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[問題求助] 請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤

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1#
發表於 2010-6-6 00:13:23 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟LAYOUT完電路後,有碰到密度問題,後來也補上各個METAL密度後,DRC後密度已經解決了...: h+ C7 f: V' A: T
但是又出現AMS.1.M1、M2、M3、M4、這些錯誤,我用的I/O PAD不是TSMC 提供的I/O PAD...% f2 M3 l! g: x5 A# @, U
想請問各位大大如何DRC這個錯誤!!
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2#
發表於 2010-6-10 14:27:46 | 只看該作者
把AMS.1.M1、M2、M3、M4、error 描速清楚一些
2 }. T$ U- J3 @8 b: K才能知道 如何解 , 不是TSMC 提供的 這無妨* J$ ~9 x+ o% b; B4 g
PAD CELL 粉多時候是經驗直
3#
發表於 2010-6-10 17:58:10 | 只看該作者
請把rules的描述詳細說明,可能的話也把圖示PO上來。
4#
 樓主| 發表於 2010-6-11 14:50:59 | 只看該作者
回復 3# m851055 # J3 w& _6 ?/ m3 A6 J- q2 o) E
不好意思...我DRC錯誤的圖如下...! P" V7 T' \- S- ~4 L+ l) z: c
希望有人可以給我意見指導!! 謝謝!!, J% o' q* L1 R% }8 _
% ?3 d, [: D+ d4 i% q  E
   

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x
5#
發表於 2010-6-11 19:25:17 | 只看該作者
就把大於35um的Metal做個slots就好了,要不就是用多條小於35um的metal畫。
6#
 樓主| 發表於 2010-6-13 01:22:15 | 只看該作者
回復 5# m851055   H) L- W$ B" n" Y
/ L" A5 x) q* |8 y7 Y
多謝大大的指導和意見...你說的slots我不太懂...
7 e7 ]. y& ?! ~* m0 @可否解釋一下...不好意思!!
7#
發表於 2010-6-13 07:36:46 | 只看該作者
回復 6# answerbyme ( C) t; b" W" m5 x  a
- I6 [1 _" Z7 W: E+ B4 v0 {- e
: i+ C3 L' o3 O/ s; V" Q$ m
   大於35um 的metal在中心處挖掉metal,一般DRC paper尚有可參考圖示
8#
發表於 2010-6-14 14:46:42 | 只看該作者
slots  就是開個凹槽 通常 2X15 或是 2X10 % R1 ]/ O: p1 P4 r9 M; u. V
如果是在 PAD OPEN之下  rule 會避開
* q2 \8 f; y9 M如果是在 PAD CELL 配合一個製程工程師
3 I: K/ d0 ^! M5 b+ F2 e! t. a+ t# I看看  有時候可以忽略
9#
發表於 2010-6-15 14:24:28 | 只看該作者
如果是因為你為了補metal density而造成的勸你再重畫." T- Q! w5 p3 z& m0 ?. s1 y
可以試著捕metal方塊: w=2 l=10 spacing:2um.
10#
 樓主| 發表於 2010-6-15 16:04:08 | 只看該作者
回復 9# ponyshih
5 d& H  E+ b6 d+ h+ w7 f% p+ b  p6 o& M+ e5 x# w
謝謝各位大大的意見和指導...讓我受益良多..% I3 u, ^, \2 ^2 ~$ F+ O
小弟已經了解了!!大家一起努力囉!!
11#
發表於 2010-6-30 11:06:13 | 只看該作者
關於挖slot的問題,可以參考http://www.armbell.com/forum/vie ... mp;mforum=iclayout.1 g2 o0 z; ~, f" z. a- n
在這次project中幫我省了不少時間,不敢藏私,與大家分享!!
12#
發表於 2010-7-1 11:53:57 | 只看該作者
理解slot 最好的方法是看Design Rule!
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