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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.4 u; c/ @, H" a% e
ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
; z- `! R3 j9 K( K: Q+ {; d# R6 f5 r$ j/ w3 U! o
Esd test summary:
( P! d, Q! Q+ l) d9 X5 u8 c7 O) o4 x5 R9 h
ESD TEST 6 `1 E- G: f" U; @, B; T
1 |8 e! ~1 i, z. x/ B+ M+ _
5 i  z/ L! }) }% K7 u
PAD& `) B! U( N! e1 I% l

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong
5 \. D5 {& C0 v: I5 @$ u) A# `# u+ d
$ \! x! F* k# q5 @整體佈局* d5 {+ b/ j" I6 C

9 `  H3 |& q) k2 p: hpad    layout4 x6 x  c( e1 h7 T1 z1 S
vdd&pin 28-38,1  esd protection
  O& A. r5 i0 [1 \3 w& o( |8 Q* a# x, r" J6 i: H- O# a
pad 39 40 esd  protection8 J! p. F- h9 @5 I0 D
8 d  P; t2 S3 a# S
gnd &pad7-14 esd  protection. Y0 A( a& ~, S7 ~

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1
! w6 s" E: g0 S
6 Y& _/ \7 I2 d( T2 u+ I" Q& W, j/ k7 a. R/ o
    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎? ( ^% i7 M9 r* k3 E

% v7 o8 j$ Q: _  Y* b
. l7 J  t8 a, X: V輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong 8 ]; ?& R5 B. t' C
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712 , C! {. R; R. @; W, k
% l, f  R) ?" ^; g( x. \" i2 q: O

) m2 c( O# g8 n! O7 ^   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong+ d4 c- w! Q2 B* r& I2 q: e. K
我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712 0 ~( R' y# F3 `
8 j8 c: x3 Z0 A" v/ |$ l
, }8 c4 {) {7 t8 ]- {1 @: K, [
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯
& Z2 c- ]. i: G/ [7 `' k2 i$ B: N1 m0 L# j  ?: A) O
回復 12# jian1712 9 d; v% }/ z0 u8 M

# a; X# q/ M6 K$ c( j5 e2 u# h9 M7 {2 j+ x# a" v
    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。& w0 K) x0 v9 w& l) L" B: z0 I' t) R

9 F1 `( D/ C% s+ B3 a* _$ G# w3 @6 m0 R5 D1 X
  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712 7 i( {- x7 l+ c" X0 {
* X5 A- q4 c  n$ n
4 E$ M4 H0 M# o/ i% o% k
   
  ?5 N' D* {7 o) b' ^
) ]# E& p2 X+ I2 d" h5 r  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun : C) P9 @% F& G3 m4 w
( Y- k" u( ?% i0 q

. m4 p! ^8 e) q1 @& i9 S    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,# f6 z; U% o1 V4 T
若PAD沒串電阻, 就直接到gate,+ e3 W. P* j& R7 U( H# V
這是相當容易造成gate端燒燬,
7 M, S2 I. N# k/ X5 w# w給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,
# [1 f& V1 E6 m  ^9 V7 |而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
8 r' l! ]/ k8 \如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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