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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.9 R' H$ J. l9 R
ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
1 }6 n' d  V  ^' n3 B. U$ o$ V$ o. }' z# ]
Esd test summary:
; m5 s" `$ L$ `3 \8 J, w* u8 z& B/ G
ESD TEST ! Y( H' ]* `3 W$ q  w1 c' \
+ n- E3 j3 P" s# c+ q# S& s

- G8 C$ V" D5 r4 }+ k3 nPAD
6 p& ^8 {5 v5 W) k$ Z7 G5 C

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong 2 J: @/ S  I8 Y: e6 o# ]

9 `% ?9 H/ s7 c. @4 T整體佈局4 a! H/ z) o4 h- G

4 P4 S9 u! i+ x/ ipad    layout
! ~; }+ `/ W! K9 ^! d) Vvdd&pin 28-38,1  esd protection
7 |$ l5 n* \9 @/ k* s( Q
4 h- ^! t! n! b4 f3 Kpad 39 40 esd  protection
6 \, W! V2 p, K" F2 H! i4 c
: w5 S: I, Q& d5 @, |7 x/ Ignd &pad7-14 esd  protection5 H( i1 f( a6 k9 d+ P0 y& }* d

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1 ! `5 d9 w0 O1 @! q
( v8 B* J$ L  _. u2 f$ }+ s

0 Z& S, s' `$ [6 x    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
) O& ]1 X6 z0 G, S8 x. {" X! g; ]9 M/ O* d# X

8 f: B/ N( ?9 B2 E2 N4 I- [輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong 8 ]" m9 g$ Q& S% Y, H
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712 2 e& B% A$ M8 D1 V/ Q

: q* n3 W+ h4 v, r  |
, V0 g# F# ?3 v3 ?   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong1 a$ W; Z2 W8 N* R9 l) ]
我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712 2 H7 e" T- d: F& B  t7 @
) y2 P' A& v; ^0 R2 g) }% i2 F
1 i; C) `: [' ^/ G
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯
, A% ~% A4 I+ S5 }, B. h" H$ W, B+ g& d8 T9 c6 l9 X/ ]
回復 12# jian1712
6 s" @" j2 d2 G2 Y( s3 ~/ a! B) T
* T1 W* ?% ~6 s3 B: v# j
+ [9 s2 }, H3 Y& Z1 j2 x! q    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。
0 K- S- t( _$ _8 x' o/ Z' c- t' k7 k! m2 `. K5 B) s5 |- D/ O  x
  B' Y- A" B1 G6 O& S3 v" L
  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
$ S* j" h% N9 \4 w* t+ {
* l" H% G+ P: `  I# @# m; Y9 R1 v& F% c* ^: b* ~
    3 ]  n" j+ u) E$ j
3 M/ e- M' e2 H
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun
! g+ f: a/ r9 ~3 i* N
$ G5 @" y6 T7 G, _5 i6 ?
# c' y+ ~  A2 k) [$ g    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,( Q5 S8 d, e* d0 a6 T5 j! ~
若PAD沒串電阻, 就直接到gate,
: Y! d* F" t' B: T) D$ y8 K" u這是相當容易造成gate端燒燬,1 O* x3 R0 F3 Y0 o# o" y6 Y% o
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,* y/ u; |& Z; E/ R* {
而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
+ t6 R8 z( j/ z1 L如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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