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美光推出增加伺服器記憶體容量和提升性能的新方法
(20090802 10:44:07)美國商業資訊愛達荷州BOISE消息——美光科技股份有限公司(紐約證券交易所:MU)今日宣佈生產出業界首款DDR3低負載雙列直插記憶體模組 (LRDIMM),並將於今年秋季開始推出16GB版本的樣品。透過減少伺服器記憶體匯流排上的負載,美光的LRDIMM可用以支援更高的資料頻率並顯著增加記憶體容量。) Q, l* v3 s3 Z6 o
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新的LRDIMM將採用美光先進的1.35v 2Gb 50nmDDR3記憶體晶片製造。由於晶片的高密度和業界領先的小尺寸,使美光能夠輕鬆並具成本效益地增加伺服器模組的容量。美光的2Gb 50nm DDR3產品目前正在進行客戶認證,將很快進行量產。, t2 f0 o1 U4 t1 S+ o
( X9 w A8 x$ c, f: M如今多數中階企業伺服器每系統使用大約32GB的DRAM記憶體,但根據Gartner公司近期的一份報告(2009年5月),此數字預計在2012年將增至三倍以上。隨著伺服器製造商繼續利用多核心處理器和資料中心選擇有效率的虛擬化技術,記憶體要求達到前所未有的高度。透過增加伺服器系統具備的可用記憶體,系統能夠同時執行更多的程式、更有效地處理更大的資料檔案,通常呈現出更好的整體系統性能。 [- }, O, D2 M& m( ~
% @, `; @* ]9 x* g. E6 }美光的LRDIMM目前使用Inphi近期推出的隔離記憶體緩衝 (iMB) 晶片而非暫存器,以在記憶體和處理器之間傳輸資料時減少匯流排負載。相較於目前標準的DDR3伺服器模組 -暫存式DIMM (RDIMM),美光新的雙排LRDIMM模組可減少此負載50%,四排LRDIMM模組則可減少75%。透過減少匯流排負載,美光的LRDIMM使伺服器能夠處理更高的資料頻率,從而提高整體系統性能和支援更多的模組數量以獲得更大的系統記憶體容量。 |
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