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[問題求助] 請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤

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1#
發表於 2010-6-6 00:13:23 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟LAYOUT完電路後,有碰到密度問題,後來也補上各個METAL密度後,DRC後密度已經解決了...3 m4 W1 I" t3 \! `* B
但是又出現AMS.1.M1、M2、M3、M4、這些錯誤,我用的I/O PAD不是TSMC 提供的I/O PAD...
& O5 ^# P1 k' {% w想請問各位大大如何DRC這個錯誤!!
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2#
發表於 2010-6-10 14:27:46 | 只看該作者
把AMS.1.M1、M2、M3、M4、error 描速清楚一些. x# T- N9 s% H
才能知道 如何解 , 不是TSMC 提供的 這無妨
: j$ ^* S2 Q8 g* E  FPAD CELL 粉多時候是經驗直
3#
發表於 2010-6-10 17:58:10 | 只看該作者
請把rules的描述詳細說明,可能的話也把圖示PO上來。
4#
 樓主| 發表於 2010-6-11 14:50:59 | 只看該作者
回復 3# m851055 & L0 I* B0 T& M. s: M
不好意思...我DRC錯誤的圖如下...
) c# T0 ]9 a7 {  G' f9 }希望有人可以給我意見指導!! 謝謝!!. L6 o1 U0 {% b  F; M, S
' {; p5 e( e7 t$ P2 E4 p5 ^7 T
   

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5#
發表於 2010-6-11 19:25:17 | 只看該作者
就把大於35um的Metal做個slots就好了,要不就是用多條小於35um的metal畫。
6#
 樓主| 發表於 2010-6-13 01:22:15 | 只看該作者
回復 5# m851055 ! v  r: V! x& C2 l1 Z- B6 T
, N$ e5 N( N7 z. o0 y5 i
多謝大大的指導和意見...你說的slots我不太懂...
* b" ?3 E" y7 G- R& n# c8 `+ b- L可否解釋一下...不好意思!!
7#
發表於 2010-6-13 07:36:46 | 只看該作者
回復 6# answerbyme
6 o8 g! u, _$ q( n
% t# x4 A% Y. p, |: Q9 H* f7 R, A
: b9 f; g" K* H$ D   大於35um 的metal在中心處挖掉metal,一般DRC paper尚有可參考圖示
8#
發表於 2010-6-14 14:46:42 | 只看該作者
slots  就是開個凹槽 通常 2X15 或是 2X10 5 ]! _+ @7 v9 x" B9 y% @3 _
如果是在 PAD OPEN之下  rule 會避開/ ~4 k& r8 R+ s4 E. V, B! K
如果是在 PAD CELL 配合一個製程工程師. Y, t4 V4 Z6 F7 _/ k, s
看看  有時候可以忽略
9#
發表於 2010-6-15 14:24:28 | 只看該作者
如果是因為你為了補metal density而造成的勸你再重畫.' Y+ h& n% V5 \+ w$ U
可以試著捕metal方塊: w=2 l=10 spacing:2um.
10#
 樓主| 發表於 2010-6-15 16:04:08 | 只看該作者
回復 9# ponyshih
( b2 i" G7 o2 d9 O0 \% w
. F- j0 a& j3 c9 ]1 G謝謝各位大大的意見和指導...讓我受益良多..
; x9 y  o$ _( k3 p8 \. ~$ H小弟已經了解了!!大家一起努力囉!!
11#
發表於 2010-6-30 11:06:13 | 只看該作者
關於挖slot的問題,可以參考http://www.armbell.com/forum/vie ... mp;mforum=iclayout.
" z/ X" c9 o- l- n5 F$ X在這次project中幫我省了不少時間,不敢藏私,與大家分享!!
12#
發表於 2010-7-1 11:53:57 | 只看該作者
理解slot 最好的方法是看Design Rule!
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