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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.
5 K3 n# o1 D* a8 E; b( GESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
6 ~% O; @' t: c3 C+ \! ]
# z# p$ Z0 j: g& a/ `- T7 BEsd test summary:
/ a% }1 a% _; y0 c/ H6 }! T' F4 X
ESD TEST
+ p2 S) G. m# x; W4 ?% l: U* @. v
) p2 s8 `0 s# `* j4 `0 ]% U; \
- ?% `  y' R/ I0 c. }1 W' O# M" H# OPAD1 Y* b3 j3 X2 X* y( @, q" _* }

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong % k' W* N& N6 n1 y9 C

+ h6 }6 x, U" {  l  Q" R8 b整體佈局
# D3 t9 |% A3 W8 X# E& @
4 A$ r4 a1 V- W% L6 a0 T0 Fpad    layout
, N7 }2 m! L2 w2 K" gvdd&pin 28-38,1  esd protection& G6 F% w' l: z/ ~
( [7 c) k% ?  S
pad 39 40 esd  protection
* w3 W9 E9 B9 k6 \' W7 W' ?
- `9 I- }. H: ^( J0 h7 \) Z4 pgnd &pad7-14 esd  protection7 l: J( H; {2 V" E9 J

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1
5 Z6 x8 t: N+ {! J
; C1 C6 l/ Z4 m3 ?  S+ C3 M. w% L: b8 y4 @% g0 F
    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎? . |/ P! w( [8 K7 @  L* ~& Z
# o% n/ D/ y3 D  O( o

& g+ H- F$ [8 @7 q/ m' q1 M' {輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong # w& M4 [7 y6 u) t
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712 & v- \2 f0 B/ c/ Q1 T3 c. M
! h4 o1 \4 o4 I1 @
- t( t1 m5 R1 C2 o1 w/ \; s
   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong
9 l( e5 f! H; h, M3 ~/ A我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712 % [- }; F1 n2 E4 c! s% i

" o4 B8 ]' c. {7 T0 S8 K0 E4 K, ^5 P3 }  G: w3 v, T
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯
, J7 ?  _5 q& M# M) R
7 f( `0 H, P  J7 V/ z- @. v% L回復 12# jian1712 # t, T) Q3 S! O' ~5 M
2 m7 f% w3 w( E- f" Y, O/ [" Q
) t  W* ], A5 J7 U
    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。1 Q, G4 g' h' t, R% T! i8 V

& d% L! d8 Q( x. m, v" q8 g  {. g
  S, v8 s- Z& X( V5 {* i  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
+ V7 A1 n% ]3 q8 i- I
2 p5 O7 w& Y' [
8 q# w" m( k" i$ A, f    * h* ?( u% N: D' j0 {$ G
9 U9 T+ d! }+ f5 ?9 _
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun
" n  O- l% R4 W+ G5 v5 S% t4 `4 K2 G3 f5 O) ]3 w
+ `* m' ^3 u( e( K
    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,
- V  u( V, D! ]+ a7 ]$ S% E( O若PAD沒串電阻, 就直接到gate,
. ^+ {( G$ a% Z$ ?& k  D這是相當容易造成gate端燒燬,8 D1 I+ q% S( w# y- w) h' c
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,
5 ^3 F% V3 {0 [) n1 D7 F, |1 }) Z而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
3 L/ d; |/ C7 f1 A' I如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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