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隨著電子系統產品往輕、薄、短、小、多、省、廉、快、美等趨勢演進,也促使半導體技術朝微縮與元件整合兩大方向發展。目前主流記憶體DRAM及Flash在1xnm將遇到製程微縮的重大挑戰與瓶頸,而從不同材料與設計著手的前瞻記憶體可望突破此限制,並將取代目前的主流記憶體。8 ?+ u5 E3 `- x$ C* F, ]
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迎接未來4G通訊時代,下一代Mobile DRAM需要高達12.8GB/s的頻寬,以支援4G時代手機傳輸功能的需求,而採用TSV技術來提高頻寬需求的3D IC,將實現Mobile Wide IO DRAM的來臨,並且在2012年也將逐漸應用在較高價位的智慧型手機中。, T% g+ O- n @' S0 y' B" l
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有鑑於前瞻IC重要技術發展逐漸改變市場生態,此次研討會將分別探討「前瞻記憶體(PCM、RRAM、STT-MRAM)全球發展趨勢」與「3D IC的新市場機會與挑戰」,提供各界更多元的思維,搶先掌握商機。
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4 ^. c) W9 {# r; u* z主辦單位: 經濟部技術處
1 b9 G# u f$ x! M7 ^% g1 o協辦單位: ITIS專案辦公室、工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)、台南市電腦商業同業公會
9 z: [' Q3 R5 K% P' R時 間: 2011/9/1(四) 13:30~16:20 3 d& |! \' X i5 W( w: i6 J3 C
地 點: 台南成大會館AB會議室(台南市東區大學路2號3樓)(場地資訊)
' T" R' |* n- S" C8 Q活動費用: 新台幣$500元整 / f, _0 z2 { H# T7 D
報名方式: 網路報名:至ITIS智網(www.itis.org.tw)直接填寫相關報名資料。 |
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