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談到發明「異質結構場效電晶體的製造方法」之初衷,成大微電子所博士研究生黃建彰指出,由於近年以三五族化合物半導體材料系統所研製的場效電晶體元件,具有高頻率、高功率、不易失真、線性度佳、耐高溫等特性,已被廣泛的應用在各種高頻、高功率、低雜訊的商業性產品上,躍升成為目前半導體微波元件的應用主流。但許多研究已經指出高溫、高能量的物理真空鍍膜技術容易對元件造成熱破壞,使得費米能階幾乎釘在某一定值,蕭特基能障高度也相對較低,並且不會隨著不同金屬功函數變動。, X- g4 ? v# T: U' D
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換言之,因為金屬-半導體界面間較差的蕭特基特性及基板漏電流等問題可能導致元件的漏電流、輸出電導和臨限電壓的增加,造成崩潰電壓、輸出電流、轉導值以及電壓增益等元件特性的劣化,這些缺點亟待克服以改善元件的特性。: y/ ~' [9 |1 b2 e' k5 Q
9 [, k& t5 U. p「異質結構場效電晶體的製造方法」之優勢,在於設備需求低,不需要複雜的製程設備,且成本低廉、操作簡單、無外在能源消耗及環境污染之問題,再者,金屬鍍膜時間短,約3至10分鐘即可完成金屬膜之製作。此外,金屬鍍膜厚度均勻,不受限於欲鍍物外在形狀,沒有電流分佈不均的現象產生,同時,它具備了可鍍複合及多元合金膜、可於導體及非導體上鍍金屬膜、可避免元件之費米能階釘住效應,並具有較佳之蕭特基接觸特性等多項優點。
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『異質結構場效電晶體的製造方法』研究團隊成員包括成大電機系暨微電子所特聘教授劉文超、電機系暨微電子所特聘教授許渭州、化工系教授兼工廠主任陳慧英以及微電子所博士研究生黃建彰、陳利洋、許啟祥等人。
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訊息來源:成功大學 |
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