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樓主: minzyyl
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[問題求助] 關於amp的match問題

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21#
 樓主| 發表於 2009-7-19 08:30:50 | 只看該作者
原帖由 erwbeflkw 於 2009-7-18 08:06 PM 發表
* ^4 A) O7 Q0 W& ^方案一:4 K7 V! [, w0 `
  AB     AB
, C, U. U( _- P2 ]$ z        x7 ^" N. u/ [- n% g. o& D/ h
  BA     BA  兩個兩個相互共用應該也算common-central3 J: _& J& y: p* |$ K! R! g

9 \, C/ I- j. v, p+ F9 L( z如果不共用
, e/ `5 k2 @6 B5 ] A      B          A      B7 {0 _) `0 Z$ j0 h! M
        x        X         x
& \6 L9 {+ R6 w. ~ B      A          B      A   6 [* }0 |/ {* _/ }3 J, k
   ...

- Z- _4 A8 l: p- y" f# ^* G+ s! D# \, F! c' f
方案一勉強算CC,兩兩共用但中間不共用,可能不是很match,其他基本上同意.' S$ V, V( R! V
5 o" b- b7 U2 K
第二种如果不共用,感覺就對稱電流方向考慮應該是最好的,感覺不理想的就是如果電路比較在乎計生電容,也就是說RD比較在乎速度,就不是最佳的了吧? 不知道分析的對不對
22#
發表於 2009-7-19 13:56:53 | 只看該作者
If you are very care match and the current ,I suggest you use the two, because its match very good than the others, about the current's orientation , you don't share the S/D can be OK.
23#
發表於 2009-7-24 08:25:44 | 只看該作者

整体间的电流方向是一致的。。。。。。

但是把A,B看成一个整体时,整体间的电流方向是一致的。。。。。。
24#
發表於 2009-7-30 15:12:14 | 只看該作者
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.
- s, F7 V% z1 _, Q" BRD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省面積到處都可能作的到,唯有輸入級的面積是省不了的!!(當然先決條件是RD能認同)
25#
發表於 2009-7-30 17:38:52 | 只看該作者
原帖由 nebula0911 於 2009-7-30 03:12 PM 發表 6 [5 d& b' G  g
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.
+ w7 X+ @8 w  R5 c/ {RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省 ...
; L& ?, Q# i1 ?0 [* m2 ~4 F3 G

, ]7 j3 S5 i2 O. d- d  w+1
  b+ Q$ v/ P5 Y  h0 W
6 w% O+ l( k. x; b' L/ e/ N" q輸入級的match是最重要的, 他會影響許多性能優劣
26#
發表於 2009-8-2 20:51:06 | 只看該作者
当然第2种啊
; G0 d' k/ g# v! J1  面积小
' s# A  W6 r9 X2 drain 面积最小, 与sub 的电容小
' i) j: |3 A* O( V3 o' H( N3 符合common central  
1 R! Q0 n/ C. [2 d* U+ m, p  j9 k& u
类比电路的mos  match, 最关键是gate基本一致, 这样vt的偏差最小啊,  就算电流方向不一致, 如果有个偏差的话, 那a和b 也是一起偏差的。
27#
發表於 2010-3-18 13:15:57 | 只看該作者
) Z$ T* d% |2 Y* i# T
6 |, ?2 x  I/ \+ _( m
, b% l# B$ d: E2 v

/ d$ u, k; L; w" d! w7 Y, \6 }
28#
發表於 2010-3-19 17:10:50 | 只看該作者
請問各位前輩7 ?. l7 b' k( M( U

! O  w5 z3 p5 E- l5 e, f/ SABBA       ABBA
* K0 q. Z9 i3 Q$ k! }BAAB  和  ABBA
+ k/ @6 B8 J& m9 T1 Z1 J% x( W$ Q% H2 e+ F0 ^
這兩種又有什麼差異??
29#
發表於 2010-8-11 21:59:41 | 只看該作者
第二种较好吧!
% b  i' C6 k6 w/ K% `" B看你的管子个数而定
30#
發表於 2010-8-24 11:16:05 | 只看該作者
we use 3rd method ! k: K% \& v2 s! F: H: f
and work well sfdr & snd ok!
31#
發表於 2010-9-27 10:47:19 | 只看該作者
回復 1# minzyyl 4 e' x1 J; W; V
0 ~! V# ?1 z/ _' w6 X7 I

' |+ p1 g8 k% D4 O, [% G+ S    我都用第2種方式~common-centroid
% a4 ]& F8 @; t/ V9 c! Y    省面積~而且特性較好~
9 P$ A  Q: a* D# Z9 P$ U4 A1 T    mosㄉ條件一樣~
32#
發表於 2011-6-16 11:48:51 | 只看該作者
梯度效應考量、ID電流考量。
33#
發表於 2011-6-22 11:49:35 | 只看該作者
回復 20# minzyyl 4 V7 b1 O4 M! G7 P, K5 A: q- B

. Y, _1 b! e, I5 y( j  _, C我也想知道不共用的理由是什麼?
/ B2 m: T7 s* e
34#
發表於 2011-7-13 11:53:09 | 只看該作者
看元件的剖面圖,能夠共用的是s端或是d端,不同製程之元件能夠共用的點不同,rule與rule的規則。就彼此卡死,AA一定會分段。
35#
 樓主| 發表於 2011-7-13 22:13:17 | 只看該作者
前年發的帖子竟然還在。。。7 v# }" i6 g# j/ Y. a8 J

2 D) D& C" f& H3 ?現在的認識又多了點。這個例子,應該把STI和WPE算上去,那麼答案就比較明顯了。
36#
發表於 2011-7-28 12:38:37 | 只看該作者
要看元件的製程,元件之端點是否能夠共用,目前遇到的元件是nmos元件都只能是獨立元件,能排的只是二維格式,因bulk是共用的,s與d共用的機會根本是不可能的
- L( ~' K( t' M7 ]5 K8 T% S2 q$ u$ w9 D  \  o
依照我這個例子,我會說,看元件製程而定。
8 N, n( Z2 W' s6 Q1 J, z事情並沒有絕對,只有合理性,& ?: h0 L2 J. K8 G
rd與layout的考慮立場並不相同,唯一能夠說明的只有雙方的溝通了解。而非傾向單一方的說法。
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