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SiC技術超越其他技術的優勢包括:4 o2 u6 M' I4 {: b" F" d" G
1 X, J3 A, B/ b p( \5 e$ K# n• 在特定的晶片尺寸下具有較低的導通狀態電壓降(Voltage Drop) : @. J# J1 P6 p
• 較高的電流密度 ; f( }+ l( x; p) R5 ?# f
• 較高的運作溫度
1 o* d: ?9 j2 P# S, T7 A• 極低的熱阻抗 5 y2 x2 a- ~/ L9 w2 M& H
• 只有多數載流子傳導,具有超快的開關速度 - E( H& s0 M; _9 X
• 採用電流增益範圍為100的通常關斷運作(off operation)方式,提供簡便的驅動解決方案, X$ u/ W% C6 w; G
• 由於採用正溫度系數電阻元件,可以達成簡易並聯
1 B. Z! A: f h4 v8 V! U: e5 D! D$ t& U7 R; A5 F, o9 A2 F
另外,這類元件的阻抗非常接近SiC技術的理論極限,並且成功在25ns的導通和關斷時間範圍內展示出800V下的50A開關運作。這些元件在長期的全額定偏流和電流應力狀況下具有參數穩定性。
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5 l4 X( p+ t$ L+ @1 u1 I這款元件具有領先業界的效率,可將成熟的矽技術元件的相關損耗減少達50%,或在相同的損耗條件下,將頻率提升達四倍。SiC元件具有顯著縮小的尺寸、較少的被動元件,能夠降低整體系統成本和提升價值。對於需要最高效率和功率密度的系統,該元件是無可比擬的首選產品。9 s; S2 c* ^( x" W, a: w0 g
6 |: S' z3 h5 J- P2 ~0 N4 ?( A1 p快捷半導體正在為目標應用提供最高50A額定電流的1200V初始產品之樣品,並將於未來開發具有更高電壓和電流範圍的產品,繼續推動省能工作。 |
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