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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.& i2 W2 \+ Z# J5 N( v6 ]
ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
( R. f+ @$ j% e  h- a! [2 O5 C: p4 k  Q6 F; k5 G; z2 c
Esd test summary:
. @) b( ?& [, _% }1 ~: P' ]7 e: J. [( [
ESD TEST - X' R" q: ]1 a
& G1 ~7 U4 V* L5 @& D9 `  J
# r4 S% p$ {. Q) K8 O% d
PAD
& g5 b& v' A# j( v8 X

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong
' P4 J& q, e6 m/ y
" U3 J' p4 `. q; Z1 A! V( B整體佈局
: x# D' o, M* n1 b1 C$ b7 b8 l" W5 C! x
pad    layout. ?& @$ e8 I# N, ^
vdd&pin 28-38,1  esd protection+ J5 T" s! F0 v, ~  \8 ]
0 ]+ I  Y# [1 ^$ a
pad 39 40 esd  protection, r' D9 m- J) {7 ?

( A; m1 M/ H$ V( R/ y5 N' Ignd &pad7-14 esd  protection
/ K$ s5 o' h1 a; H; L6 E. q

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1
! k) |' R+ W3 Q4 F2 W4 ~0 `  n% n9 t, H" e3 R% q& N

$ a" |2 I. w( ]! q; ]  h    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎? 7 j: \" g! a0 u) E8 J+ M! S
& d# Y! a* I/ e* D" X) M
7 ]8 N8 {- L  {9 p- W" i' M" c
輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong & ?2 L& b  G7 y
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712 ' X0 `; B' \- f

) h1 d1 j, v  M) R0 K. j! N
, H/ e0 D+ J& I; Q8 z7 {   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong
3 U: k/ Z3 v) N  C& }, h! [我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712
3 h; J  \- e/ s$ I! l) D
, ^3 h2 F2 n* F7 h9 u1 y& D4 r2 z; S  N8 [0 f3 Y
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯
3 t5 h) p. P7 z* }- Q) J( A3 ^/ b5 A0 e& }3 [: {! C( u! q
回復 12# jian1712 4 s" T* |7 g+ B9 y

! ]0 s4 l* Z7 J
' {6 H2 G3 @+ @: Y# @' \5 ]    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。+ u' @( w$ c$ {# f% _

, @4 |/ H8 l' H
" n5 ]: b9 _- c: u6 A5 M8 `  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
4 j( e! ^6 R, s' z
! y& K; Y2 n6 M# t/ V4 j
% L4 B0 l, F  D5 E5 U+ ?   
- F( j3 O9 q9 y- ?$ m
$ S% p9 N2 X3 a1 a  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun $ y* C) K' F6 X
, V: s% ], k5 c! e- X

+ K" l4 g+ l2 R" |    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,
7 j" J3 T7 x  j0 P( c若PAD沒串電阻, 就直接到gate,: G6 h9 h4 W4 H! \
這是相當容易造成gate端燒燬,
7 O8 c" c5 A+ H/ U3 ~$ J" |給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,7 O  g& ]% \  o& n3 D, H( F) V
而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
# [! f* R  d5 @( H* q. [如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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