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IDT發表全球最高精度的全矽晶CMOS振盪器 新的解決方案達到100ppm以下的整體頻率精度 5 m, b! n5 ]' I& m/ q
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【台北訊,2010年10月22日】提供關鍵混合訊號(mixed signal)半導體元件以豐富數位媒體功能與使用經驗的領先半導體解決方案供應商IDT®(Integrated Device Technology, Inc.;NASDAQ: IDTI),今日發表業界最精確的全矽晶CMOS振盪器,於溫度、電壓,和其他因素方面,達到領先業界的100ppm整體頻率誤差。 / y' [& {- H# Q" j" f9 u
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IDT3C02振盪器採用IDT CMOS振盪器專利技術,以100ppm以下頻率精確度的單晶體CMOS IC取代以石英晶體為基礎的振盪器,不需使用任何機械頻率源或PLL就能擁有超薄的外型設計。此產品是特別針對下一代儲存、數據通訊,和連接介面而設計,例如1Gb乙太網路、SAS、SuperSpeed USB(USB 3.0),和PCI Express等。IDT3C02為一般用途的石英晶體振盪器提供一個低功耗、低訊號抖動的替代方案,成為伺服器、企業設計,以及配備乙太網路埠之數據通訊裝置的理想方案。# n- S! c) Z$ ?9 I0 s. X4 F
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IDT副總裁暨通訊部門總經理Fred Zust表示:「IDT3C02以低於100ppm的整體頻率誤差,創下時脈產業的重大突破。它提供一個優於晶體方案的理想選擇,擴充今年稍早前發表的晶圓形式全矽晶CMOS振盪器範疇,並拓展IDT時脈技術的領導地位。」
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