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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.* r8 Z$ b1 N( _9 ^$ ]
ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。/ g( j+ R9 j" S% B
5 u- Q/ ]8 P2 a* F" g
Esd test summary:
# c0 a2 _2 {' J' q+ x& t% |( ?( |$ k6 q/ A# R( _4 @
ESD TEST
1 Z( j' Q; N( t& T& k) t) M0 n2 z
# M0 i+ @) j) M- W
PAD
* \5 K0 b# ^3 x9 r

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong
" C7 n% Z4 E+ r
' ]0 Y  T" E8 R0 N, r+ O2 y% ]9 ]整體佈局
5 H+ X# i3 r: M6 t
% `/ D( u+ `. F3 \/ ]pad    layout
, R  ]3 [& J- _7 ]8 C* kvdd&pin 28-38,1  esd protection
+ ^3 ~* O9 u6 R: i1 b6 @
& f3 C3 p1 [& _" g( p& Z5 L- Jpad 39 40 esd  protection4 j6 l6 b  ?! n

' C% Q1 u5 i+ r3 N& mgnd &pad7-14 esd  protection
3 L$ b1 a9 k4 j/ |1 g6 ^

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1 3 `& ~% x7 l, x8 B
1 E* [* g: L- L* `( z% Z; c
$ U( W7 H- p; D5 _6 w$ T. Q
    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
7 X5 p( r: V+ W$ y3 a
2 ]' @6 g1 u% U+ d- q" v( P) O8 \5 C8 x
輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong ) Y2 j0 Q' C! J( R9 A
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712 # `5 w9 T" e+ Z5 F" [0 j

# `7 z) E( x' ^6 ~, c; k: E6 X9 ?" ?  g5 m$ f
   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong) [, M2 i; b3 W" C9 ]9 s
我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712 2 R  a, d3 b* Z
4 D2 P  h$ G% O* Z. l

1 Z1 E  e2 f$ E6 |+ b; ~1 F& {# b8 v    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯
3 \+ |* Y. F! W  S5 J$ \
: m6 k! A" Z4 q; R6 }: Y/ y回復 12# jian1712
5 _: K0 Y: l% v( H
$ h! Y& a, W$ r  Z6 q" y) X/ K; t2 B& z- K
    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。
8 \" Q- r3 Q& Z3 Z  }% R+ Q
& r8 X: n3 P3 [' L
0 d. P$ y' s8 i; w! p9 j; e  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
! I! A* z* k* m/ b% `; c
. v/ c6 M3 q+ Q
" h/ j) b1 ]& m. ~. y    * d9 f, J: J& j( n8 Q$ Y3 K5 |
# s0 d  A0 p, t; Y7 g# [
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun * A" I  R, l. B
! @( @2 o6 `! d
) ~0 _9 ^  Q( ]& U* w; s
    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,
$ t% b2 Q3 K& g3 `! J若PAD沒串電阻, 就直接到gate,, l$ E& {6 A3 u
這是相當容易造成gate端燒燬,* r3 q2 z4 C, b- x+ y3 @/ F7 G
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,
- e6 c; ~4 U( m, g5 j# h2 ]8 X而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,- R4 _5 h8 N# I. K
如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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