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各位前輩好* o$ |+ W7 h* g6 j1 }5 P8 [; N
7 v2 j m+ g6 \& S0 Q' P' U* f7 [ ^' J小弟最近在用hspice模擬電路(presim還沒進到postsim)
! `* N' e+ }& }: h+ l7 g2 `& e6 h7 @, ^6 k, d2 }7 X u
電路裡面有用到電阻(0.35um製程)5 @9 }( T8 f+ ?5 T0 h' l6 h I
1 q9 J, i$ l2 ~* [所以小弟在模擬時 用呼叫子電路的方式來呼叫電阻; L, f0 Y- V; i7 @; r
( r0 E. R& N/ z
但在製程檔中 電阻的種類有很多種% n* e/ Q0 F5 O% D+ T
8 m9 y' s- V6 L0 @5 Q% S所以小弟我不知道該用何種的電阻來進行模擬
, Q6 u1 d6 L$ |# K! Y" [- M% j: \ n* w. D. K9 y ^4 e
" i d# f! v) X' F9 ?( V }! C3 K/ [: \0 k% ?( I
是應該從單位電阻值大的去選擇?越大越好?
" _* E* Z) x1 Z" x+ Z1 w0 R4 f: z+ l; f, u! Z9 C* g
還是要從電阻的材料來選擇?(ex: Nwell )% O. c4 I; |) A
( x, V4 l! i: t6 C6 ~* {- `
還是要考慮製程飄移的影響呢?那又要如何知道飄移程度呢?6 t' V$ A' g' l9 @$ c
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& [# o4 W0 e" u
y3 o. @) Y4 L
假如電阻值大約是3~5K歐姆的話 (0.35um製程); N+ s7 @- F) h7 w- x6 ~
/ d" w) A4 a K8 C應該選擇哪一種電阻的子電路呢?1 q# ~1 u5 U) g
( t: {( v4 I( q/ {
ex:/ g* z7 e; B9 [7 g3 K0 ^
0 S5 E$ o, p3 i6 q8 m8 L9 @.subckt rnod n1 n2 l=length w=width
! e* {: h8 `7 j5 j, T$ W% C.param rsh=80+ p) P7 u( c: h8 Y, j7 }) z
4 A) t* {4 @5 Q0 }.subckt rpod n1 n2 l=length w=width
5 l5 D& G( Q, l" E' d- e3 Q, s.param rsh=150$ y, A0 J @ ~7 `' a. M0 A# r1 K' L, Z& B7 l
% g9 I+ l5 k7 _* K
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' Y0 s8 |7 j5 |7 b! {2 f0 D M.param rsh=1050
1 P/ Q" i: j+ W4 [+ E9 T; ~2 n% F! j; a; r( s5 F. K7 t' A
1 r4 K! [' t8 f3 _
先感謝各位大大的回答!!!! |
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狗仔卡
發表於 2011-8-11 19:28:56
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發表於 2011-8-18 02:44:50
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