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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.
5 G( i: T# |* |ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
# v! ~% p% R6 B9 H8 J# F- }- V: ]) M3 i' R' ^# Q) U. l
Esd test summary:
. F  K9 n) U1 d$ v2 ~
4 N! q5 W. N# e9 O# ]! f, {7 yESD TEST - P# v, A! I/ l( w9 T; N
  _( J3 r* E) f

+ p3 L: C* x0 \2 k% k( qPAD
4 x( o! E8 u5 W& j0 _3 x+ l

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong
) U/ y. M# l* z% X/ U+ S- r$ z$ F; ?5 I: o
整體佈局
% o, p1 W* Q/ L1 ^
, `2 f0 S) W1 x4 D2 z4 c  opad    layout
7 h$ _7 O+ L% ]4 ^! {2 e3 j+ Hvdd&pin 28-38,1  esd protection
) ^0 L4 \/ C) B) b$ y8 j' D2 b( y2 {: p* M3 X% }5 n1 D" c
pad 39 40 esd  protection: h+ F5 p: V; Z' w" i4 y& r0 U

9 d5 j% z3 V+ A( g$ a+ p( Hgnd &pad7-14 esd  protection
, ~8 p; F. @$ x2 ?$ ~% I. u

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1 : y% {0 i: n' |

4 d: y( L5 W  {0 X1 W
# B- \% c5 d/ v3 Z  U. U, b    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
& q) a" i, B1 E) p- O
2 B  |1 _! b) {: @+ h
9 T2 ]( l* |% u3 [8 Q輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong + K( r; g) \! B1 p7 c
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712
8 F. K" p% D1 N) m
; C& a* P$ v0 N/ ~" \9 B  c! R2 B1 ]' f
   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong& ]/ Q) C6 ~% e9 j1 P, E7 g( j
我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712
( w7 i- i4 n1 ?+ \* K8 j; x2 v- r" K# ]
4 @/ v8 J# K6 l/ R5 x
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯 & M+ b, s7 k: J% {' D+ j4 p' V

6 X" O1 K3 }  \) j" F+ g; p回復 12# jian1712 ( \  x( s" O, ~9 d
. X9 M0 }7 L  f' [
. I, E2 w2 ^& s  R. y2 h6 f+ t$ G
    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。5 e1 y8 u" q: s' V, @; |6 R  |. b
2 t' Y+ W9 z8 b2 L) V

2 C/ Q' k  b+ Z- F6 J3 ~: I  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
: \7 d4 Q0 S- r9 u) o
. b% v! [- R) u7 ]- M, u  w8 N7 r9 }" L1 K% P5 Y+ E
    ) y1 Q! T4 @0 y8 i* W0 m
. d$ w! W, [$ W5 d9 b4 `
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun
" {8 e, n1 [& _
4 P6 E% h* g9 D" [
) C2 D3 V" z% \2 t) t4 V4 }    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,: b1 Z; x1 K( f( }) i( \4 B
若PAD沒串電阻, 就直接到gate,
  {( W$ ^8 G6 m9 \( Y* W: G$ P這是相當容易造成gate端燒燬,! e6 k. V8 L# g$ L* ~% Q: s9 o
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,
. |0 W7 M- ^, }. R# t5 B而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
! P) N" j1 D  B8 z5 J7 y如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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