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瑞薩科技致力於開發微處理器之全新中央處理器架構

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101#
發表於 2010-12-10 16:00:05 | 只看該作者
瑞薩電子推出搭載USB Host/Function並支援USB On-The-Go之R8C微控制器
# m2 e  s2 h, J0 Q" f% F) r專為消費性及醫療保健器材設計之低階USB微控制器
7 p1 B/ |; r  ~- S& N' g7 @
- i, |3 O6 D7 y$ _4 m& W2 z" x! ~, ^7 ]* u% r" N3 V
2010年12月10日,台北訊—先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子,推出該公司第一款內建通用序列匯流排2.0 (USB) Host/Function控制器之低階快閃記憶體微控制器(MCU),該產品是針對消費性電子產品所設計,例如個人電腦周邊設備、行動裝置及醫療保健設備…等。此新款MCU產品屬於R8C系列,包括整合USB Host/Function控制器的R8C/34K及R8C/3MK系列,以及僅包含USB Function控制器的R8C/34U及R8C/3MU系列。
3 g, G/ l% M0 e0 d1 Z; M
! D+ D. h/ g9 _瑞薩電子以其評價優異,內建USB控制器的中高階MCU產品,再推出整合USB Host/Function控制器的新款低階MCU產品回應市場需求。在R8C/34K系列MCU中,USB周邊設備亦可設定On-The-Go (OTG)功能,以提供更高的彈性並簡化系統設計。這款新裝置提供32至128 KB的多種選擇,最高內建10 KB SRAM以及4 KB資料快閃記憶體,並提供7x7 mm或6x6 mm的封裝規格。

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102#
發表於 2010-12-10 16:00:45 | 只看該作者
新款USB MCU的主要功能如下:
; ^7 b, m! B4 k, ~  ?* b) x' ~
9 n* K2 G3 x7 q8 |! {" j(1) 功能優異的USB Host/Function控制器
& u' z8 z% d* G( s" U& Z此USB控制器符合USB 2.0 Full Speed (12 Mbps)規格。另外,並包含五個高效能且具有彈性的通訊管道,各管道均包含了專屬的FIFO記憶體(總計448位元組)。因此,應用程式可依據軟體中的系統應用程式需求,選擇雙重或單一暫存及通訊方向。6 F3 ~6 u  y7 M6 L  o

0 b! j- _; l! y' \9 Z將此USB控制器做為host使用時,可利用USB frame 的自由時間自動重複傳輸,達到高效能的USB通訊。同時,由於傳輸排程是由硬體執行,因此可大幅降低CPU負載。5 `$ O& e8 {9 v/ I  Y
若將此USB控制器做為USB Function控制器使用時,則可執行USB通訊所需的狀態管理,以及硬體執行控制傳輸階段管理。這意味著可利用更簡單的軟體與USB Host進行通訊,以藉此縮短開發時間。由於此USB控制器包含USB電源供應穩壓器,因此可利用經由USB纜線所提供的單電壓電源供應(3.0至5.5伏特)來降低系統成本。
! t/ `+ s" m$ f# U& jR8C/34K群組產品可透過暫存器設定值切換USB Host與USB Function的運作,亦可支援USB OTG。
6 o6 ]* ]7 f1 m
. r( v+ [5 p+ j1 P1 Z9 [(2) 支援多種低功率模式
/ `; A1 T9 n( d8 {新款MCU與現有R8C/3x系列相同,可提供等待模式與停止模式,以大幅降低耗電量。此外,若USB不需要USB clock,則可將內部PLL電路關閉,進一步降低耗電量。8 u% H( Y# m$ d4 e& i; b3 ?
0 f3 C2 o- v+ g# r- `8 }  K) O9 K
(3) 小型封裝
+ \# Z+ L: y: U# Y/ e+ T6 o* O新款R8C/34K與R8C/34U系列MCU以及R8C/3MK與R8C/3MU系列MCU分別採用7x7 mm 48-pin LQFP封裝及6x6 mm 40-pin QFN封裝,可讓系統設計師選擇最適合其應用系統的規格來進行設計。' e- U" {6 x  P; f' Q/ j
! d! z/ n( G+ z0 L" @' t- B
價格與供貨
8 I$ m1 T! {# m瑞薩電子新款MCU已開始供應樣品,樣品價格依據記憶體容量及封裝而有不同。瑞薩已排定於2011年3月起大量生產,預計至2012年3月每月合計產能可達500,000顆。% C' {# L* J. n! j  w1 a/ Q
(價格與價貨情況如有變更恕不另行通知。)
103#
發表於 2010-12-13 10:57:48 | 只看該作者
瑞薩電子推出三種新款USB/SD音訊解碼器系統單晶片 封裝尺寸縮減百分之八十八$ M6 h9 A  D, V0 j8 C+ L
+ P) r$ P  k" M9 u6 H* y, k
4 C' J3 F$ U; A
2010年12月13日,台北訊—先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子(TSE: 6723)宣布推出三種新款USB/SD音訊解碼器系統單晶片(System-on-Chip, SoC),分別為μPD63530、μPD63910及μPD63911,均內建USB(通用序列匯流排)主控制器。
4 @9 h. e: z( e& c$ b上述新款SoC適用於汽車及消費性電子產品。μPD63530裝置提供48-pin薄型四側引角扁平封裝(Low-profile Quad Flat-Pack, LQFP)封裝,尺寸較目前封裝產品縮減88%。μPD63910及μPD63530 SoC可透過外接快閃記憶體輕易進行軟體升級,除了支援USB 2.0(全速,每秒12 Mbps)的主控制器之外,此新款裝置整合了音訊系統所需功能,可將MP3、Windows Media Audio™ (WMA) 及 AAC等三種常見格式的音樂解碼。
9 ^3 N' A8 [# v8 M9 r+ W
5 r- L3 y1 G1 S( b. z3 B2 U新款瑞薩電子SoC的系統功能有助於加速開發音訊系統,以播放USB記憶體裝置或SD卡內的音訊資料。

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104#
發表於 2010-12-13 10:58:05 | 只看該作者
新產品的主要功能:
, H  e- z0 n, x+ R0 k$ R/ W: v5 _9 m5 Q) ?$ ~
(1)封裝尺寸縮小88%(μPD63530), T' k% }5 I/ F  b; U: E. _
新款SoC採用小型48-pin LQFP封裝(7 mm x 7 mm),尺寸較瑞薩電子目前封裝產品縮減88%。' u9 {  Y- E1 o  x, l
8 v: C4 g' s* u( N% t
(2)利用外接快閃記憶體輕易升級軟體(μPD63910及μPD63530)
& I$ l# o0 o) a2 @. e7 k. M1 C# A瑞薩電子新款SoC可讓設計師將系統韌體修改後的版本儲存於外部記憶體,在開機時更新SoC,在未來提升系統功能。$ M" \$ b4 u7 q0 i: G! S' y; t- L

$ p0 @+ w/ v9 e9 w$ \(3)以單晶片提供多種USB解決方案" c1 E5 z7 W, T" }
新款裝置結合了USB主控制器(包含晶片內建PHY)以及解碼壓縮音訊資料的功能。透過單一晶片,提供所有播放USB記憶體裝置、SD卡或數位音樂播放器內音訊檔案時所需的功能。7 \' N2 A7 o" m' s% l

3 l+ U3 r* q2 x9 N* Z& O" b(4)內建USB解碼軟體
" y9 ?: p# p# I7 z$ _8 F5 p7 q標準內建功能包括USB控制、MP3、WMA及AAC解碼功能、WAV檔播放功能、檔案系統控制、以及系統控制功能。客戶可開發僅需發出控制指令(播放、停止等)的應用程式並於主機處理器執行,大幅縮減所需要的開發時間。) ~' x7 a& ]5 \; x
0 F8 |5 W/ m2 b# C
有關μPD63530、μPD63910及μPD63911新款SoC的規格,請參閱附件。
( C# B, s8 u+ z. z0 L4 k( e5 v% n3 p$ v' h
價格與供貨6 ^# r; Z/ R- O. m+ O
瑞薩電子新款SoC(零件編號μPD63530、μPD63910及μPD63911)的樣品於2010年12月開始供應。μPD63530 SoC的樣品單價為US$5,μPD63910及μPD63911 SoC的樣品單價為US$10。瑞薩計劃於2011年8月起大量生產,預估於2012年之後達到每月合計生產量300,000顆。
105#
發表於 2010-12-20 16:24:00 | 只看該作者
瑞薩電子率先推出業界第一顆整合智慧型手機近距離無線通訊(NFC)與安全性功能的微控制器8 [* C0 w; v* }3 q" p, Z0 k
創新的晶圓封裝技術,實現0.22mm超薄規格3 {  d( ?& O$ }' W1 X" j( ?4 i; V

1 W' o( L: ^2 K9 ^$ |) n, F) a' w6 [, v- z6 E! r/ Z; G( s/ k1 r
2010年12月20日,台北訊—先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子(TSE: 6723)率先於業界發表其微控制器(MCU)的第一項RF20系列產品-RF21S,在單一晶片上結合了近距離無線通訊(NFC,註1)控制器,支援 ISO/IEC 18092 國際標準及安全性要件功能,可用於消費性電子產品,例如智慧型手機及其他行動電話、筆記型電腦及PC周邊連接裝置。新的RF21S MCU不僅(1)在單一晶片上整合NFC控制器及安全性功能,具備金融交易卡、捷運卡及身分證的功能,並且(2)使用晶圓製程封裝(WPP)的晶圓封裝技術,因此實現了0.22釐米(mm)的超薄封裝。; W* L! x" M) v$ A
5 k: l, u8 w. M6 V5 c$ n  G
NFC可進一步應用於許多廣泛用途,包括金融交易、捷運系統付款卡、購票及身分證等,而且這項技術的市場預計在未來幾年內將會呈現成長趨勢。近年來,整合NFC功能的行動電話也以驚人的速度日益普及。然而,傳統設計組態必須有兩個獨立晶片負責NFC控制器及安全性元件運作,因此便需要減少安裝空間。此外,另一項需求在於與安全性元件通訊時,必須強化處理能力並解決延遲時間,以縮短捷運系統票卡閘門的交易時間。

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106#
發表於 2010-12-20 16:24:27 | 只看該作者
RF21S MCU 具備以下特色:
& M# v# }4 U6 _/ v& ~9 ]- D2 g$ ~" s- s; H* \: {, P1 H
(1) 在單一晶片上提供NFC及安全性功能
0 P. ?6 U, C% F! r7 JRF21S MCU整合了瑞薩電子的RS-4安全性MCU、NFC控制器及安全性功能,在單一晶片上實現了金融交易卡、捷運卡及身分證等所需功能,因此能以更有效率的方式開發並評估系統。此外,預計也將對RF21S提供MIFARE™(註2)支援。單晶片的組態可省去與外部安全性元件通訊的需求,縮短捷運系統閘門所需的交易時間。RF21S MCU也整合能抵抗安全性威脅(如偽造及竄改資料)的措施,且預計RF21S也即將取得EMVCo安全性認證(註3)。
. M! I% M. r9 x' \! G+ A: V) K# b% I+ F" Y, m
(2) 超精簡封裝,節省安裝空間1 `9 |: H% r( j9 `! t+ M1 t  \
隨著行動電話所結合的功能逐漸增多,安裝半導體裝置的空間也日益有限。為了因應此問題,RS21S MCU採用瑞薩電子的獨家封裝技術,達到超薄外觀規格(封裝厚度:0.22mm),為行動電話及其他薄型化裝置提供更為實際的安裝設計。/ H0 f& `+ V& @* P/ p/ r

; b  l7 h* N! o$ y(3) 軟體支援7 Q! f4 x6 p! s. _$ k4 I
瑞薩電子計畫為行動電話等裝置的開發人員,供應實作NFC功能所需的搭載軟體內嵌式裝置(通訊程式庫、主機控制介面(HCI)等)。瑞薩電子參與由NFC論壇(註4)所舉辦的「plugfest」互通性測試活動,並傾全力開發及提供能讓客戶放心使用的軟體。而主機所要求的中介軟體,如基頻處理器及應用程式處理器,亦可向協力廠商取得支援。% ~0 P) I+ @  C8 \: q6 d% C3 [
+ l, o" o6 x$ y& @  z( A( }
瑞薩電子將繼續開發並供應RF20系列的新MCU產品,以因應不斷演變的市場需求,包括搭載大型記憶體容量、更多周邊連接功能、甚至可達高階應用程式更佳效能與功能性的產品,以及低階應用程式的低價位產品。: p  g% ^7 B8 _- O: e
8 o1 l: x) P8 n/ y* E4 y
(註1)近距離無線通訊(NFC)是一種使用13.56 MHz頻帶的短程無線連線技術。
. B' E  `( ]8 I& Z5 [! B* ]5 d(註2)MIFARE 為NXP Semiconductors 的註冊商標。2 @/ ~- `2 y, ~1 P' S3 \. I; P, C
(註3)EMVCo由American Express、JCB、MasterCard 及 Visa所擁有,用於管理、維護及強化 EMV 整合式電路卡規格。 ) d& t  o' p; q8 Y) t1 [  O
(註4)瑞薩電子為 NFC 論壇贊助商之一。
1 k" q( o9 e' b( R) \) A* u+ T5 ?/ V/ P$ U# s5 a( R
價格與供貨
5 l& f. F3 R, _6 I瑞薩電子新推出的RF21S MCU樣本預計自2011年3月起開始供應,建議價格為US$5。預定2011年7月開始量產,並於2012年1月達到每月100萬顆的合併出貨量。
107#
發表於 2011-1-25 11:42:37 | 只看該作者
瑞薩電子推出新高壓電源MOSFET產品 約可減少52%的導通損失; i: b' T, p2 d# n9 D) E
採用高精密超結合技術結構 減少液晶電視及 PC 伺服器的耗電量
) R& p# t$ @/ F; q9 t7 x3 o3 t4 A% d
2011年1月24日,台北訊—先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子(TSE: 6723)宣布推出能為電源供應器提供超高效率的高壓N-channel電源金屬氧化半導體場效電晶體(簡稱:MOSFET)產品--RJK60S5DPK。新的電源MOSFET能減少PC伺服器、通訊基地台以及太陽能發電系統的耗電量。
8 d6 S) h/ B; }
" t- A+ D- Z- x2 g6 I8 o7 Z( V3 B+ \新推出的RJK60S5DPK電源MOSFET極適用於電源供應器的主要電源交換電路,用以將交流電(AC)轉換成直流電(DC)。RJK60S5DPK為瑞薩電子高壓電源MOSFET系列的第一款產品,採用高精密超結合技術結構(附註1),達到電源MOSFET 設備主要整體效能指數的優值(FOM,參見附註2)標準,與瑞薩電子現有產品相較下,效能約可提升90%。3 y* f+ ]! j- l+ {, w1 E+ D
) k; I* f8 A3 c+ s
近來對於提高電源供應電路效率以減少耗電量的需求與日俱增,而且雖然平面電視、通訊基地臺、PC 伺服器以及太陽能發電系統的高輸出交換電源供應的電源轉換效率已有所提升,但對於低耗電量的需求仍非常強勁,也因此帶動低導通電阻(附註3)電源MOSFET產品的市場需求。然而,使用傳統的平面結構所能達到的改良程度有限,因此瑞薩電子便發揮在電源裝置科技領域的專業能力,開發出採用深槽製程的高精密超結合技術結構,得以產出低導通電阻的MOSFET產品。
108#
發表於 2011-1-25 11:43:15 | 只看該作者
新 RJK60S5DPK 電源 MOSFET 的主要特色8 r2 s  Z# y2 K) ^
. h, F! l8 A% v$ W  d
(1) 領先同業的低導通電阻
8 ]2 T% W) r4 |7 z2 J. v新的 RJK60S5DPK電源MOSFET 可達到150毫歐的導通電阻(mΩ,ID標準值=10A,VGSS=10V),較瑞薩電子現有的電源MOSFET產品低 52%,如此可減少電源轉換時的損失。
9 K. K5 B) `; e& h" ~' Y" l9 c* B1 t4 F5 Q
(2) 高速交換* e0 Y! s& `  }. {& d2 P
瑞薩電子的新電源MOSFET具備僅6nC(nanocoulomb,ID標準值=10 A,VGSS=10 )的驅動電容(閘極電荷Qgd,參見附註4),可影響交換速度,相較於瑞薩電子現有產品可節省80%的轉換電荷,因此能透過高速交換提高電源轉換效率。6 O, Q  J, e% f5 I+ ^6 ?* S
% \" Q4 n  A$ C4 J& N) F
新的RJK60S5DPK電源MOSFET封裝大小與TO-3P標準封裝相同,且pin腳的配置符合產業標準,因此可輕易安裝於使用傳統平面MOSFET設備評估的交換電源供應電路板。# j5 e0 r5 n# G0 D
高精密超結合技術結構的電源MOSFET系列產品所能提供的每單位面積導通電阻,約較瑞薩電子現有平面結構系列產品低80%,因此若導通電阻維持不變,則可減少晶片面積。瑞薩電子利用此一優勢,預計於未來將推出各種小型封裝規格的電源裝置產品,例如以TO-220FL(10 mm × 15 mm)封裝產品提供使用TO-3P (15.6 mm × 19.9 mm)的現有封裝產品效能。0 B' y9 Z8 k! I' [5 i

+ F" Y9 ?4 A+ p+ A3 \& h4 g此外,瑞薩電子認為平面電視、通訊基地台以及PC伺服器都將因低耗電量交換電源供應器產品而受益。瑞薩電子也計畫針對此類用途,行銷一系列的新超低導通電阻MOSFET產品。瑞薩電子計畫利用新RJK60S5DPK電源MOSFET的先進技術,擴大高壓電源設備的事業規模,並針對各特定用途開發各種新產品。
109#
發表於 2011-1-25 11:43:22 | 只看該作者
(附註 1)超結合技術結構: 0 y8 ]0 B7 N8 p: q* {8 _6 Y
此乃電源MOSFET結構組態的一種,有別於一般平面結構,能降低導通電阻而不減少設備的電壓精度,因此可降低每單位面積的導通電阻(關於導通電阻,請參見附註 3)。
6 m  ?$ S/ ^3 j5 e- u# M% O, U$ C/ y" J& q8 B- U
(附註 2)優值,簡稱FOM:: ]) g% `$ T: f7 S( H9 s
此為電源MOSFET 效能的指數,以導通電阻 (Ron) 乘以閘-汲極電荷電容(Qgd)所得之數值表示。+ R, b' ^7 D8 u' T% D
7 `7 K4 H+ K9 q, e5 ^
(附註 3)導通電阻(Ron):
& B4 Y( M+ _0 f3 B電源MOSFET 運作時的電阻,電阻值越低表示導通損失越少。
9 u7 G+ \8 z" H9 X* _, _  z  ^! L( m# C% C
(附註 4)閘-汲極電荷電容(Qgd):
3 `# z- O1 @8 p$ P( _* ?" w使電源MOSFET 運作所需的電荷,數值越低表示交換效能越快。) H2 [6 [  c) z: P' F1 N% F
1 q8 M) o+ p. d; a  @2 g8 t
關於新RJK60S5DPK的主要規格,請參閱附件。, T4 }" c( w/ h' o( ?
7 ~- P' p+ L, p  `
價格與供貨* ~" o4 Z  N, v4 v
瑞薩電子新RJK60S5DPK電源MOSFET樣本現已開始供應,建議售價為US$5。預計將於2011年4月開始量產,並預估至2011年10月每月總出貨量約為50萬顆(價格與供貨如有變更,恕不另行通知)。
110#
發表於 2011-1-25 15:40:51 | 只看該作者
瑞薩電子推出適用於手機之新款系統單晶片 提供領先業界的1600萬畫素靜態影像及高速連拍功能, c5 p  }% P) \" ?; W, w. \
  O3 N" e. J$ l
2011年1月25日,台北訊—先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子(TSE:6723)宣布推出適用於智慧型手機及高階手機的新款CE150系統單晶片(SoC),可提供領先業界的1600萬畫素解析度,並可拍攝Full-HD影片(1920x1080畫素)。
' N8 l8 t+ T% g7 _/ z9 ?& G* G3 f2 `& n3 F# L# J
新款CE150 SoC的設計可支援高階相機所需的高速連拍功能,以提供最佳的照片畫質。此新款SoC的特色在於速度方面的提升,包括由相機連接至手機應用程式處理器的雙通道MIPI® CSI-2 (附註1)高速輸出介面。另外,由於雜訊降低技術方面的改良,藉由結合CE150與1600萬畫素CMOS影像感測元件,實現了領先業界的高畫質影像處理。) X& A! n/ p* P6 {+ e
近年來,在附有相機功能的手機市場中,配備500萬以上畫素解析度相機以及足以媲美數位相機功能的高階手機數量正逐年增加。預計於2012年,具500萬以上畫素解析度相機的機型將佔整體手機出貨量的80%,並預期此類手機產品銷售量將超過4億支。4 {5 U* |7 l# `  {- k2 O

, G. H1 C$ h' K# r瑞薩電子自2003年起即積極投入此市場,並於同年推出CE系列相機引擎產品。瑞薩電子亦藉由提供可使手機相機達到與數位相機同等影像品質的半導體產品,持續擴展相關事業。截至2010年12月底,瑞薩電子CE系列元件裝置的出貨量已超過5000萬顆,預期出貨規模將持續擴大。! S. y' I& E2 M8 `, b* A
新款CE150 SoC的開發基礎為瑞薩電子在此市場中所長久累積的專業技術,並結合高速連拍等功能以及符合更高畫素及優異影像畫質需求的影像處理技術。
111#
發表於 2011-1-25 15:41:15 | 只看該作者
新款CE150 SoC產品的主要功能:
9 l3 l2 E  v# h: b3 q(1)支援高速連拍/ A7 ^5 z1 g+ z; O+ N" F
改良影像處理迴路,可提供每秒15張130萬畫素解析度高畫質照片的高速連拍功能,為瑞薩電子現有SoC產品的五倍。4 U' _% ^: X# l- D0 h; V3 v, U
3 z" }  V+ }3 L# Q
(2)輸出介面符合MIPI CSI-2標準
! [$ O( v; Z: N7 F5 }! e9 J7 |. T符合MIPI CSI-2標準的雙通道相機介面可提供輸出功能。新款輸出介面結合執行於主機的軟體,可使用較少的電力傳送資料,且電磁干擾(EMI)較低。
" A3 W' t$ {" _0 K( n# g6 R/ |8 {& U4 \; X) J7 J3 t
(3)支援優異的照片畫質
+ P) I* \  ]' C/ |% z$ Z# M經過改良的雜訊降低功能及瑞薩電子專屬的Neo Clear Resolution™單一訊框超高解析度技術,可使照片畫質大幅超越先期產品。
, A1 S( n( ?  f. j; g& K3 ?' G- s4 T' v
(4)可透過韌體部署多種功能
+ G! Z: ^1 Z9 E可選購韌體以增加功能,例如防手震、微笑偵測及物體追蹤等功能。- R. {( [2 d, }2 U( \9 E7 V. g( I
瑞薩電子提供新款CE150 SoC做為相機系統處理器,適用於包括智慧型手機的高階手機,並將積極推出相關的促銷活動。
# U' C2 a& Q6 n為了進一步強化CE系列產品,瑞薩電子正努力提升其500至1600萬畫素解析度高階手機相機處理器裝置的市場佔有率,將2009會計年度的15%提升至2012會計年度的30%。; t; A' U$ Y4 }/ s# s

2 x# s" I1 U! E8 S5 L$ A+ W; z, }3 H(附註1) MIPI CSI-2(行動產業處理器介面. ?8 U- p# M. _/ e, ^% O* g% c
相機串列介面2,Mobile Industry Processor Interface-Camera Serial Interface 2)是由MIPI聯盟制定的相機設備高速串列介面標準。
3 u/ M5 O( |+ h  a2 V  c+ W* _  f6 c; F3 w5 A
價格與供貨
; d: e4 ?, c) g0 D9 Z* b瑞薩電子新款CE150 SoC樣品目前已開始供貨,以樣品數量出貨之單價為US$40。預計於2011年3月起大量生產,每月產量預期可達1,000,000顆。
112#
發表於 2011-2-11 14:20:07 | 只看該作者
瑞薩電子強化其海外材料採購組織結構 繼台灣之後,於中國上海成立第二個海外採購辦公室$ J; y7 `. l7 J7 X; `% p4 L

$ c9 E+ I$ y6 `) j* s7 G2011年2月11日,台北訊—瑞薩電子宣布,將於中國營業子公司-瑞薩電子(上海)有限公司,成立新海外採購辦公室,以促進材料採購結構之全球化,符合公司拓展全球業務的目標。新的組織將成為瑞薩電子繼台灣之後,第二個海外採購辦公室,並預計自2011年4月1日正式營運。
' Q. ^! v8 }$ X* ?7 i- t! [9 N# b% E* W
近來許多半導體公司,尤其是全球主要晶圓代工廠及零組件分包商,紛紛將自身的製造廠房及外包業務拓展至中國,使得中國及其他國家的半導體材料供應商,產能不斷提高。由此可見,中國在未來數年內,將很快成為主要的採購市場。
' i% S6 i8 x# s% n& I6 C. |
) z. D0 p7 j' v6 ?為了因應採購環境的改變,瑞薩電子決定於中國設立材料採購部門,為預計在中國擴增產能的海外製造子公司,提供更穩定的材料採購支援,同時藉由擴大低價採購材料的規模,降低所有製造子公司的成本(包括日本子公司)。
113#
發表於 2011-2-11 14:20:33 | 只看該作者
此外,公司的海外採購部門以日本製造商所使用的外幣下單,可避免匯率風險,同時提高海外營業額。
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瑞薩電子預計2012會計年度,在採購方面的海外營業額,要達到2010年會計年度的1.5倍以上,並透過強化採購組織結構,進一步於2012會計年度,將2010會計年度18%的海外採購率,提升至30%。
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此外,瑞薩電子也預期在2012會計年度,將海外銷售率由2010會計年度的50%提升至60%。為此,瑞薩已在中國營業子公司-瑞薩電子(上海)有限公司-成立新的組織部門,以加速行銷、計畫、銷售及製造等階段的決策制定。隨著全球電子設備公司紛紛於中國設廠,加上中國市場的龐大消費能力,瑞薩將全力衝刺中國市場。5 U- s1 o& Y5 p
為了將採購目標從日本轉移到非日本供應商,瑞薩電子於上海成立原料採購部門之後,並將透過與台灣採購部門的合作,將採購業務拓展至全亞洲。
1 |# O" C: b& h% W. {0 S" s! j2 Q& `0 K
1 T4 n* n: e1 F' @【新成立之中國上海海外採購部概況】
4 c& l; r# \4 d& t/ I
% d( u7 b$ f* ^+ I- M& m% \9 t4 m名稱:        瑞薩電子(上海)有限公司 國際採購室
8 q8 ]# y0 n' C' U        International Procurement Office, Renesas Electronics (Shanghai) Co., Ltd.& x$ C" L  t2 p: E2 P9 v
所在地:        上海市浦東新區陸家嘴環路1233號匯亞大廈204、205室% m9 [& t( M" H) q+ h
運營起始日:        2011年4月1日
1 S& ^) R) \( v) {+ K採購產品:        晶圓代工、封裝代工、半導體材料及其他
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發表於 2011-2-15 11:20:45 | 只看該作者
瑞薩電子推出可縮小約60%安裝面積之高效能功率半導體裝置
4 k; w- n* M" n以6x6mm封裝實現25A額定電流 適用於個人電腦及伺服器之DDR類型SDRM8 K4 w1 [* o6 W! {; R5 q: }7 p
6 x2 d/ _% H: a  o/ K5 U; p
2011年2月14日,台北訊—先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子(TSE: 6723)發表R2J20751NP功率半導體裝置之開發。此裝置可做為個人電腦、伺服器及印表機內DDR類型SDRAM(Synchronous DRAM)記憶體及大型邏輯裝置(如FPGA)之專屬電源供應器。R2J20751NP為同類產品(POL轉換器)中第一款具備最大25A額定電流且在單一封裝中整合MOSFET(金屬氧化層半導體場效電晶體)及電源供應控制器的產品,可讓系統設計師實現尺寸更小且更具能源效率的電源供應系統。" E% j* x( Y' |% Y0 k) k7 s
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R2J20751NP為POL轉換器,可將5伏特的供電轉換為記憶體模組所需的1.5伏特。由於晶片小型化及黏著技術的提升,使本產品可在6 mm x 6 mm的單一超小型封裝中整合兩個功率MOSFET及一個含晶片內建驅動器之脈衝寬度調變(PWM)控制IC,相較於瑞薩電子現有產品,可縮小安裝面積約60%。另外,最大25A額定電流版本可達94.5%效能(以5A輸出電流運作時),為業界最高水準,有助於降低電源供應系統的耗電量。$ z: Q- _$ e2 P/ r

, w( [, X4 p6 }0 V3 i# I個人電腦與伺服器採用低電壓半導體裝置的發展趨勢,使DDR類型SDRAM、FPGA等對於低電壓、大電流功能的需求也逐漸升高。然而,縮小安裝面積也變得非常重要,因為電源供應系統中所使用的元件數量亦逐漸增加,例如功率MOSFET及被動元件。在單一封裝中結合電源供應器及電源供應控制器(含晶片內建驅動器之PWM控制IC),可大幅縮小安裝面積。
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發表於 2011-2-15 11:21:43 | 只看該作者
R2J20751NP之主要特色:
! y1 A) T' C5 |. N
) }$ v1 O# i4 w# A9 S$ Z# c0 T(1)安裝面積較瑞薩電子現有產品縮小約60%
7 m) Y# E$ x  t$ |* QR2J20751NP最大額定電流25A的版本尺寸僅6 mm x 6mm,安裝面積較瑞薩電子現有產品縮小約60%,其中使用一對功率MOSFET做為功率轉換,並使用一個電源供應控制器(含晶片內建驅動器之PWM控制IC)提供驅動器控制功能。藉此實現更小型的電源供應系統。
2 I% b# l! I) s: r& C1 i/ {4 p( ^6 Z+ W8 a; x; R9 R7 |9 E
(2)領先業界的94.5%電源效率
7 c, [4 H8 G2 c% PR2J20751NP將5V輸入電壓轉換為1.5V輸出電壓時,可達94.5%最高電源轉換效率,在結合額定25A電源供應器與電源供應控制器(含晶片內建驅動器之PWM控制IC)的同類產品中為最高水準。如此將有助於降低電源轉換損耗,並藉此獲得更高的電源效率。
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5 [. k9 H3 H% ?% H5 D2 {1 s, t(3)可擴充之多相運作
6 F( h0 s/ C0 }; k' K3 n對於需要大於25A電流的系統而言,必須使用一個以上功率半導體裝置(多相運作)。R2J20751NP整合瑞薩電子獨家開發的時鐘傳送系統(接力賽系統,附註1),使多個裝置可透過主從式組態進行連結。這表示所使用的功率半導體數量(一或多個)可擴充以供應電子裝置(例如DDR類型SDRAM或FPGA)需耗用的電流量,因此在變更電源供應器規格時,不需要選擇不同的功率半導體裝置,藉此簡化電源供應器設計。
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發表於 2011-2-15 11:21:56 | 只看該作者
另外,內建的自動相位控制功能會自動切換至最佳的相位數,以符合電源供應器輸出電壓。如此在小電流至大電流的範圍內皆可維持高效能。
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(4)內建保護功能
: D; s& U' ~9 G- [" r% [! {R2J20751NP裝置整合DC-DC POL轉換器所需的各種保護功能,包括過電流保護及過電壓保護。因此可用較少的外部元件建置可靠的電源供應系統。
3 h$ b/ K) h5 t) U! R& x" ]
0 ~* W2 B" q4 s; x9 w) zR2J20751NP採用記錄良好且散熱性極佳的40-pin QFN封裝。位於封裝下方且佔據一半以上面積的晶粒座可在安裝後確保散熱效果。
, C- g* U" \' `
/ z4 |/ W) D4 r3 [: |# @有關R2J20751NP之主要規格請參閱附件。* Y! A7 V, P  I4 i4 S. E& r
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價格與供貨
7 C; r; l2 G5 t/ q4 C* i# I7 N瑞薩電子新R2J20751NP功率半導體裝置自2011年2月開始供應樣品,價格為US$3.33。量產時程預定為2011年3月,並預估每月之合計產能將達500,000顆。1 e% K6 E% M( l  X, W

2 V( J9 A( \: ^3 [- |(附註1)接力賽系統(Relay Race System):一種系統,其中的作業起始觸發器時鐘會「交給」下一階段的POL-SiP,如同接力賽中的接力棒。
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發表於 2011-5-25 15:56:24 | 只看該作者
瑞薩電子推出數位環境亮度感測器,配備領先業界的小尺寸薄型SON封裝
5 D( e  F) z1 N. F# c4 ]" w瑞薩電子憑藉在CD、DVD及BD播放器之光感測器IC領域的先進技術正式邁入環境亮度感測器市場
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6 a' h+ F  ^& h3 ~: p  w+ G
/ {* x9 l  l' Y& u2011年5月25日,台北訊—先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE:6723)宣布推出數位環境亮度感測器PH5551A2NA1,採用了領先業界的小尺寸薄型封裝。PH5551A2NA1元件為該公司進入環境亮度感測器市場的第一款產品,結合了瑞薩電子在CD、DVD及BD播放器光感測器IC之開發及商品化過程中所累積的專業技術,瑞薩電子的光感測器IC產品在市場的佔有率為世界第一(附註1)。這項新元件的設計可自動調整亮度以提供最佳的螢幕檢視效果,有助於提升產品效能並降低耗電量。' r' O+ W: j9 D+ F

4 _# {" ^+ I( o- pPH5551A2NA1為數位環境亮度感測器,可偵測四周環境光線的亮度,並傳送相應的訊號至微控制器(MCU)之類的元件。利用PH5551A2NA1元件,系統製造商可開發更輕薄、可自動精密調整亮度或自動開/關電路的產品,例如數位家庭電器及電子設備、行動終端裝置及手機、工廠自動化(FA)設備及室內外照明器材。
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+ K. K! l4 ^1 `4 l- P環境亮度感測器可偵測人類所能感受到的亮度,並將相應的訊號輸出至MCU。此元件主要可用於配有螢幕的數位裝置,使其能夠依據環境光線的明暗,自動調整螢幕亮度並自動執行開/關控制,如此將有助於提升產品性能並降低耗電量,例如可藉由自動調整螢幕亮度以提供使用者最佳的檢視效果。此感測器適用於數位家庭電器及電子設備、行動終端設備與手機,以及工廠自動化設備及照明器材等,預估從2011年至2013年,環境亮度感測器的市場規模將成長約20% (附註1)。

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發表於 2011-5-25 15:56:51 | 只看該作者
過去,採用硫化鎘的光線感測器已大量使用於上述應用領域,但由於矽半導體對環境造成的影響較小,因此目前的需求正逐漸增加。
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2 J: t8 Y; z  R5 T/ ^( i. m( R在此背景之下,瑞薩電子利用源自於CD、DVD及BD播放器光感測器IC產品的製程技術、電路技術、封裝技術及製造技術,為光線感測器市場開發新產品。PH5551A2NA1元件有助於提升性能、降低耗電量,並提供尺寸更小的亮度調整電路,適用於各種數位裝置、行動終端設備與手機、工廠自動化設備及照明器材。
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PH5551A2NA1元件之主要特色:
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(1) 採用業界最小最薄的透明樹脂SON封裝! P! t( D; V$ X! P
PH5551A2NA1元件採用的透明樹脂封裝設計技術及製造技術,來自瑞薩電子多年來在光感測器IC產品之開發與商品化過程中所累積的經驗。其透明樹脂SON封裝尺寸僅1.56 mm x 2.55 mm x 0.55 mm,為業界最小最薄的尺寸。針腳間的0.5 mm距離以及SON封裝,使其可輕易在印刷線路板上達成高安裝密度。
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發表於 2011-5-25 15:57:00 | 只看該作者
(2) 對各種光源的感光度變動降低至±20%
+ C. a% c# U3 Q- ^" e" i0 Q; J內部電路的計算乃依據來自多個具有不同波長感應特性的光線接收器,因此可使日光燈、LED燈及白熾燈等不同光源所造成的感光度變動降低至±20%。如此將可依據人類感受到的光線來進行控制,而不受照明環境影響。
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(3) 搭配MCU使用將可進一步提升應用彈性
* U9 b$ ?+ A  ~& }& K在環境光線感測器的數位訊號輸出應用方面,通常會指派兩個 I2C™ 匯流排Slave位址(識別號碼),因此可將多個光線感測器連接至單一MCU,並依據需要進行調配使用。# p; C" m; o$ j( E8 }, d& h2 v
PH5551A2NA1元件內含中斷功能,可在亮度超過預設的門檻值時,輸出訊號至主裝置,例如MCU。因此MCU與感測器之間不需要持續進行通訊,可降低MCU的處理負載。- F, i1 H2 f# G( R3 w8 h  N
瑞薩電子將持續開發並在市場上推出環境光線感測器,有助於附帶螢幕產品提升性能、降低耗電量,並提供尺寸更小的亮度調整電路,以應用於數位家庭電器及電子設備、行動終端設備與手機,及 工廠自動化設備,這些產品市場預期都將有快速的成長。瑞薩電子認為PH5551A2NA1元件將可提升上述產品的小型化及光線調整精密度。/ ]( p& L* z( h0 U1 T5 e
1 o& Q5 F* Z  a: w2 k$ [6 o4 ^
(附註1) 瑞薩電子預估。瑞薩電子在CD、DVD及BD播放器光線接收器二極體IC產品市場擁有約80%的市場佔有率(2010年)。
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價格與供貨
" o1 |1 p- N) X0 u9 q, V瑞薩電子新PH5551A2NA1裝置已開始供應樣品,樣品單價為美金1.20元。量產時程為2011年5月,預估將達到每月1百萬顆的生產規模。(價格及供貨資訊如有變動恕不另行通知)
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發表於 2011-9-26 08:03:28 | 只看該作者
瑞薩電子宣佈推出新型SiGe:C異質接面電晶體,為無線區域網路及類似應用提供業界最高水準的低雜訊效能5 w- g! x9 S; O( p; n
運作頻段為5.8 GHz時可達到0.75 dB雜訊值,提供更優異的通訊接收靈敏度及低耗電量: G5 s, E2 T" K2 ~; s/ ~1 l& }

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2011年9月22日,台北訊— 先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣佈推出新款SiGe:C異質接面電晶體(SiGe:C HBT,註1) NESG7030M04,可做為低雜訊放大電晶體用於無線區域網路系統、衛星無線電及類似應用。本裝置的製程採用全新開發的矽鍺:碳(SiGe:C)材料(註2)並達到領先業界的低雜訊效能。

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