 `英飛凌的 MOSFET 新系列產品超越了現行歐盟 RoHS 對於含鉛銲錫封裝的規範。更嚴格的 ELV RoHS 標準可能將於 2014年施行,屆時將要求採用完全無鉛的封裝方式。作為業界首款無鉛封裝 MOSFET,英飛凌的新產品讓客戶滿足更嚴格的要求。 |
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